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1. 发明专利

JP2015177148A 光検出器有权
标题翻译：照相机
公开(公告)号：JP2015177148A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014054399
申请日：2014-03-18
申请人：株式会社東芝
发明人：熱田昌己 , 佐々木啓太 , 八木均 , 長谷川励
IPC分类号： H01L31/10 , G01T1/20 , H01L27/144 , H01L27/146 , A61B6/03 , H01L31/107
CPC分类号： G01T1/248 , G01T1/2018 , G01T1/208
摘要：【課題】感度低下を抑制する。【解決手段】光検出器10は、光検出素子32と、電圧印加部68と、第1取得部22Bと、電圧制御部22Aと、を備える。光検出素子32は、pn接合を有し、検出した光に応じた光電流を出力する。電圧印加部22Aは、光検出素子32に電圧を印加する。第1取得部22Bは、光検出素子32で検出された光電流を取得する。電圧制御部22Aは、光電流を取得する駆動期間には、絶対値がpn接合のアバランシェ降伏電圧以上の電圧値で且つpn接合に対して逆バイアスの駆動電圧を印加するように、電圧印加部68を制御する。また、電圧制御部22Aは、光電流を取得しない待機期間には、pn接合に対して順バイアスの第1待機電圧、0Vの電圧値の第2待機電圧、または、絶対値が0Vより大きく且つ前記駆動電圧未満の電圧値でpn接合に対して逆バイアスの第3待機電圧を印加するように、電圧印加部68を制御する。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：抑制灵敏度的降低。解决方案：光检测器10包括光电检测元件32，电压施加部分68，第一获取部分22B和电压控制部分22A。光检测元件32具有pn结并输出对应于检测到的光的光电流。电压施加部分22A向光电检测元件32施加电压。第一获取部分22B获取由光电检测元件32检测的光电流。电压控制部分22A控制电压施加部分68以将反向偏压的驱动电压施加到该pn结的绝对值为用于获取光电流的驱动周期中的pn结的雪崩击穿电压或更多的电压值。此外，电压控制部22A控制电压施加部68，以通过正向偏压的第一待机电压向pn结施加反向偏置的第三备用电压至pn结，电压值的第二备用电压 0V，或绝对值大于0V并且小于在未获取光电流的待机时段内的驱动电压的电压值。

2. 发明专利

JP6189237B2 光検出器、及び光検出器の製造方法有权
公开(公告)号：JP6189237B2
公开(公告)日：2017-08-30
申请号：JP2014058931
申请日：2014-03-20
申请人：株式会社東芝
发明人：細野靖晴 , 鈴木和拓 , 八木均 , 宮崎和典 , 河田剛 , 佐々木啓太 , 長谷川励
IPC分类号： H01L31/08 , A61B6/03 , G01T1/20 , H01L27/144 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14663 , G01T1/2018 , H01L27/14618 , H01L27/14661 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L31/02161 , H01L31/02322 , H01L2224/11 , H01L2224/16225

3. 发明专利

JP6552850B2 光検出装置有权
公开(公告)号：JP6552850B2
公开(公告)日：2019-07-31
申请号：JP2015052590
申请日：2015-03-16
申请人：株式会社東芝
发明人：熱田昌己 , 佐々木啓太 , 八木均 , 逸見和弘 , 長谷川励
IPC分类号： G01T1/20 , H01L27/144 , H01L31/107 , H01L27/146

4. 发明专利

JP2019009436A 光検出器、光検出システム、ライダー装置、車及び光検出器の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019009436A
公开(公告)日：2019-01-17
申请号：JP2018114887
申请日：2018-06-15
申请人：株式会社東芝
发明人：権鎬楠 , 米原健矢 , 八木均 , 藤原郁夫 , 鈴木和拓
IPC分类号： H01L31/10
摘要：【課題】本発明が解決しようとする課題は光電変換効率を向上させた光検出器を提供する。【解決手段】上記の課題を達成するために、実施形態の光検出器は、第1半導体層40と、第1半導体層40上に設けられ光検出する第2半導体層5と、を備え、第1半導体層40は、第2半導体層5に入射光を反射する空洞部1を含み、第1半導体層40から第2半導体層5に向かう第1方向及び第1方向に交差する第2方向を含んだ空洞部1の断面は、ひし形である。【選択図】図1

5. 发明专利

JP5731862B2 非冷却赤外線撮像素子及びその製造方法有权
标题翻译：非制冷红外成像装置及其制造方法
公开(公告)号：JP5731862B2
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：JP2011054756
申请日：2011-03-11
申请人：株式会社東芝
发明人：小形雅子 , 藤原郁夫 , 本多浩大 , 鈴木和拓 , 権鎬楠 , 上野梨紗子 , 八木均 , 熱田昌己 , 石井浩一 , 佐々木啓太 , 舟木英之
IPC分类号： G01J1/02 , H01L27/14 , H04N5/33 , H01L27/144
CPC分类号： H01L27/14649 , H01L27/14687 , H01L27/14632

6. 发明专利

JP2018148183A 光検出器および放射線検出器审中-公开
公开(公告)号：JP2018148183A
公开(公告)日：2018-09-20
申请号：JP2017045108
申请日：2017-03-09
申请人：株式会社東芝
发明人：八木均 , 長谷川励 , 熱田昌己
IPC分类号： H01L31/08 , H01L31/10
CPC分类号： H01L27/1446 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14623 , H01L27/1463 , H01L27/14685 , H01L27/14687
摘要：【課題】光学的クロストークを抑制することのできる光検出器および放射線検出器を提供する。【解決手段】光検出器は、基板に設けられた複数の画素10とを備え、各画素は基板第1面に設けられた複数の光検出セル20で、各光検出セル20は第1端子と、基板に接続する第2端子とを有し、第2面に連続した閉曲線形状の第1開口部によって周囲が取り囲まれる、複数の光検出セル20と、光検出セル20のそれぞれの第1端子に接続される第1配線と、基板第2面と、基板第2面に基板を貫通し第1配線の一部が露出した第2開口部の側面と、第1開口部側面および底面を覆う第1絶縁膜と、第1絶縁膜に設けられ基板第2面の光検出セル20のそれぞれに対応する領域の一部が露出した複数の第3開口部のそれぞれに設けられ基板第2面に接続する複数の第1電極と、基板第2面側に設けられ複数の第1電極を接続する第2電極と、第1開口部に充填された遮光部材と備える。【選択図】図4

7. 发明专利

JP6223881B2 光検出器有权
公开(公告)号：JP6223881B2
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：JP2014054399
申请日：2014-03-18
申请人：株式会社東芝
发明人：熱田昌己 , 佐々木啓太 , 八木均 , 長谷川励
IPC分类号： H01L31/10 , G01T1/20 , H01L27/14 , A61B6/03 , H01L31/107
CPC分类号： G01T1/248 , G01T1/2018 , G01T1/208

8. 发明专利

JP2016174048A 光検出装置审中-公开
标题翻译：光检测装置
公开(公告)号：JP2016174048A
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：JP2015052590
申请日：2015-03-16
申请人：株式会社東芝
发明人：熱田昌己 , 佐々木啓太 , 八木均 , 逸見和弘 , 長谷川励
IPC分类号： G01T1/20 , H01L27/144 , H01L31/107 , G01N23/04 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14663 , H01L27/14636
摘要：【課題】ダイナミックレンジの向上を図る。【解決手段】光検出装置は、光検出素子20と、第1の電極40と、を含む。光検出素子20は、光の入射する第1面20aに、光を検出する複数の光検出部34を含む画素領域30が複数配列されている。第1の電極40(第1の電極40 1 、40 2 、40 3 、40 5 、40 9 )は、光検出部34を含む第1の層を第1面20aに対して交差する第2の方向に貫通し、光検出素子20の第1面20aの端部Lに配置された画素領域30(画素領域30 1 、30 2 、30 3 、30 5 、30 9 )の各々に対応して設けられ、少なくとも一部の領域が該画素領域30(画素領域30 1 、30 2 、30 3 、30 5 、30 9 )の外側に配置されている。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供可以提高动态范围的光检测装置。解决方案：光检测装置包括光检测元件20和第一电极40.在光检测元件20中，多个像素区域30包括用于检测光的多个光检测部34排列在入射光的第一表面20a上。第一电极40（第一电极40,40,40,40,40）在与第一表面20a相交的第二方向上穿过包含光检测部34的第一层，并且与各像素区域30（像素区域30,30,30,30,30），其布置在光检测元件20的第一表面20a的端部L处。其至少部分区域位于像素区域30的外部（像素区域30,30 ，30,30,30）。选择图：图4

9. 发明专利

JP2016162772A 光検出器、その製造方法、放射線検出器、および放射線検出装置审中-公开
标题翻译：光电检测器及其制造方法，辐射检测器和辐射检测装置
公开(公告)号：JP2016162772A
公开(公告)日：2016-09-05
申请号：JP2015037183
申请日：2015-02-26
申请人：株式会社東芝
发明人：八木均 , 長谷川励
IPC分类号： G01T1/20 , H01L31/08 , H01L27/14 , H01L27/144 , H04N5/32 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14663 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L27/14623 , H01L27/14685 , H01L27/14687
摘要：【課題】遮光材料として黒色レジストが使用できるとともに、金属を用いても信頼性の低下を抑制することのできる光検出器、放射線検出器の製造方法及び放射線検出装置を提供する。【解決手段】シリコン基板12の表面にAPD(アバランシェフォトダイーオード)からなる複数の光検出セル20が設けられる。光検出セル20の第1端子は、配線40bを介してシリコン基板12の裏面側の開口部に形成されたTSV(Through Silicon Via)電極50に接続され、第2端子は裏面電極60に接続される。シリコン基板12を貫通し各光検出セル20を取り囲むように遮光溝30aが設けられ、黒色レジスト又は金属からなる遮光部材30bが充填される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供：即使使用金属也能够抑制黑色抗蚀剂作为遮光材料的光电检测器，并且即使使用金属也能够抑制其可靠性的劣化; 辐射检测器的制造方法; 和放射线检测装置。解决方案：在硅衬底12的表面上设置有多个包含APD（雪崩光电二极管）的光电检测单元20.每个光电检测单元20的第一端子连接到通过布线40b形成在硅基板12的背面侧的开口部的TSV（贯通硅通孔）电极50，其第二端子与背面电极60连接。设有遮光槽30a 以穿过硅衬底12并且围绕每个光电检测单元20，并且将由黑色抗蚀剂或金属形成的遮光构件30b填充在遮光槽中。图1

10. 发明专利

JP2015185604A 光検出器、及び光検出器の製造方法有权
标题翻译：光电及其制造方法
公开(公告)号：JP2015185604A
公开(公告)日：2015-10-22
申请号：JP2014058931
申请日：2014-03-20
申请人：株式会社東芝
发明人：細野靖晴 , 鈴木和拓 , 八木均 , 宮崎和典 , 河田剛 , 佐々木啓太 , 長谷川励
IPC分类号： H01L31/08 , A61B6/03 , G01T1/20 , H01L27/144 , H01L27/14
CPC分类号： H01L27/14663 , G01T1/2018 , H01L27/14618 , H01L27/14661 , H01L27/14685 , H01L27/14687 , H01L31/02161 , H01L31/02322
摘要：【課題】検出精度の低下を抑制する。【解決手段】光検出器10は、光検出層32と、光変換部材18と、第1部材30と、を備える。光検出層32は、光の入射する光入射面11に、光を検出する光検出素子14をそれぞれ保持した複数の画素領域11Aと、光入射面11における画素領域11A以外の周辺領域11Bと、有する。光変換部材18は、光検出層32の画素領域11Aの各々に対向配置され、放射線を光に変換する。第1部材30は、光入射面11における周辺領域11Bの少なくとも一部に設けられ、光変換部材18の一部を覆う部材である。【選択図】図5
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够抑制检测精度降低的光电检测器及其制造方法。光检测器10具有光检测层32，光转换部件18和第一部件30.光检测层 32具有多个像素区域11A，其中用于光检测的光检测元件14保持在入射光的入射面11和光入射面11上的像素区域11A中的外围区域11B。光转换构件18 被配置为面对光检测层32的各像素区域11A，并将辐射线转换成光。第一构件30设置在光入射面11上的周边区域11B的至少一部分，并且覆盖光转换构件18的一部分。

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