专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP6124584B2 発光装置及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6124584B2
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：JP2012280103
申请日：2012-12-21
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , シャープ株式会社
发明人：道前芳隆 , 池田寿雄 , 平形吉晴 , 二星学 , 菊池克浩 , 川戸伸一 , 越智貴志 , 塚本優人 , 小坂知裕 , 大崎智文
IPC分类号： H05B33/12 , H01L51/50 , H05B33/10 , H05B33/22
CPC分类号： H01L33/005 , H01L27/3246 , H01L27/3211

2. 发明专利

JP6099420B2 発光装置有权
公开(公告)号：JP6099420B2
公开(公告)日：2017-03-22
申请号：JP2013023576
申请日：2013-02-08
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , シャープ株式会社
发明人：池田寿雄 , 川田琢也 , 二星学 , 菊池克浩 , 川戸伸一 , 越智貴志 , 塚本優人 , 小坂知裕 , 大崎智文
IPC分类号： H05B33/12 , H01L51/50 , H05B33/26 , H05B33/28 , G02B5/20 , H05B33/24
CPC分类号： H01L33/26 , H01L51/504 , H01L51/5225 , H01L51/5265 , H01L51/5268 , H01L27/322

3. 发明专利

JP6076683B2 発光装置有权
公开(公告)号：JP6076683B2
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：JP2012230151
申请日：2012-10-17
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所 , シャープ株式会社
发明人：波多野薫 , 千田尚之 , 二星学 , 菊池克浩 , 川戸伸一 , 越智貴志 , 塚本優人 , 小坂知裕 , 大崎智文
IPC分类号： H05B33/12 , H01L51/50 , H05B33/22
CPC分类号： H01L33/36 , H01L27/3246 , H01L27/3209 , H01L51/5044 , H01L51/525

4. 发明专利

JP2021093265A 電子放出素子及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021093265A
公开(公告)日：2021-06-17
申请号：JP2019222302
申请日：2019-12-09
申请人：シャープ株式会社
发明人：新川幸治 , 岩松正 , 辻埜和也 , アベシンゲレシヤン , 小坂知裕
IPC分类号： H01J9/02 , H01J1/312
摘要：【課題】優れた電子放出特性及び優れた寿命特性を有する電子放出素子を提供する。【解決手段】電子放出素子20は、下部電極3と、表面電極5と、下部電極3と表面電極5との間に配置されたシリコーン樹脂層4とを備え、表面電極5は、銀層6を含み、銀層6は、シリコーン樹脂層4と接触することを特徴とする。【選択図】図2

6. 发明专利

JP2017021132A 表示装置审中-公开
标题翻译：显示设备
公开(公告)号：JP2017021132A
公开(公告)日：2017-01-26
申请号：JP2015137641
申请日：2015-07-09
申请人：シャープ株式会社
发明人：石田和泉 , 岡部達 , 原猛 , 錦博彦 , 小坂知裕 , 村重正悟
IPC分类号： G09F9/30 , G09F9/37 , G09F9/00 , B81B7/04 , B81B3/00 , G02B26/02
摘要：【課題】酸化物半導体からなる半導体活性層を有する薄膜トランジスタが配置されたMEMSディスプレイにおいて、半導体活性層に紫外線が照射され難くする。【解決手段】表示パネル(11)は、アクティブマトリクス基板(12)と、対向基板(13)とを含む。アクティブマトリクス基板は、複数の薄膜トランジスタ(T1)と、複数のシャッタ機構(S11)と、UVカット層(33)とを含む。複数の薄膜トランジスタは、複数のシャッタ機構の各々に対応して配置されている。複数の薄膜トランジスタの各々は、酸化物半導体からなる半導体活性層(72)を含み、対応するシャッタ機構の動作を制御する。UVカット層は、半導体活性層よりも観察者側に配置されている。【選択図】図3
摘要翻译：本发明提供一种MEMS显示具有由氧化物半导体制成的半导体有源层设置薄膜晶体管，紫外线半导体活性层是困难的照射。一种显示面板（11），包括：有源矩阵基板（12）和对置基板（13）。的有源矩阵基板包括：多个薄膜晶体管（T1）的，以及多个快门机构（S11），抗紫外线层（33）。多个薄膜晶体管与每个多个快门机构的对应配置。每个所述多个薄膜晶体管中的，由氧化物半导体形成的半导体有源层包括（72），控制所述相应的闸门机构的操作。紫外线阻断层设置在观察者侧比所述半导体活性层。点域

7. 发明专利

JP5710843B2 マスクユニットおよび蒸着装置有权
标题翻译：掩模单元和沉积设备
公开(公告)号：JP5710843B2
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：JP2014524668
申请日：2013-04-15
申请人：シャープ株式会社
发明人：越智貴志 , 川戸伸一 , 大崎智文 , 二星学 , 小坂知裕 , 塚本優人 , 菊池克浩
IPC分类号： C23C14/24 , H01L51/50 , H05B33/10 , C23C14/04
CPC分类号： C23C16/042 , C23C14/042 , C23C16/44 , H01L51/0011

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式