专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP2015142059A パワー半導体モジュール审中-公开
标题翻译：功率半导体模块
公开(公告)号：JP2015142059A
公开(公告)日：2015-08-03
申请号：JP2014015049
申请日：2014-01-30
申请人：株式会社日立製作所 , 株式会社日立パワーデバイス
发明人：元脇成久 , 宝蔵寺裕之 , 守田俊章 , 紺野哲豊
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/36 , H01L21/60
CPC分类号： H01L25/18 , H01L23/36 , H01L23/3675 , H01L23/49838 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L25/072 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0603 , H01L2224/29101 , H01L2224/29339 , H01L2224/29347 , H01L2224/32225 , H01L2224/32227 , H01L2224/45014 , H01L2224/45015 , H01L2224/45032 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2224/48491 , H01L2224/48724 , H01L2224/48739 , H01L2224/48744 , H01L2224/48747 , H01L2224/48755 , H01L2224/48824 , H01L2224/48839 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/48855 , H01L2224/4903 , H01L2224/49107 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/83801 , H01L2224/8384 , H01L2224/85205 , H01L2224/85424 , H01L2224/85447 , H01L24/05 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2924/00011 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091
摘要：【課題】トランジスタ素子の高発熱部分を効率よく冷却でき、配線接合部の接続信頼性に優れたパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】放熱板1と、放熱板1に接合材を介して接続され、絶縁基板2の表面に配線が形成された回路基板と、一方の面に形成された主電極6及び制御電極7と他方の面に形成された裏面電極を備え、裏面電極が回路基板に接合材を介して接続されたトランジスタ素子5と、主電極6に接合材を介して接合された第一の導電部材10と、第一の導電部材10と制御電極7を他の素子もしくは回路基板に電気的に接続するワイヤまたはリボン状の接続端子11、12とを備えたパワー半導体モジュールであって、制御電極7が主電極6の角部に配置され、第一の導電部材10が制御電極7の上部を切り欠いた形状であることを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够有效地冷却晶体管元件的高温部分的功率半导体模块，并且布线接头的连接可靠性优异。功率半导体模块包括散热器1，电路板通过接合材料与散热器1连接，并且在绝缘基板2的表面上形成有布线的晶体管元件5，包括形成在一个表面上的主电极6和控制电极7以及形成在其上的背电极表面，其中背面电极通过接合材料与电路板连接，通过接合材料接合到主电极6的第一导电构件10和用于电连接第一导电性的导线或带状连接端子11,12 构件10和具有其他元件或电路板的控制电极7。控制电极7设置在主电极6的角部，第一导电部件10具有在第一导电部件10的上部开口的形状。

2. 发明专利

JP2018098219A 半導体装置及びその製造方法。审中-公开
公开(公告)号：JP2018098219A
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：JP2015054154
申请日：2015-03-18
申请人：株式会社日立製作所
发明人：保田雄亮 , 守田俊章 , 宝蔵寺裕之
IPC分类号： H01L21/60 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/48 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/32057 , H01L2224/3303 , H01L2224/33181 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/8384 , H01L2224/97 , H01L2924/19107 , H01L2224/83
摘要：【課題】焼結金属層を有する、高温環境における信頼性が向上する半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板103上の配線層104と、第一の焼結金属層105を介して配線層104と接合された半導体素子101と、第二の焼結金属層106を介して半導体素子101と接合された導電板102と、第一の焼結金属層105及び第二の焼結金属層106の少なくともいずれかの端部を樹脂、ガラス、金属材料の少なくともいずれかで封止する封止部107と、を備える。第一の焼結金属層105は、第一の焼結金属層105と半導体素子101との積層方向に投影した場合、第一の焼結金属層105の射影部が半導体素子101の射影部に包含されるように形成する。【選択図】図3

3. 发明专利

JP2016162765A トランスおよび電力変換装置有权
标题翻译：变压器和电力转换系统
公开(公告)号：JP2016162765A
公开(公告)日：2016-09-05
申请号：JP2015036987
申请日：2015-02-26
申请人：株式会社日立製作所
发明人：宝蔵寺裕之
IPC分类号： H05K7/20 , H01F27/24 , H01F30/00
CPC分类号： H01F27/24 , H01F30/10 , H05K7/20
摘要：【課題】コアおよびコイルからの放熱性を向上させ、トランスを小型化する。【解決手段】トランス10は、コイル13が巻回されたボビン12と、ボビン12が装着される円柱状のコア中芯部11aと、コア中芯部11aの両端をコイル13の外側でつなぐ複数のコア脚部11b,11c,11d,11eと、を備える。コア脚部11bのサイズは、他のコア脚部11c,11d,11eのサイズよりも大きく、コア脚部11bは、コイル13の外周側面に接する面に略平行で平坦な外周面11b1を有している。トランス10は、コア脚部11bの外周面11b1を筐体の床面に接するようにして、筐体に配設される。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高从芯和线圈的散热，并减小变压器的尺寸。变压器10包括：绕线管12，卷绕线圈13; 安装有筒管12的筒状芯部11a; 以及将芯部11a的两个边缘与线圈13的外侧连接的多个芯部腿部11b，11c，11d，11e。芯部腿部11b的尺寸大于另一个芯部的腿部部分11c，11d和11e，并且芯部部分11b包括基本上平行于与线圈13的外周表面接触的表面的平坦外周表面11b1。变压器10设置在壳体上，使得外周芯腿部11b的表面11b1接触壳体的地板表面。选择图：图1

4. 发明专利

JP5791670B2 電力変換装置有权
公开(公告)号：JP5791670B2
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：JP2013161066
申请日：2013-08-02
申请人：株式会社日立製作所
发明人：中津欣也 , 宮崎英樹 , 竹澤由高 , 石井利昭 , 宝蔵寺裕之
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/473 , H02M7/48 , H01L23/29
CPC分类号： H01L24/33 , H01L23/40 , H01L25/07 , H02M7/003 , H02M7/48 , H01L2023/4056 , H01L23/4006 , H01L23/473 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/351

5. 发明专利

JP6393212B2 電力変換装置有权
公开(公告)号：JP6393212B2
公开(公告)日：2018-09-19
申请号：JP2015036987
申请日：2015-02-26
申请人：株式会社日立製作所
发明人：宝蔵寺裕之
IPC分类号： H05K7/20 , H01F27/24 , H01F30/10
CPC分类号： H01F27/025 , H01F27/06 , H01F27/085 , H01F27/20 , H01F27/22 , H01F27/24 , H01F27/2823 , H01F27/29

6. 发明专利

JP2016012659A 半導体装置およびその製造方法有权
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：JP2016012659A
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：JP2014133506
申请日：2014-06-30
申请人：株式会社日立製作所
发明人：宝蔵寺裕之 , 元脇成久 , 守田俊章 , 紺野哲豊
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/48 , H01L2224/0603 , H01L2224/29101 , H01L2224/29298 , H01L2224/32225 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/48491 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/75981 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/85424 , H01L2224/85447 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2924/00014 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091
摘要：【課題】半導体素子の主面に設けられた主電極及び制御電極とボンディングワイヤ等の接続配線との接続信頼性に優れ、制御電極と接続配線の接続作業性を向上可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体素子1の主面に設けられた制御電極4と主電極3が、導電部材を介してワイヤまたはリボン状の接続配線7,9と電気的に接続された構成を備え、導電部材は、制御電極4に接合された制御電極用導電部材6と、主電極3に接合された主電極用導電部材5に分割され、且つこれらが絶縁材13で固定されており、制御電極用導電部材6は制御電極4と接続される面よりも接続配線7と接続される面の面積の方が広いことを特徴とする。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件，其在设置在半导体元件的主表面上的主电极和控制电极之间的连接可靠性优异，具有诸如接合线的连接布线，并且可以提高连接可操作性具有连接布线的控制电极。解决方案：半导体器件具有其中设置在半导体元件1的主表面上的控制电极4和主电极3与线或带状电连接的组成连接配线7,9通过导电部件。导电构件被分成与控制电极4接合的控制电极导电构件6，并且连接到主电极3的主电极导电构件5和控制电极导电构件6和主电极导电构件5通过绝缘体材料13.控制电极导电部件6具有与控制电极4连接的面，比与连接配线7连接的面大的面积。

7. 发明专利

JP2018060822A 熱電変換モジュールおよびその搭載方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018060822A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2015003784
申请日：2015-01-13
申请人：株式会社日立製作所
发明人：宝蔵寺裕之 , 保田雄亮 , 守谷浩志 , 松本茂紀
IPC分类号： H02N11/00 , H01L35/32
CPC分类号： H01L35/32 , H02N11/00
摘要：【課題】薄膜状の熱電変換素子を用いた熱電変換モジュールの電力変換効率を向上することを目的とする。【解決手段】絶縁層と、絶縁層の表面に形成された配線層と、配線層を介して交互に直列接続された薄膜状のP型及びN型熱電変換素子と、熱電変換素子が搭載される基板と、を備える熱電変換モジュールであって、熱電変換素子は、隣り合う熱電変換素子の素子面が対向し、素子面の長手方向が熱伝達方向となるように配置しており、配線層は、熱電変換素子の熱伝達方向の両端側に配置していることを特徴とする。【選択図】図1

9. 发明专利

JP2017123446A 半導体装置および半導体パッケージ装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017123446A
公开(公告)日：2017-07-13
申请号：JP2016002930
申请日：2016-01-08
申请人：株式会社日立製作所
发明人：宝蔵寺裕之
IPC分类号： H01L25/18 , H01L25/04
摘要：【課題】半導体素子と基板との間に樹脂を充填した構造において、半導体素子を近接して搭載可能とする技術を提供する。【解決手段】基板と、前記基板に搭載された第1の半導体素子と前記第1の半導体素子と近接する第2の半導体素子とを含む複数の半導体素子と、前記基板と前記半導体素子との間に形成された樹脂層と、を有する半導体装置であって、前記第1の半導体素子と前記第2の半導体素子とが近接する領域内の前記基板に形成された第1の溝部を有することを特徴とする半導体装置。【選択図】図1A

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式