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热词
    • 1. 发明专利
    • プログラマブルLSI
    • 可编程LSI
    • JP2016131372A
    • 2016-07-21
    • JP2016018622
    • 2016-02-03
    • 株式会社半導体エネルギー研究所
    • 小林 英智遠藤 正己塩野入 豊傳保 洋樹西島 辰司大嶋 和晃米田 誠一小山 潤
    • H03K19/177H01L21/82H01L21/8242H01L27/108H01L29/786H01L21/8234H01L27/088H01L27/08H03K19/173
    • H03K19/17796G11C16/0433H01L27/11803H01L27/1203
    • 【課題】低消費電力で、動的コンフィギュレーションにも対応可能なプログラマブルLS Iを提供する。 【解決手段】複数のロジックエレメントを有し、複数のロジックエレメントそれぞれは、 コンフィギュレーションメモリを有する。複数のロジックエレメントそれぞれは、コンフ ィギュレーションメモリに記憶されたコンフィギュレーションデータに応じて、異なる演 算処理を行い、且つ、ロジックエレメント間の電気的接続を変更する。コンフィギュレー ションメモリは、揮発性の記憶回路と、不揮発性の記憶回路との組を有し、不揮発性の記 憶回路は、チャネルが酸化物半導体層に形成されるトランジスタと、当該トランジスタが オフ状態となることによってフローティングとなるノードに一対の電極のうちの一方が電 気的に接続された容量素子と、を有する。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供能够以低功耗响应动态配置的可编程LSI。解决方案:可编程LSI具有多个逻辑元件,并且多个逻辑元件中的每一个具有配置存储器。 多个逻辑元件中的每一个执行彼此不同的运算处理,并根据存储在配置存储器中的配置数据改变逻辑元件之间的电连接。 配置存储器具有一对易失性存储电路和非易失性存储电路。 非易失性存储电路具有其中在氧化物半导体层中形成沟道的晶体管和当晶体管变为截止状态时,一对电极中的一个电极连接到成为浮置状态的节点的电容元件。选择 图:图1
    • 8. 发明专利
    • 装置
    • JP2021015807A
    • 2021-02-12
    • JP2020184804
    • 2020-11-05
    • 株式会社半導体エネルギー研究所
    • 傳保 洋樹宮口 厚
    • H01M50/20
    • 【課題】電波強度測定装置において、長距離からの微弱な電波であった場合に表示部の視 認性を向上させることを課題とする。 【解決手段】電波強度測定装置における電力を供給するための電源としてバッテリーを備 え、受信した電波によりバッテリーの充電を行う。前記受信した電波から得られた信号の 電位が、前記バッテリーの出力電位より大きいときには、その電力をバッテリーに蓄え、 前記受信した電波から得られた信号の電位が、前記バッテリーの出力電位より小さいとき には、前記バッテリーの発生電力を、該電波強度測定装置を駆動する電源として用いる。 また、電波強度を表示するための素子としてサーモクロミック素子またはエレクトロクロ ミック素子を使用する。 【選択図】図1