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1. 发明专利

JP6091773B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6091773B2
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：JP2012132383
申请日：2012-06-11
申请人：株式会社東芝 , JSR株式会社
发明人：南幅学 , 側瀬聡文 , 江田元 , 松井之輝 , 加茂理 , 西口直希 , 前川亜耶子
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B53/017 , B24B37/042 , B24B37/24 , B24B37/26 , B24B53/095

2. 发明专利

JP2017045825A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体设备
公开(公告)号：JP2017045825A
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015166575
申请日：2015-08-26
申请人：株式会社東芝
发明人：吉水康人 , 側瀬聡文 , 渡邉桂 , 荒井伸也
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/115
CPC分类号： H01L27/11582 , H01L21/30604 , H01L21/764 , H01L21/76897 , H01L23/53295
摘要：【課題】空隙を介して対向する電極膜間の高い耐圧を確保できる半導体装置を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体装置は、積層体100は、第1空隙40を介して積層された複数の電極膜70を有する。第2空隙STは、積層体100の積層方向に延び、積層体100を積層方向に対して交差する第1方向に分離し、第1空隙40に通じている。第1絶縁膜48は、積層体100の上に設けられ、第2空隙STの上端を覆う。電荷蓄積膜32を有する積層膜30は、電極膜70の側面と、電極膜70の側面に対向する半導体膜20の側面との間に設けられ、電極膜70の側面および半導体膜20の側面に接している。【選択図】図2
摘要翻译：一种半导体装置，能够经由间隙确保对置电极膜之间的高耐受电压。根据一个实施例，一种半导体器件，燃料电池堆100包括多个电极膜70的层叠有第一空气间隙40。第二间隙ST在层叠体100被分离成第一方向交叉的堆100在堆叠方向上的层叠方向延伸，它会导致在第一空气间隙40。第一绝缘膜48被设置在层叠体100，覆盖第二间隙ST的上端。具有电荷存储膜32和电极膜70的侧表面层叠膜30半导体膜20相反侧的侧表面之间设置在电极膜70中，侧表面和电极膜70的半导体膜20的侧表面我们是在相互接触。 .The

3. 发明专利

JP2016140970A リテーナリング、研磨装置および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：保持器环，抛光装置和半导体器件制造方法
公开(公告)号：JP2016140970A
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：JP2015020854
申请日：2015-02-05
申请人：株式会社東芝
发明人：川崎貴彦 , 松井之輝 , 岩出健次 , 側瀬聡文
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/32
CPC分类号： B24B37/32
摘要：【課題】半導体装置の製造プロセスにおける化学的機械的研磨工程において、従来から問題となっていた摩耗の進行および偏摩耗を、抑制することができるリテーナリングを提供する。【解決手段】研磨テーブル2と、リテーナリング11が取り付けられた研磨ヘッド3を備えた研磨装置1において、リテーナリング11はセラミック材料を含み、前記セラミック材料の破壊靱性は4MPa・m 1/2 以上であることを特徴とする研磨装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够抑制在半导体器件制造工艺中的化学机械抛光步骤中常规解决的磨损和不均匀磨损的保持环。解决方案：提供一种抛光装置1，包括：抛光台2; 以及安装保持环11的抛光头3，包含陶瓷材料的保持环11和陶瓷材料的断裂韧性等于或高于4MPa * m，以及使用抛光装置。选择图：图1

4. 发明专利

JP2016031947A 半導体装置の製造方法および半導体製造装置有权
标题翻译：制造半导体器件的方法和半导体制造装置
公开(公告)号：JP2016031947A
公开(公告)日：2016-03-07
申请号：JP2014152285
申请日：2014-07-25
申请人：株式会社東芝
发明人：松井之輝 , 須黒恭一 , 側瀬聡文 , 川崎貴彦
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31155 , H01J37/3171 , H01L21/31053 , H01L21/3212 , H01L21/3215 , H01J2237/31711
摘要：【課題】被研磨膜の加工精度および生産性を向上させることができる半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。【解決手段】本実施形態による半導体装置の製造方法は、被研磨膜の研磨速度を制御するために該被研磨膜へイオンを注入することにより該被研磨膜の表面を改質する。改質された被研磨膜の表面は、CMP法を用いて研磨される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够提高抛光膜的加工精度和生产率的半导体器件和半导体制造装置的制造方法。解决方案：在根据本实施例的半导体器件的制造方法中，为了控制抛光膜的抛光速度，通过将离子注入抛光膜来重新制备抛光膜。使用CMP方法对抛光膜的改性表面进行抛光。图1：

5. 发明专利

JP2016225526A 半導体装置の製造方法有权
标题翻译：一种制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2016225526A
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：JP2015112109
申请日：2015-06-02
申请人：株式会社東芝
发明人：側瀬聡文 , 松井之輝 , 岩出健次 , 川崎貴彦
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/31111 , H01L21/02167 , H01L21/0217 , H01L21/26506 , H01L21/324 , H01L2221/00
摘要：【課題】処理対象の被処理面へのダメージを抑制しつつ被処理面を平坦化することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施の一形態による半導体装置の製造方法は、凹凸を有する処理対象の凸部分の側壁が露出するように前記凸部分の頂部および凹部分の底部に第1層および第2層をそれぞれ形成する工程と、前記第1層および第2層を含む処理対象に処理液を供給する工程と、触媒を前記第1層と接触または接近させることで前記第1層の前記処理液に対する溶解レートを高めて前記第1層を前記処理液に溶解させる工程と、前記第1層を溶解した後、前記凸部分と前記第2層とを順次に前記処理液中に溶解させる工程と、を持つ。【選択図】図3
摘要翻译：本发明提供了同时抑制到处理过的表面的损坏待加工待加工制造能够平坦的表面的半导体器件的方法。一种用于根据一个实施例的制造半导体器件的方法，在凸部的顶部和凹部的底部上的第一层和第二层，使得所述凸部的侧壁到具有不平坦被处理暴露分别形成，溶解在所述第一层的处理液和供给处理液的步骤，以包含所述第一层和第二层，所述催化剂通过接触来处理或接近于所述第一层在处理溶液中的第一层溶解，以增加的速率，所述第一层溶解之后的步骤，并且在序列处理液向第二层和凸部溶解的步骤中，将用。点域

6. 发明专利

JP5767898B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5767898B2
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：JP2011177208
申请日：2011-08-12
申请人：株式会社東芝
发明人：江田元 , 松井之輝 , 南幅学 , 側瀬聡文
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/015 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/7684 , H01L21/02074 , H01L21/3212 , H01L21/67219

7. 发明专利

JP2016054219A 化学的平坦化方法及び化学的平坦化装置审中-公开
标题翻译：化学平面化方法和化学平面化装置
公开(公告)号：JP2016054219A
公开(公告)日：2016-04-14
申请号：JP2014179438
申请日：2014-09-03
申请人：株式会社東芝
发明人：側瀬聡文 , 松井之輝
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/32134 , H01L21/02019 , H01L21/30625 , H01L21/3105 , H01L21/31051 , H01L21/31055 , H01L21/31056 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/32115 , H01L21/3212 , H01L21/76819 , H01L21/7684
摘要：【課題】被加工面へのダメージを抑制し、効率的に平坦化が可能な化学的平坦化方法および化学的平坦化装置を提供する。【解決手段】一実施形態に係る化学的平坦化方法は、表面に凹凸を有する被加工膜上に凹凸に沿った疎水性の保護膜を形成する工程を備える。保護膜の表面に、被加工膜を溶解する溶解液を供給する。疎水性の表面を有する加工体に保護膜を接触又は接近させ、疎水性相互作用によって保護膜の一部を選択的に被加工膜上から除去する。保護膜の一部が除去された被加工膜を溶解液によって溶解させる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种化学平面化方法和化学平面化装置，其能够有效地平坦化，同时防止损伤待处理的表面。解决方案：化学平面化方法包括以下步骤：在膜上形成疏水性保护膜，沿不规则处理表面上具有不规则性; 在保护膜的表面上提供用于求解待处理膜的溶解液; 通过使保护膜与具有疏水性表面的处理体接触或更接近，通过疏水相互作用选择性地将一部分保护膜从待处理的膜上去除; 并使用解决液体解决要从中除去保护膜的部分的待处理膜。选择图：图1

8. 发明专利

JP5836992B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP5836992B2
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：JP2013057178
申请日：2013-03-19
申请人：株式会社東芝
发明人：松井之輝 , 側瀬聡文 , 南幅学
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/042 , B24B53/017 , B24D5/12 , B24D5/165 , H01L21/31053 , H01L21/31055 , H01L21/7682 , H01L21/7684

9. 发明专利

JP2017059675A 半導体装置の製造方法および半導体製造装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017059675A
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2015183159
申请日：2015-09-16
申请人：株式会社東芝
发明人：側瀬聡文 , 松井之輝 , 川崎貴彦
IPC分类号： H01L21/306
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/32115 , H01L21/67075 , H01L21/6708 , H01L21/67086 , H01L21/68764
摘要：【課題】被加工物の被加工面に研磨ダメージを与えること無く被加工面を平坦化することができる半導体装置の製造方法および半導体製造装置を提供する。【解決手段】実施の一形態による半導体装置の製造方法は、金属を含み凹凸を有する被加工物に処理液を供給する工程と、前記被加工物に第1触媒を接触させて前記被加工物の凹凸表面に酸化膜を形成し、第2触媒と前記酸化膜が形成された凹凸の凸部とを相互に接触または接近させて前記凸部表面の前記酸化膜を前記処理液中に溶出させる工程と、を持つ。【選択図】図2

10. 发明专利

JP2016207973A 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：一种制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2016207973A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2015091948
申请日：2015-04-28
申请人：株式会社東芝
发明人：松井之輝 , 川崎貴彦 , 側瀬聡文 , 岩出健次
IPC分类号： B24B37/10 , B24B37/00 , H01L27/10 , H01L21/321 , H01L21/768 , H01L21/304
CPC分类号： H01L21/31053
摘要：【課題】高精度・低コストでの平坦化を可能にする半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施の一形態による半導体装置の製造方法は、基板上にそれぞれ第1膜が表層に設けられた複数の凸部を離間して形成する工程と、前記凸部間の凹部を埋め込みつつ前記凸部を覆うよう前記第1膜と異なる第2膜を形成する工程と、前記凹部上の前記第2膜の頂面が前記凸部上の前記第2膜の頂面よりも高くなるように処理する工程と、前記凹凸部上の前記第2膜を研磨して前記第1膜を露出させる工程と、を持つ。【選択図】図5
摘要翻译：本发明提供一种制造能够以高精确度和低成本的被平坦化的半导体器件的方法。制造根据A中的实施例的半导体器件的方法包括形成间隔开的多个在其上提供的表面层上的第一层，分别在所述基板上凸部的步骤，嵌入突起之间的凹部从第二层中形成第一层不同，以覆盖凸部，而在凹部的第二层的顶表面比所述第二层的上凸部的顶面更高的具有处理的这样的步骤，通过在不平坦的部分抛光所述第二膜，第一膜暴露的步骤。点域5

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