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    • 2. 发明专利
    • 電圧バランス補正回路
    • 电压平衡校正电路
    • JP2016189665A
    • 2016-11-04
    • JP2015068851
    • 2015-03-30
    • FDK株式会社
    • 宮崎 真鶴福井 規生
    • H01M10/48H01M10/44H02M3/28H02J7/02
    • H01M10/44H01M10/48H02J7/02H02M3/28
    • 【課題】高い汎用性及びスケーラビリティを有する電圧バランス補正回路を提供する。 【解決手段】本発明の電圧バランス補正回路は、直列に接続された複数の蓄電セルB1〜Bnに一対一で対応する複数の電圧補正回路11〜1nと、複数の蓄電セルB1〜Bnの電圧に基づいて複数の電圧補正回路11〜1nを制御する制御回路10と、を備え、複数の電圧補正回路11〜1nは、対応する蓄電セルB1〜Bnに並列に接続される第1コイルL11〜L1nと、その蓄電セルB1〜Bnに対する第1コイルL11〜L1nの接続を制御回路10の制御によってON/OFFする電界効果トランジスタQ1〜Qnと、第1コイルL11〜L1nと磁気的に結合する第2コイルL21〜L2nと、を含み、複数の電圧補正回路11〜1nは、第2コイルL21〜L2nが並列に接続されている。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供具有高通用性和可扩展性的电压平衡校正电路。解决方案:电压平衡校正电路包括与多个蓄电单元一一对应的多个电压校正电路11-1n B1-Bn,以及控制电路10,用于根据多个蓄电单元B1-Bn的电压来控制多个电压校正电路11-1n。 多个电压校正电路11-1n包括用于与相应的蓄电单元B1-Bn并联连接的第一线圈L11-L1n,用于使第一线圈L11-L1n与电源的连接接通/断开的场效应晶体管Q1-Qn 通过控制电路10的控制存储单元B1-Bn以及与第一线圈L11-L1n磁耦合的第二线圈L21-L2n。 多个电压校正电路11-1n与第二线圈L21-L2n并联连接。图1
    • 3. 发明专利
    • 絶縁型スイッチング電源
    • 绝缘类型开关电源
    • JP2016165176A
    • 2016-09-08
    • JP2015044458
    • 2015-03-06
    • FDK株式会社
    • ▲浜▼田 健志長葭 友之佐藤 匡福井 規生
    • H01F30/00H01F17/00H01F27/06H01F17/04H05K1/16H02M3/28
    • H01F30/10H02M3/28H05K1/16Y02B70/1491
    • 【課題】小型でスイッチング損失が少ない絶縁型スイッチング電源を低コストで提供する。 【解決手段】本発明の絶縁型スイッチング電源は、絶縁トランスT1を構成する一次巻線L11がパターンで形成された第1回路基板10と、絶縁トランスT1を構成する二次巻線L21、L22がパターンで形成されており、二次巻線パターン部22が第1回路基板10の一次巻線パターン部12に所定の間隔Gをもって対向するように配置された第2回路基板20と、第1回路基板10の一次巻線L11及び第2回路基板20の二次巻線L21、L22に挿通されて絶縁トランスT1を構成する磁性体からなるコア30と、を備える。 【選択図】図3
    • 要解决的问题:以低成本提供紧凑型和低损耗绝缘型开关电源。解决方案:绝缘型开关电源包括:形成有构成隔离变压器T1的初级线圈L11的第一电路板10 与图案; 构成隔离变压器T1的次级线圈L21,L22形成有图案的第二电路基板20,并且具有以规定间隙G配置为与第一电路基板10的初级线圈图案部12相对的次级线圈图案部22 ; 以及由磁性物质构成并插入到第一电路板10的初级线圈L11和第二电路板20的次级线圈L21,L22中的芯30,以构成隔离变压器T1。图3
    • 6. 发明专利
    • スイッチング電源装置
    • JP2019115207A
    • 2019-07-11
    • JP2017248098
    • 2017-12-25
    • FDK株式会社
    • ▲濱▼田 健志佐藤 匡福井 規生
    • H02M3/28
    • 【課題】電流不連続モードにおいてもデッドタイムを適切に設定することにより変換効率の低下を抑制すること。 【解決手段】スイッチング電源装置1は、絶縁トランスTrと、入力された直流電力を交流電力に変換して一次側コイルL11に出力するフルブリッジ回路10と、二次側コイルL21、L22から入力される交流電力を直流電力に変換して出力する出力回路20と、出力回路20が出力する電圧に基づいて位相シフト方式によりフルブリッジ回路10を制御する制御回路30と、を備え、制御回路30は、出力回路20が出力する電圧及び電流の少なくとも一方から求まる位相シフト量T ON の計測値が、電流連続モードを仮定した場合の位相シフト量T ON の理論値よりも小さい場合に、計測値と理論値との差に応じてフルブリッジ回路10のデッドタイムT dAB を長くする。 【選択図】図1