专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP5985852B2 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法有权
公开(公告)号：JP5985852B2
公开(公告)日：2016-09-06
申请号：JP2012072473
申请日：2012-03-27
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：加藤靖雄 , 八島純 , 安保彰人
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/305 , H01L21/027
CPC分类号： H01J37/3026 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3174 , H01J2237/31769 , H01J2237/31776

2. 发明专利

JP6171062B2 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法有权
公开(公告)号：JP6171062B2
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：JP2016153634
申请日：2016-08-04
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：加藤靖雄 , 八島純 , 安保彰人
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/305 , H01L21/027

3. 发明专利

JP2016219829A 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法有权
标题翻译：带电粒子束写入装置和带电粒子束写入方法
公开(公告)号：JP2016219829A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：JP2016153634
申请日：2016-08-04
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：加藤靖雄 , 八島純 , 安保彰人
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/305 , H01L21/027
摘要：【課題】異なる描画条件のパターンを描画する場合に双方の影響を考慮した近接効果補正が可能な描画装置を提供する。【解決手段】荷電粒子ビーム描画装置は、基準照射量の異なる複数の描画グループが描画される予定の描画領域内に複数の面積処理ブロックを作成するブロック作成部と、描画グループ領域毎に、近接効果を補正するための複数の近接効果補正処理ブロックを作成するブロック作成部と、面積処理ブロック毎に、配置される図形パターンの面積密度を算出する面積密度演算部と、面積処理ブロック毎に、対応する描画グループ領域の基準照射量を用いて面積密度に重み付け演算を行う重み付け演算部と、近接効果補正処理ブロック毎に、該当する重み付けがされた面積密度を用いて、近接効果補正照射係数を演算する近接効果補正照射係数演算部と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：在考虑二者的绘制不同的绘图条件的图案时的影响提供能够邻近效应校正的绘图装置。一种带电粒子束光刻系统中，创建的多个区域，其中多个具有不同的基本剂量绘图群体的绘制的每个绘图组区域中的区域内的图中的处理块中的块创建单元，靠近和用于校正的效果，为每个区域处理块产生多个邻近效应校正的处理块的块创建单元，用于计算数字图案的安排给每个区域的处理块的区域密度的区域密度计算单元，为在区域密度加权操作的加权计算部通过使用相应的绘图组区域，每个邻近效应校正处理块的参考剂量，使用所述区域密度是加权适用，邻近效应剂量校正因子包括一个邻近效应剂量校正系数计算单元，用于计算，一个。点域1

4. 发明专利

JP6027798B2 荷電粒子ビーム描画装置及び多重描画用の荷電粒子ビームの照射時間振り分け方法有权
标题翻译：带电粒子束写入装置的照射时间分配方法和用于多次写入的带电粒子束
公开(公告)号：JP6027798B2
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：JP2012154457
申请日：2012-07-10
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：八島純 , 安保彰人 , 加藤靖雄
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/305 , H01L21/027
CPC分类号： G06F17/5081 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/3026 , H01J37/3174 , H01J2237/31764 , H01J2237/31766

5. 发明专利

JP5797454B2 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法有权
公开(公告)号：JP5797454B2
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：JP2011113006
申请日：2011-05-20
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：八島純 , 安保彰人
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： H01J37/20 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01J37/02 , H01J37/153 , H01J37/3174 , H01J2237/31754 , H01J2237/31764 , H01J2237/31776 , Y10S430/143

6. 发明专利

JP5709676B2 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法有权
公开(公告)号：JP5709676B2
公开(公告)日：2015-04-30
申请号：JP2011151522
申请日：2011-07-08
申请人：株式会社ニューフレアテクノロジー
发明人：安保彰人
IPC分类号： G03F7/20 , H01J37/305 , H01L21/027

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式