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1. 发明专利

JP6661514B2 n型熱電変換材料及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6661514B2
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：JP2016217658
申请日：2016-11-07
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社
发明人：間広文 , 旭良司 , 佐伯優美 , 須藤裕之 , 木下洋平 , 山本栄也
IPC分类号： H01L35/34 , C22C12/00 , C22C1/04 , B22F3/24 , B22F9/08 , H01L35/16

2. 发明专利

JP2018078154A n型熱電変換材料及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018078154A
公开(公告)日：2018-05-17
申请号：JP2016217658
申请日：2016-11-07
申请人：株式会社豊田中央研究所 , トヨタ自動車株式会社
发明人：間広文 , 旭良司 , 佐伯優美 , 須藤裕之 , 木下洋平 , 山本栄也
IPC分类号： H01L35/34 , C22C12/00 , C22C1/04 , B22F3/24 , B22F9/08 , H01L35/16
摘要：【課題】n型Bi 2 Te 3 相からなるマトリックス粒子の粒内にGa 2 Te 3 相からなる分散粒子が均一、かつ、微細に分散しているn型熱電変換材料、及びその製造方法を提供すること。【解決手段】熱電変換材料は、n型Bi 2 Te 3 系熱電変換材料を主相とし、前記主相は、n型Bi 2 Te 3 相からなるマトリックス粒子と、前記マトリックス粒子の粒内に分散しているGa 2 Te 3 相からなる分散粒子とを備えている。分散粒子の平均最小幅は1μm以下、分散粒子の分散度は1以下である。このn型熱電変換材料の300Kでの熱電特性をJonkerプロットにより解析した時に、b>648.24[μV/K]を満たす。このようなn型熱電変換材料は、原料の溶湯を急冷凝固させ、急冷凝固させた粉末を焼結させ,焼結体をアニール処理することにより得られる。【選択図】図1

3. 发明专利

JP6314812B2 n型熱電材料有权
公开(公告)号：JP6314812B2
公开(公告)日：2018-04-25
申请号：JP2014252207
申请日：2014-12-12
申请人：株式会社豊田中央研究所
发明人：松原賢東 , 旭良司
IPC分类号： H01L35/34 , C22C12/00 , H01L35/18
CPC分类号： H01L35/34 , B22F2998/10 , C22C1/04 , C22C12/00 , C22C19/07 , H01L35/18 , B22F9/04 , B22F3/105

4. 发明专利

JP5888240B2 化合物半導体有权
标题翻译：化合物半导体
公开(公告)号：JP5888240B2
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：JP2012547789
申请日：2011-11-29
申请人：株式会社豊田中央研究所
发明人：名兒耶彰洋 , 旭良司 , 深野達雄 , 間広文 , 佐伯優美 , 下俊久 , 合田信弘 , 中川敏
IPC分类号： H01L31/06 , C01G19/00
CPC分类号： H01L31/032 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02568 , H01L21/02631 , H01L31/0326 , Y02E10/542

5. 发明专利

JP2015156476A n型熱電材料有权
标题翻译： N型热电材料
公开(公告)号：JP2015156476A
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：JP2014252207
申请日：2014-12-12
申请人：株式会社豊田中央研究所
发明人：松原賢東 , 旭良司
IPC分类号： H01L35/34 , C22C12/00 , H01L35/18
CPC分类号： H01L35/34 , C22C1/04 , C22C12/00 , C22C19/07 , H01L35/18 , B22F2998/10
摘要：【課題】充填スクッテルダイト(R x Co 4 Sb 12 )系化合物からなる新規なn型熱電材料を提供すること。【解決手段】n型熱電材料は、(A a B b C c D t )Co 4-y Fe y Sb 12 で表される組成を有する。但し、0≦a≦0.5、0≦b≦0.7、0

0。元素Aは、Mg、Ca、Sr、及び/又は、Ba。元素Bは、Y、Sc、及び/又は、La〜Lu。元素Cは、Al、Ga、及び/又は、In。元素Dは、Zn及び/又はTi。A
a B
b C
c D
t (=R
x )は、R
x =[Ba
d A'
1-d ]
a [Yb
e B'
1-e ]
b [In
f C'
1-f ]
c D
t を満たす。但し、0

0。元素A'は、Ba以外の元素A。元素B'は、Yb以外の元素B。元素C'は、In以外の元素C。n型熱電材料は、合計5種類以上の元素A〜元素Dを含む。
【選択図】図2
摘要翻译： n型热电材料具有由（A a B b C c D t）CO 4-y Fe y Sb 12表示的组成。在组成中，0‰¤a‰¤0.5,0‰¤b‰¤0.7，0 0; 元素A是Mg，Ca，Sr和/或Ba; 元素B是Y，Sc和/或La到Lu; 元素C是Al，Ga和/或In; 元素D是Zn和/或Ti。 A a B b C c D t（= R x）满足R x = [Ba d A'1-d] a [Yb e B 1-e] b [In f C'1-f] c D t 。在公式中，0 0; 元素A'是Ba以外的元素A; 元素B'是不同于Yb的元素B; 而元素C'是In以外的元素C. n型热电材料与元件D的元素A总共包含五种以上。

6. 发明专利

JP2021190206A リチウムイオン伝導体审中-公开
公开(公告)号：JP2021190206A
公开(公告)日：2021-12-13
申请号：JP2020091915
申请日：2020-05-27
申请人：株式会社豊田中央研究所
发明人：旭良司 , イジュフィ
IPC分类号： H01B1/06 , H01B1/08 , C01G31/00 , C01G33/00 , C01G35/00 , C01G28/02 , C01G30/02 , C01G29/00 , H01M10/0562
摘要：【課題】室温において高い伝導度を示す新規なリチウムイオン伝導体を提供すること。【解決手段】リチウムイオン伝導体は、一般式:ALi 6+s (X 1-t Z t )O 6+δ で表される組成を有する(但し、KLi 6 BiO 6 を除く)。但し、A(+1価)はK及び/又はRb、X(+5価)はV、Nb、Ta、As、Sb、及びBiからなる群から選ばれるいずれか1以上の元素、Z(+4価)はSi、Ni、Se、Mn、Co、Ge、Cr、V、Fe、Rh、Ti、Pd、Ru、Ir、Pt、Re、Os、Mo、W、Nb、Ta、Sn、Hf、Zr、Tb、Pb、Pr、及びCeからなる群から選ばれるいずれか1以上の元素、0≦s 【選択図】図3

7. 发明专利

JP2020184408A 酸化物イオン伝導体及び電気化学デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2020184408A
公开(公告)日：2020-11-12
申请号：JP2019086463
申请日：2019-04-26
申请人：株式会社豊田中央研究所
发明人：旭良司 , イジュフィ , 田島伸
IPC分类号： C01G17/00 , C04B35/01 , H01B1/08 , H01B1/06
摘要：【課題】新規な酸化物イオン伝導体及びこれを用いた電気化学デバイスを提供すること。【解決手段】酸化物イオン伝導体は、X 3 Z 2 (TO 4 ) 3 ガーネット構造を備え、組成式:(X 1-x A x ) 3 (Z 1-y B y ) 2 (T 1-z C z ) 3 O 12+δ で表される組成を有する。但し、元素X(+2価)は、Mg、Ca、Sr、Ba、及び/又はCd、元素Z(+3価)は、Sc、Y、Al、Ga及び/又はIn、元素T(+4価)は、Si、Ge及び/又はSn、元素A(+3価)は、8配位での元素Xとのイオン半径差が15%以下である金属元素、元素B(+4価)は、6配位での元素Zとのイオン半径差が15%以内である金属元素、元素C(+5価)は、4配位での元素Tとのイオン半径差が15%以内である金属元素、0≦x≦0.2、0≦y≦0.2、0≦z≦0.2、δは電気的中性が保たれる値。電気化学デバイスは、このような酸化物イオン伝導体を用いたものからなる。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2019163193A 酸化物イオン伝導体及び電気化学デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2019163193A
公开(公告)日：2019-09-26
申请号：JP2018052848
申请日：2018-03-20
申请人：株式会社豊田中央研究所
发明人：松原賢東 , 鈴村彰敏 , 田島伸 , 大庭伸子 , 梶田晴司 , 旭良司
IPC分类号： H01M8/1246 , H01M8/1253 , H01B1/08 , H01B1/06 , C04B35/495 , C01G35/00 , C01G33/00 , C01G29/00 , C25B13/04 , G01N27/02 , C04B35/453
摘要：【課題】低温において作動させることが可能な、新規な酸化物イオン伝導体、及びこれを用いた電気化学デバイスを提供すること。【解決手段】酸化物イオン伝導体は、Bi x (Nb 1-a-b Ta a A b ) 1-x-c B c O δ で表される組成を有する酸化物からなる。但し、Aは、Ti、Zr、及びGaからなる群から選ばれるいずれか1以上の元素、Bは、1種又は2種以上の第2族元素、0
【選択図】図2

9. 发明专利

JP2019151541A 酸化物イオン伝導体及び電気化学デバイス审中-公开
公开(公告)号：JP2019151541A
公开(公告)日：2019-09-12
申请号：JP2018180928
申请日：2018-09-26
申请人：株式会社豊田中央研究所
发明人：大庭伸子 , 梶田晴司 , 鈴村彰敏 , 田島伸 , 旭良司
IPC分类号： C04B35/50 , H01B1/06 , C04B35/01
摘要：【課題】低温で作動させることが可能な酸化物イオン伝導体、及びこれを用いた電気化学デバイスの提供。【解決手段】酸化物イオン伝導体は、AMX 2 O 6 構造(Aは1価、Mは3価、Xは4価)を備えた酸化物からなり、(A 1-x B x )(M 1-y C y )(X 1-z D z ) 2 O 6±δ で表される組成を有する。但し、Aは、Li、Na、K、Rb、及び/又はCs、Mは、Al、Ga、In、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Sc、及び/又はY、Xは、Ge、Si、及び/又はSn、Bは、Li、Na、K、Rb、Cs、Cu、及び/又はBa、Cは、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Ga、In、Sc、Y、Ba、Sr、及び/又はCa、Dは、Ge、Si、Al、Ga、及び/又はSn、0≦x≦0.2、0≦y≦0.2、0≦z≦0.2、δは、電気的中性が保たれる値。【選択図】図1

10. 发明专利

JP6848906B2 コーティング液及び熱電部材の製造方法有权
公开(公告)号：JP6848906B2
公开(公告)日：2021-03-24
申请号：JP2018043780
申请日：2018-03-12
申请人：株式会社豊田中央研究所
发明人：松原賢東 , 佐伯優美 , 旭良司
IPC分类号： C09D7/63 , H01L35/34 , C09D1/00

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