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1. 发明专利

JP2015115599A パターン形成方法审中-公开
标题翻译：绘图方法
公开(公告)号：JP2015115599A
公开(公告)日：2015-06-22
申请号：JP2014030486
申请日：2014-02-20
申请人：株式会社東芝
发明人：松永健太郎 , 寺尾匡史 , 米田栄仁
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L27/105 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , B82Y40/00 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/2024 , G03F7/0002
摘要：【課題】物理ガイドにDSA(Directed self−assembly)の相分離を用いて微細パターンを形成する場合に、DSAの相分離が不均一なことが原因と考えられる欠陥、または相分離したパターンのCD均一性の劣化を抑制できるパターン形成方法を提供する。【解決手段】加工対象上にガイドパターン15を形成し、ついで、ガイドパターンに対して表面改質処理を施す。その後、ガイドパターンを形成した加工対象上に、ブロックコポリマー16を含む溶液を塗布し、加工対象上でブロックコポリマーを相分離させる。ついで、相分離したブロックコポリマーの一方の成分を現像処理によって除去する。そして、ブロックコポリマーの他方の成分で被覆されたガイドパターンをマスクとして、加工対象をパターニングする。【選択図】図1−1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种图形化方法，当通过DSA的相分离形成微细图案时，能够抑制DSA的不均匀相分离的检测或相分离图案的CD均匀性的劣化（定向自组装）在物理指南中。解决方案：在加工对象上形成引导图案15，并进行表面改性。随后，在其上形成有引导图案的处理对象然后用含有嵌段聚合物16的溶液涂布，并且将嵌段聚合物在被处理物体上进行相分离。然后，通过显影除去进行相分离的嵌段聚合物的一种成分。最后，使用由块状聚合物的其他成分覆盖的导向图案作为掩模来对被处理物进行图案化。

2. 发明专利

JP5971561B2 パターン形成方法およびパターン形成装置有权
标题翻译：图案形成方法及图案形成装置
公开(公告)号：JP5971561B2
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：JP2013014360
申请日：2013-01-29
申请人：株式会社東芝
发明人：松永健太郎 , 小峰信洋 , 米田栄仁
IPC分类号： B29C59/02 , H01L21/027
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002 , H01L21/0273

3. 发明专利

JP2016051792A パターン形成方法有权
标题翻译：绘图方法
公开(公告)号：JP2016051792A
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：JP2014175888
申请日：2014-08-29
申请人：株式会社東芝
发明人：中岡園江 , 松永健太郎 , 米田栄仁
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/28 , G11B5/84 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/38 , G03F1/0046 , G03F1/144 , G03F7/004 , G03F7/2016 , H01L21/0271 , H01L21/0274
摘要：【課題】少ない工程数でサイズの異なる複数のデバイスパターンを形成する方法を提供すること。【解決手段】実施形態によれば、まず、被加工膜L2の上に、開口パターン6と、開口パターン6よりも浅い開口パターン7と、を有するガイドパターン5を形成する。次に、開口パターン6,7に自己組織化材料であるDSA材料9を充填するとともに、開口パターン7でのDSA材料9の膜厚T4を、開口パターン6でのDSA材料9の膜厚T3より小さくする。次に、開口パターン6,7内で、DSA材料9を相9a,9bに相分離させる。次に、相9bを残すとともに相9aを除去することによって、開口パターン6,7内の相9bで開口パターン8を形成する。その後、開口パターン7,8の上からの被加工膜L2に対する1度のエッチングによって、開口パターン7内に充填されたDSA材料9を除去して開口パターン7内の開口パターン8を消滅させ、開口パターン7,8を被加工膜L2に転写する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于以少量步骤形成不同尺寸的多个装置图案的方法。首先，具有开口图案6的导向图案5和比开口更浅的开口图案7 图案6形成在处理膜L2上。接下来，打开图案6,7用DSA材料9填充，即自组织材料，并且开口图案7中的DSA材料9的厚度T4被制成小于DSA材料9的厚度T3 接下来，将DSA材料9分离成开口图案6,7中的相位9a，9b。接下来，通过使开放图案6,7中的相位离开相位，形成开口图案8的开口图案8 9b，并移除相位9a。此后，通过在传送开口图案7,8之前，通过从开口图案7,8的上方去除处理膜L2的单一蚀刻，去除填充开口图案7的DSA材料9而熄灭开口图案7。到处理膜L2。选择图：图2

4. 发明专利

JP2015088667A 微細加工システム、微細加工装置、および微細加工方法审中-公开
标题翻译：微生物制剂，微生物装置和微生物方法
公开(公告)号：JP2015088667A
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2013227248
申请日：2013-10-31
申请人：株式会社東芝
发明人：米田栄仁
IPC分类号： B29C59/02 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/7035 , B29C59/02 , G03F7/0002 , G03F7/70775 , G03F9/7042 , B29C2059/023
摘要：【課題】より精度よくパターン形成ができる微細加工システムを提供する。【解決手段】微細加工システムは、基板を支持することが可能なステージ部と、前記ステージ部に対向しテンプレートを支持しつつレジスト層に近接または押し付けることが可能なチャック部と、前記レジスト層に近接または押し付けられる前記テンプレートの押圧と前記テンプレートが近接または押し付けられた前記レジスト層の膜厚との関係を格納することが可能な記憶部と、前記レジスト層への前記テンプレートの近接または押し付けを制御する制御部と、を有する微細加工装置と、前記テンプレートが近接または押し付けられた前記レジスト層の膜厚分布が目標分布外である場合には、前記膜厚分布が目標分布内に収まるように前記関係を補正する制御装置と、を備える。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供能够进一步精确地进行图案形成的微细加工系统。解决方案：微细加工系统包括微加工装置和控制装置。微加工装置包括：能够支撑基板的台单元; 卡盘单元，其与舞台单元相对，并且可以在支撑模板的同时进行模板访问或按压抗蚀剂层; 存储单元，其可以存储所述模板的压力与所述抗蚀剂层的按压力之间的关系以及所述模板访问或按压的所述抗蚀剂层的膜厚度; 以及控制单元，用于控制模板到抗蚀剂层的存取或压制。当膜厚分布不在目标分布范围内时，控制装置校正关系，使得由模板访问或压制的抗蚀剂层的膜厚分布变为目标分布。

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