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1. 发明专利

KR20210032891A KR20210032891A - Semiconductor device 审中-公开
公开(公告)号：KR20210032891A
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：KR1020200076316A
申请日：2020-06-23
申请人： 삼성전자주식회사
发明人： 김성길 , 서주연 , 양한빛
IPC分类号： H01L27/11582 , H01L21/768 , H01L25/065 , H01L27/1157
CPC分类号： H01L27/11582 , H01L21/76877 , H01L25/0657 , H01L27/1157
摘要： 본 발명의 실시예에 따른 반도체 장치는, 기판, 상기 기판 상에 배치되며, 서로 이격되어 적층되는 제1 게이트 전극들 및 상기 제1 게이트 전극들과 교대로 적층되는 제1 층간 절연층들을 포함하는 제1 적층 구조물, 상기 제1 적층 구조물 상에 배치되며, 상기 제1 층간 절연층들의 유전상수보다 더 높은 유전상수를 가지는 금속산화물층 및 반도체 산화물을 포함하는 반도체산화물층을 포함하는 연결 구조물, 상기 연결 구조물 상에 배치되고, 서로 이격되어 적층되는 제2 게이트 전극들 및 상기 제2 게이트 전극들과 교대로 적층되는 제2 층간 절연층들을 포함하는 제2 적층 구조물, 상기 제1 적층 구조물, 상기 제2 적층 구조물, 및 상기 연결 구조물 각각을 관통하는 제1 채널 구조물, 제2 채널 구조물, 및 연결 채널 구조물을 포함하는 채널 구조물, 및 상기 제1 적층 구조물, 상기 제2 적층 구조물, 및 상기 연결 구조물 각각을 관통하며, 상기 기판 상면의 수평 방향으로 연장되는 제1 분리 영역, 제2 분리 영역, 및 제3 분리 영역을 포함하는 분리 영역을 포함하고, 상기 연결 채널 구조물은 상기 제1 채널 구조물의 상단의 제1 폭보다 크고, 상기 제2 채널 구조물의 하단의 제2 폭보다 큰 제3 폭을 가지고, 상기 제3 분리 영역은 상기 연결 채널 구조물의 상기 제3 폭, 상기 제1 분리 영역 상단의 제4 폭, 및 상기 제2 분리 영역 하단의 제5 폭보다 큰 제6 폭을 가진다.

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