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1. 发明专利

JP2015079881A Cu2O膜をp−型の半導体層として具備する半導体素子の構造とその作製方法审中-公开
标题翻译：具有氧化铝膜的P型半导体层的半导体器件的结构及其制造方法
公开(公告)号：JP2015079881A
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：JP2013216597
申请日：2013-10-17
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所
发明人：野田周一 , 島久 , 秋永広幸
IPC分类号： C23C14/08 , H01L31/06
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：【課題】様々な材質の基板上にCu 2 O膜を堆積することが可能で、膜の形成プロセス温度を大幅に低減し、高温の時と同様の性能が期待できる太陽電池素子等の半導体素子の構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】Cu 2 O膜4をp-型の半導体層として具備し、Cu 2 O膜4は、各結晶粒の結晶面配向方向が一方向にのみに選択された、厚みが100〜1000nmの多結晶膜であり、該多結晶膜を構成する結晶粒は、その80%以上が該多結晶膜の両面に露出する半導体素子。基板上1に、仕事関数の値がCu 2 Oのそれと同等以上の値を持つ金属膜3を形成する金属膜形成工程、金属膜3の直上に、p-型の半導体層となるCu 2 O膜4を室温〜400℃の温度で堆積するCu 2 O膜4堆積工程、及び、酸素分圧を0.1〜10Paの範囲に調整しながら400℃〜600℃の熱処理しCu 2 O膜4の再結晶化を行う再結晶化熱処理工程を少なくとも含む作製方法。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供：能够将CuO膜沉积在各种材料的基板上的诸如太阳能电池装置的半导体装置的结构以及用于成膜的工艺温度的大幅降低，并且预期能够提供与高温相同的性能; 以及制造这种半导体器件结构的方法。解决方案：半导体器件包括：作为p型半导体层的CuO膜4。 CuO膜4由厚度为100〜1000nm的多晶膜构成，其中晶粒的晶面的取向方向仅选择一个方向。形成多晶膜的至少80％的晶粒从多晶膜的两个表面露出。一种制造半导体器件的方法至少包括以下步骤：形成金属膜; 沉积CuO膜4; 并进行再结晶的热处理。在形成金属膜的步骤中，在基板1上形成具有与CuO相当或更大的功函数的金属膜3.在沉积CuO膜的步骤中，形成CuO膜的CuO膜4 p型半导体层直接在室温下直接沉积在金属膜3上至400℃的温度。在进行再结晶热处理的工序中，通过在400℃〜600℃进行热处理，同时将氧分压控制在0.1-10Pa的范围内，CuO膜4再结晶。

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