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1. 发明专利

JP6139355B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6139355B2
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：JP2013197379
申请日：2013-09-24
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：斎藤順 , 青井佐智子 , 渡辺行彦 , 山本敏雅
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L29/0623 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/0661 , H01L29/42368

2. 发明专利

JP6193163B2 絶縁ゲート型半導体装置有权
公开(公告)号：JP6193163B2
公开(公告)日：2017-09-06
申请号：JP2014062009
申请日：2014-03-25
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：斎藤順 , 浜田公守 , 添野明高 , 高谷秀史 , 青井佐智子 , 山本敏雅
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/06
CPC分类号： H01L21/76229 , H01L21/761 , H01L29/0619 , H01L29/0623 , H01L29/0696 , H01L29/1608 , H01L29/4236 , H01L29/66068 , H01L29/7811 , H01L29/7813

3. 发明专利

JP5752590B2 温度検出素子有权
标题翻译：温度感测元件
公开(公告)号：JP5752590B2
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：JP2011288041
申请日：2011-12-28
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：添野明高 , 山本敏雅 , 渡辺行彦 , 副島成雅
IPC分类号： G01K7/16

4. 发明专利

JP2015065237A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015065237A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：JP2013197379
申请日：2013-09-24
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：斎藤順 , 青井佐智子 , 渡辺行彦 , 山本敏雅
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L29/0623 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/7397 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/0661 , H01L29/42368
摘要：【課題】ドリフト領域の不純物濃度が比較的に高い場合においても、終端領域で耐圧を保持することができる技術を提供する。【解決手段】半導体装置10は、半導体基板11を備える。半導体基板11の素子領域12には、第1導電型の第1ボディ領域36aと、第2導電型の第1ドリフト領域32aと、複数の第1導電型の第1フローティング領域34が形成されている。第1フローティング領域34は、その周囲が第1ドリフト領域32aによって囲まれている。終端領域14には、第2導電型の第2ドリフト領域32bと、複数の第1導電型の第2フローティング領域37が形成されている。第2フローティング領域37は、その周囲が第2ドリフト領域32bによって囲まれている。第1ドリフト領域32aの中央となる深さを基準深さとしたときに、少なくとも1つの第2フローティング領域37が、第1フローティング領域34のそれぞれよりも基準深さ側に配置されている。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：即使当漂移区域中的杂质浓度相对较高时，即使在漂移区域中的杂质浓度相对较高时，也能够提供能够在终止区域中保持耐电压的技术。解决方案：半导体器件10具有半导体衬底11.第一导电类型的第一体区域如图36a所示，第二导电类型的第一漂移区域32a和多个第一导电类型的第一浮动区域34形成在半导体衬底11的元件区域12上。第一漂移区域32a围绕第一浮动区域34的周边。第二导电类型的第二漂移区域32b和多个第一导电类型的第二浮动区域37形成在终端区域14上。第二漂移区域32b围绕第二浮动区域37的周围。当深度变为第一漂移区域32a被定义为参考深度，第二浮动区域37中的至少一个布置在更靠近t的位置 o参考深度侧比第一浮动区域34的每一个。

6. 发明专利

JP6231422B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6231422B2
公开(公告)日：2017-11-15
申请号：JP2014080012
申请日：2014-04-09
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー , 株式会社豊田中央研究所
发明人：高谷秀史 , 斎藤順 , 添野明高 , 山本敏雅 , 副島成雅
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L21/761 , H01L29/06 , H01L29/0623 , H01L29/0661 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/12 , H01L29/408 , H01L29/4236 , H01L29/66734 , H01L29/7813

7. 发明专利

JP5763514B2 スイッチング素子の製造方法有权
标题翻译：所述开关元件的制造方法
公开(公告)号：JP5763514B2
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：JP2011272075
申请日：2011-12-13
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社デンソー
发明人：藤原広和 , 渡辺行彦 , 副島成雅 , 山本敏雅 , 竹内有一
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/266 , H01L21/265 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66666 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/167 , H01L29/42376 , H01L29/66068 , H01L29/7397 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L21/26506 , H01L29/42368

8. 发明专利

JP2015126086A 半導体装置及び半導体装置の製造方法有权
标题翻译：半导体器件及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：JP2015126086A
公开(公告)日：2015-07-06
申请号：JP2013269265
申请日：2013-12-26
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：斎藤順 , 藤原広和 , 池田知治 , 渡辺行彦 , 山本敏雅
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/265 , H01L21/266 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L21/047 , H01L29/0623 , H01L29/063 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/408 , H01L29/66068 , H01L29/7813 , H01L21/26586
摘要：【課題】外周領域内により高速で空乏層を伸展させることで、より高い耐圧を実現可能な技術を提供する。【解決手段】半導体装置は、絶縁ゲート型スイッチング素子を有する素子領域と、素子領域に隣接する外周領域を有する。外周領域内に第1トレンチと第2トレンチが形成されている。第1トレンチと第2トレンチの間に第2導電型の表面領域が形成されている。第1トレンチの底面に第2導電型の第1底面領域が形成されている。第2トレンチの底面に第2導電型の第2底面領域が形成されている。第1トレンチの側面に沿って、表面領域と第1底面領域を接続する第2導電型の第1側面領域が形成されている。第2トレンチの側面に沿って、表面領域と第2底面領域を接続する第2導電型の第2側面領域が形成されている。第1側面領域及び第2側面領域の少なくとも一部に、低面密度領域が形成されている。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供能够通过在外周区域中高速膨胀耗尽层来实现更高耐受电压的技术。解决方案：半导体器件具有具有绝缘栅型开关元件和外周区域的元件区域邻近元素区域。第一沟槽和第二沟槽形成在外周区域中。具有第二导电类型的表面区域形成在第一沟槽和第二沟槽之间。具有第二导电类型的第一底表面区域形成在第一沟槽的底表面上。具有第二导电类型的第二底表面区域形成在第二沟槽的底表面上。沿着第一沟槽的侧表面形成具有连接表面区域和第一底部区域的具有第二导电类型的第一侧表面区域。具有连接表面区域和第二底面区域的具有第二导电类型的第二侧表面区域沿着第二沟槽的侧表面形成。在第一侧表面区域和第二侧表面区域的至少一部分上形成低表面密度区域。

10. 发明专利

JP6169966B2 半導体装置及び半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6169966B2
公开(公告)日：2017-07-26
申请号：JP2013269265
申请日：2013-12-26
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社豊田中央研究所 , 株式会社デンソー
发明人：斎藤順 , 藤原広和 , 池田知治 , 渡辺行彦 , 山本敏雅
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/266 , H01L21/265 , H01L29/06
CPC分类号： H01L29/7811 , H01L21/047 , H01L29/0623 , H01L29/063 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/1608 , H01L29/408 , H01L29/66068 , H01L29/7813 , H01L21/26586

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