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1. 发明专利

JP2017135234A チップ抵抗器およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017135234A
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：JP2016013252
申请日：2016-01-27
申请人： KOA株式会社
发明人：廣島安
IPC分类号： H01C17/00 , H01C7/00 , H01C1/032
CPC分类号： H01C1/032 , H01C17/00 , H01C7/00
摘要：【課題】チップ抵抗器における抵抗値の経時変化を抑制する技術を提供する。【解決手段】絶縁性の基板と、前記基板上に形成された薄膜抵抗体と、前記薄膜抵抗体と接続された一対の電極と、少なくとも、前記一対の電極間における前記薄膜抵抗体を覆う保護膜と、を備え、前記保護膜は、前記薄膜抵抗体に接する窒化シリコンからなる第1の保護膜と、前記第1の保護膜に接する酸化シリコンからなる第2の保護膜と、を含む、薄膜チップ抵抗器。【選択図】図3

2. 发明专利

JP6386779B2 温度履歴記憶装置审中-公开
公开(公告)号：JP6386779B2
公开(公告)日：2018-09-05
申请号：JP2014097684
申请日：2014-05-09
申请人： KOA株式会社
发明人：廣島安
IPC分类号： G01K11/06

3. 发明专利

JP2016197622A チップ抵抗器及びその製造方法审中-公开
标题翻译：芯片电阻及其制造方法
公开(公告)号：JP2016197622A
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：JP2015075811
申请日：2015-04-02
申请人： KOA株式会社
发明人：廣島安 , 金子誉
IPC分类号： H01C17/06 , H01C17/28 , H01C7/00
摘要：【課題】チップ抵抗器の抵抗値の経時変化を抑制する。【解決手段】基板上に薄膜抵抗パターンが形成されたチップ抵抗器であって、前記薄膜抵抗パターンは、少なくともシリコンと金属と窒素を含む薄膜抵抗材により形成されており、前記薄膜抵抗パターンの表面領域に窒化反応が促進された高窒化領域が形成されていることを特徴とするチップ抵抗器。【選択図】図5A
摘要翻译：要解决的问题：抑制片式电阻器的电阻值的时间变化。解决方案：在片式电阻器中，在衬底上形成薄膜电阻图案。薄膜电阻图案由至少含有硅，金属和氮的薄膜电阻构件形成。在薄膜电阻图案的表面区域中形成促进氮化反应的高氮化物区域。图5A

4. 发明专利

JP2017022176A 薄膜抵抗器及びその製造方法审中-公开
标题翻译：薄膜电阻器及其制造方法
公开(公告)号：JP2017022176A
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：JP2015136373
申请日：2015-07-07
申请人： KOA株式会社
发明人：廣島安
IPC分类号： H01C17/12 , H01C7/00
CPC分类号： H01C7/06 , H01C17/12 , H01C7/006 , H01C7/021 , H01C7/022 , H01C7/041 , H01C7/042
摘要：【課題】良好なTCR特性を保持しつつ、従来よりも高い抵抗値を有する薄膜抵抗器を提供する。【解決手段】基板上に一対の電極と、前記一対の電極と接続された抵抗膜を形成した薄膜抵抗器であって、前記抵抗膜は、第1の抵抗膜と前記第1の抵抗膜とはTCRが異なる第2の抵抗膜とからなり、前記第1の抵抗膜と前記第2の抵抗膜とは、いずれもSi、Cr、Nを主成分とする薄膜抵抗器。【選択図】図1
摘要翻译：保持良好的TCR特性，A而提供一种具有比常规更高的电阻值的薄膜电阻器。的一对电极的基板，与所述一对电极和电阻连接膜，所述电阻膜形成的薄膜电阻器，所述第一电阻膜的第一电阻膜薄膜电阻器的第二电阻膜TCR不同，其中，所述第一电阻膜与所述第二电阻膜，两主要成分的Si，Cr和N是构成。点域1

5. 发明专利

JP2015175838A 温度履歴記憶装置审中-公开
标题翻译：温度历史存储设备
公开(公告)号：JP2015175838A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014055110
申请日：2014-03-18
申请人： KOA株式会社
发明人：廣島安
IPC分类号： G01K11/06
摘要：【課題】測定対象部位が所定の温度を超える温度履歴を経たか否かを簡単に判定可能とする。【解決手段】電流ヒューズ素子F 1 とPTCサーミスタ素子PT 1 との並列回路を含み、前記並列回路に印加される電圧Vとし、前記PTCサーミスタPT 1 は、所定温度T c 以下の低い温度で抵抗値R ptl を、前記所定温度T c より高い温度で抵抗値R pth を有し、電流ヒューズF 1 の内部抵抗値R f1 は、R ptl

f1

pthであり、前記電流ヒューズ素子F
1 の定格電流I
r は、V*R
ptl /{R
0 (R
f1 +R
ptl )+R
f1 R
ptl }

r

pth/{R
0 (R
f1 +R
pth )+R
f1 R
pth }の関係を有することを特徴とする温度履歴記憶装置。
【選択図】図1A
摘要翻译：要解决的问题：提供一种温度历史存储装置，其能够简单地确定待测量的部件是否经历超过预定温度的温度历史。解决方案：温度历史存储装置包括当前熔丝元件Fand的并联电路 PTC热敏电阻元件PT。施加到并联电路的电压设定为V，PTC热敏电阻PT为电阻大鼠预定温度Tor的低温Tor和电阻大鼠的温度高于预定温度T.内部电阻值Rof为电流保险丝 Fis R

6. 发明专利

JP2020053433A 歪センサ抵抗器审中-公开
公开(公告)号：JP2020053433A
公开(公告)日：2020-04-02
申请号：JP2018178084
申请日：2018-09-21
申请人： KOA株式会社
发明人：金子誉 , 塩原菜摘 , 廣島安
IPC分类号： H01C7/00 , H01C10/10
摘要：【課題】回路基板上へはんだ実装が可能な歪センサ抵抗器を提供する。【解決手段】歪センサ抵抗器10は全体がチップ形状を有し、その絶縁基板20の上面のほぼ中央には抵抗体(薄膜歪抵抗層)11が形成され、抵抗体11の両端部に表面電極15a,15bを積層して、抵抗体と電気的に接続する。抵抗体11の上部全体と表面電極15a,15bの一部は保護膜(保護コート)19で覆われ、回路基板等へのはんだ実装が可能になる。【選択図】図2

7. 发明专利

JP6386759B2 温度履歴記憶装置审中-公开
公开(公告)号：JP6386759B2
公开(公告)日：2018-09-05
申请号：JP2014055110
申请日：2014-03-18
申请人： KOA株式会社
发明人：廣島安
IPC分类号： G01K11/06

8. 发明专利

JP2017168750A チップ抵抗器およびチップ抵抗器の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017168750A
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：JP2016054408
申请日：2016-03-17
申请人： KOA株式会社
发明人：高橋健 , 廣島安 , 中村卓裕 , 竹田亮
IPC分类号： H01C1/012 , H01C17/065 , H01C7/00
摘要：【課題】アルミナ基板の表面状態に関係なく抵抗体を精密に形成することができると共に、抵抗体がクラックによって破壊されてしまうことを防止できるチップ抵抗器と、その製造方法を提供する。【解決手段】本発明のチップ抵抗器は、直方体形状のアルミナ基板1と、アルミナ基板1の表面全体を覆う平坦化層2と、平坦化層2の表面上に設けられた抵抗体3と、抵抗体3の両端部に接続する一対の表電極4とを備えており、この平坦化層2がシリカガラスに粒径2.5μm以下のアルミナ粒子を含有させたものからという構成にした。【選択図】図2

9. 发明专利

JP2017168749A チップ抵抗器およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017168749A
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：JP2016054406
申请日：2016-03-17
申请人： KOA株式会社
发明人：高橋健 , 廣島安 , 中村卓裕 , 竹田亮
IPC分类号： H01C17/00 , H01C7/00
摘要：【課題】アルミナ基板の表面状態に関係なく抵抗体を精密に形成することができると共に、外部環境の温度変化に起因するクラックの発生を抑えることができるチップ抵抗器と、その製造方法を提供する。【解決手段】本発明のチップ抵抗器は、シリカガラスを0.2%〜3.0%含有するアルミナ基板1と、アルミナ基板1の表面全体を覆う平坦化層2と、平坦化層2の表面上に設けられた抵抗体3と、抵抗体3の両端部に接続する一対の表電極4とを備えており、平坦化層は、アルミナ基板1の表面にシリカガラスからなるガラスコートをコーティングした後、このガラスコートを1300℃〜1600℃で焼成することによって形成されたものである。【選択図】図2

10. 发明专利

JP2015215214A 温度履歴記憶装置审中-公开
标题翻译：温度历史存储设备
公开(公告)号：JP2015215214A
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：JP2014097684
申请日：2014-05-09
申请人： KOA株式会社
发明人：廣島安
IPC分类号： H01C7/04 , G01K11/06
摘要：【課題】測定対象部位が所定の温度を超える温度履歴を経たか否かを簡単に判定可能とする。【解決手段】電流ヒューズ素子(F 1 )と負の温度係数(NTC)を持つNTCサーミスタ素子(NT 1 )との直列回路を含み、前記直列回路に印加される電圧をVとし、前記NTCサーミスタ素子(NT 1 )は、所定温度T c より低い温度で抵抗値R ntl を、前記所定温度T c より高い温度で抵抗値R nth を有し、電流ヒューズ素子(F 1 )の内部抵抗値がR f1 である時、前記電流ヒューズ素子(F 1 )の定格電流I r は、V / (R f1 + R ntl ) r f1 + R nth ) であることを特徴とする温度履歴記憶装置。【選択図】図1A
摘要翻译：要解决的问题：容易地确定测量对象部分是否超过规定温度的温度历史。解决方案：温度历史存储装置包括具有电流熔丝元件（F）的串联电路和具有负温度系数（NTC）的NTC热敏电阻元件（NT）。施加到串联电路的电压由V表示.NTC热敏电阻元件（NT）具有低于规定温度T的温度的电阻值Rin，以及高于规定温度T的温度的电阻值Rin。当内部电流熔丝元件（F）的电阻值由R表示，电流熔丝元件（F）的额定电流I由V /（R + R）

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