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1. 发明专利

JP5999215B2 ポリシロキサン組成物有权
标题翻译：聚硅氧烷组合
公开(公告)号：JP5999215B2
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：JP2015056994
申请日：2015-03-19
申请人： JSR株式会社
发明人：庵野祐亮 , 森隆 , 出井慧 , 高梨和憲
IPC分类号： C08K5/16 , H01L21/027 , C08L83/04

2. 发明专利

JP5765298B2 レジストパターン形成方法有权
公开(公告)号：JP5765298B2
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：JP2012135049
申请日：2012-06-14
申请人： JSR株式会社
发明人：庵野祐亮 , 森隆 , 榊原宏和 , 古川泰一 , 高梨和憲 , 田中博允 , 峯岸信也
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/038 , H01L21/027 , G03F7/11

3. 发明专利

JP2017044872A 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法审中-公开
标题翻译：辐射敏感树脂组合物和抗蚀图案形成方法
公开(公告)号：JP2017044872A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015167268
申请日：2015-08-26
申请人： JSR株式会社
发明人：望田憲嗣 , 森隆
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/039
摘要：【課題】混在パターンにおける焦点深度、露光余裕度、レジストパターンの抜け性及び現像欠陥抑制性に共に優れる感放射線性樹脂組成物の提供。【解決手段】酸解離性基を有する複数の重合体と、下記式(2)で表される感放射線性酸発生体とを含有する感放射線性樹脂組成物であって、上記複数の重合体が、重合体ごとに互いに異なる酸解離性基を有し、上記複数の重合体のうち少なくとも2種の重量平均分子量が互いに異なり、上記複数の重合体における重量平均分子量の最大値と最小値との差が2,000以上であり、重量平均分子量が最小である重合体の上記複数の重合体全体に対する含有量が50質量%以上であることを特徴とする。上記重合体ごとに互いに異なる酸解離性基が単環の環構造を含むとよい。上記複数の重合体において、重量平均分子量が最小である重合体の重量平均分子量としては、2,000以上10,000以下が好ましい。【選択図】なし
摘要翻译：焦点混合图案的深度，提供在抗蚀剂图案的显影缺陷抑制的曝光宽容度，可除去性和兼具优异的放射线敏感性树脂组合物。多个具有酸解离性基团的聚合物的，含有由下式表示的辐射敏感酸发生剂的放射线敏感性树脂组合物（2），所述多个聚合物的但具有不同的酸不稳定基团的每个聚合物，不同重均分子量的至少两个，所述多个聚合物的彼此的，最大值和重均分子量在多个聚合物的最小值差不小于2,000，相对于所述内容到所述全部多个重均分子量的聚合物的最小等于或小于50重量％。对于每个体聚合不同的酸解离性基团可包括一个单环结构。在多种聚合物，所述聚合物的重均分子量的重均分子量是最小的，优选为2,000〜10,000。系统技术领域

4. 发明专利

JP5938989B2 多層レジストプロセス用無機膜形成組成物及びパターン形成方法有权
标题翻译：无机膜形成用组合物及图案形成方法用于多层抗蚀剂工艺
公开(公告)号：JP5938989B2
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：JP2012078446
申请日：2012-03-29
申请人： JSR株式会社
发明人：高梨和憲 , 滝本嘉夫 , 森隆 , 栗田俊輔 , 元成正之
IPC分类号： G03F7/26 , G03F7/32 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027 , G03F7/11

5. 发明专利

JP6060590B2 レジストパターン形成方法有权
标题翻译：一种抗蚀剂图案形成方法
公开(公告)号：JP6060590B2
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：JP2012211593
申请日：2012-09-25
申请人： JSR株式会社
发明人：田中博允 , 高梨和憲 , 峯岸信也 , 森隆 , 瀬古智昭 , 鈴木準也
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/038 , G03F7/26 , H01L21/027 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/0751 , G03F7/091 , G03F7/325

6. 发明专利

JP5873622B2 シリコン含有膜形成用組成物及びシリコン含有膜並びにパターン形成方法有权
标题翻译：膜形成组合物和所述含有硅的膜和图案形成方法含硅
公开(公告)号：JP5873622B2
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：JP2010053791
申请日：2010-03-10
申请人： JSR株式会社
发明人：河津智晴 , 田中正人 , 森隆 , 高梨和憲 , 保田慶友
IPC分类号： G03F7/26 , H01L21/027 , H01L21/3065 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/0752 , C08G77/04 , G03F7/0757 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/30 , G03F7/36 , C08G77/80

7. 发明专利

JP5691538B2 仮固定用組成物、仮固定材、基材の処理方法、および半導体素子有权
标题翻译：临时固定组合物中，临时固定材料，基板的处理方法，和半导体元件
公开(公告)号：JP5691538B2
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：JP2011006127
申请日：2011-01-14
申请人： JSR株式会社
发明人：宮松隆 , 河口和雄 , 後藤宏文 , 奥田隆一 , 高松信博 , 高橋誠一郎 , 廣昭人 , 森隆 , 高村はづき
IPC分类号： H01L21/3065 , C09J11/00 , C09J163/00 , C09J171/00 , C09J201/00 , C09J7/02 , H01L21/301 , H01L21/304 , C09J181/06

8. 发明专利

JP6540375B2 感放射線性樹脂組成物及びレジストパターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6540375B2
公开(公告)日：2019-07-10
申请号：JP2015167268
申请日：2015-08-26
申请人： JSR株式会社
发明人：望田憲嗣 , 森隆
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/039

9. 发明专利

JPWO2017033639A1 基材の処理方法、仮固定用組成物および半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017033639A1
公开(公告)日：2018-06-07
申请号：JP2017536691
申请日：2016-07-22
申请人： JSR株式会社
发明人：丸山洋一郎 , 森隆 , 水野光
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02 , H01L21/304
摘要： [課題]仮固定材を介して支持体上に基材を仮固定した状態で基材の加工・移動処理を行う方法において、支持体から基材を分離した後に基材上に残る接合層を、剥離および/または溶剤洗浄により容易に除去することができる、基材の処理方法を提供する。[解決手段]支持体と仮固定材と基材とを有する積層体であって、前記仮固定材が、前記基材における支持体側の面と接し、且つポリベンゾオキサゾール前駆体およびポリベンゾオキサゾールから選ばれる少なくとも1種の重合体を含有する組成物から形成された仮固定材層(I)と、前記層(I)における支持体側の面上に形成され、且つ光吸収剤を含有する仮固定材層(II)とを有する仮固定材である積層体を形成する工程;前記基材を加工し、および/または前記積層体を移動する工程;前記層(II)に光を照射する工程;前記支持体から前記基材を分離する工程;ならびに前記層(I)を前記基材から除去する工程をこの順で有する基材の処理方法。

10. 发明专利

JP6146305B2 パターン形成方法有权
公开(公告)号：JP6146305B2
公开(公告)日：2017-06-14
申请号：JP2013538506
申请日：2012-10-02
申请人： JSR株式会社
发明人：香村和彦 , 峯岸信也 , 森隆 , 保田慶友 , 滝本嘉夫 , 中藤慎也 , 木村徹
IPC分类号： G03F7/26 , H01L21/027 , G03F7/11
CPC分类号： H01L21/3081 , G03F7/094 , H01L21/02164 , H01L21/0271 , H01L21/033 , H01L21/31116 , H01L21/31138

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