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3. 发明专利

JP2018195689A 熱処理装置および熱処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018195689A
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：JP2017097969
申请日：2017-05-17
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：大森麻央 , 伊藤隆 , 西出信彦
IPC分类号： H01L21/26
CPC分类号： H01L22/26 , H01L21/248 , H01L21/324 , H01L21/67017 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L21/67288 , H01L21/68707 , H01L21/6875
摘要：【課題】ガス配管からのガス漏れを確実に検出することができる熱処理装置および熱処理方法を提供する。【解決手段】窒素ガスを送給する不活性ガス配管91には第1マスフローコントローラ94が設けられる。アンモニアを送給する反応性ガス配管92には第2マスフローコントローラ95が設けられる。不活性ガス配管91と反応性ガス配管92との合流部位と半導体ウェハーを処理するチャンバー6とは合流配管93によって連通接続される。合流配管93にはマスフローメータ98が設けられる。検出部31は、第1マスフローコントローラ94によって制御された窒素の流量および第2マスフローコントローラ95によって制御されたアンモニアの流量の合計値とマスフローメータ98によって得られた処理ガスの流量の測定値とを比較してガス漏れを検出する。【選択図】図8

5. 发明专利

JP2017139313A 熱処理用サセプタおよび熱処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017139313A
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：JP2016018807
申请日：2016-02-03
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：西出信彦
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/683 , H01L21/26
CPC分类号： H01L21/67115 , F27D11/00 , H01L21/3242 , H01L21/68735
摘要：【課題】簡易な構成にて基板支持体の破損を防止することができる熱処理用サセプタおよび熱処理装置を提供する。【解決手段】サセプタに設けられた複数の基板支持部77のそれぞれが球面の頂上部に保持プレート75の保持面75aと平行な平面である支持面77aを形成した外周面を有する。フラッシュ光照射によって半導体ウェハーが表面を凸面とするように急激に反ったときにも、半導体ウェハーの裏面が複数の基板支持部77に対して滑らかに擦れることとなり、基板支持部77の欠けや破損を防止することができるとともに、半導体ウェハーの裏面に傷が生じるのを防止することもできる。また、かかる形状の外周面を有する基板支持部77であれば、保持プレート75に如何なる向きに設けても良いため、基板支持部77に関するサセプタの製作、検査、管理は容易なものとなる。【選択図】図9

10. 发明专利

JP2018195686A 熱処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2018195686A
公开(公告)日：2018-12-06
申请号：JP2017097881
申请日：2017-05-17
申请人：株式会社SCREENホールディングス
发明人：西出信彦 , 上村拓也
IPC分类号： H01L21/26
CPC分类号： H01L21/67115
摘要：【課題】チャンバー内に供給する処理ガスの流量を増大させても均一に処理ガスを供給することができる熱処理装置を提供する。【解決手段】チャンバー6の外部から供給された窒素ガスは円環形状の第1バッファ95に流れ込んでガスリング90の周方向に沿って均等に拡散する。第1バッファ95に満たされた窒素ガスは、第1バッファ95よりも容積の大きな第2バッファ96に流入し、ガスリング90の周方向に沿ってさらに均等に拡散する。第2バッファ96に満たされた窒素ガスは、ラビリンス部97に流入し、ガスリング90の径方向に沿って内側から外側に向けてラビリンス部97の屈曲した流路を流れることにより、窒素ガスの流速は低下する。ラビリンス部97から流出した窒素ガスは吐出流路99に流れ込んでガスリング90の径方向に沿って外側から内側に向けて流れ、ガス吐出口81から吐出される。【選択図】図12

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