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1. 发明专利

JP2017041574A ウエーハの加工方法审中-公开
标题翻译：该晶片处理方法
公开(公告)号：JP2017041574A
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015163365
申请日：2015-08-21
申请人：株式会社ディスコ
发明人：灰本隆志 , 小清水秀輝 , 荒谷侑里香 , 杉谷哲一
IPC分类号： B23K26/364 , H01L21/683 , H01L21/301
CPC分类号： H01L21/78 , H01L21/304 , H01L21/30604 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834
摘要：【課題】先ダイシングを採用する場合の半導体デバイスの裏面に対して、生産性を悪化させることなく、個々のデバイスに対してダイボンド用樹脂を敷設するウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】本発明により、複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され表面に形成されたウエーハの加工方法であって、個々のデバイスに分割されたウエーハの表面に該表面を保護する保護部材が配設される保護部材配設工程と、液状のダイボンド用樹脂をウエーハの裏面に塗布して固化させることによりダイボンド用の樹脂を個々のデバイスの裏面に敷設する樹脂敷設工程と、裏面に該樹脂が敷設された該デバイスをウエーハから分離する分離工程と、から少なくとも構成されるウエーハの加工方法が提供される。【選択図】図4
摘要翻译：在其中A为采用DBG，而不劣化生产率的情况下的半导体装置的后表面，以提供用于铺设各设备的装片树脂的晶片处理方法。在本发明提供一种用于处理在其上形成的表面上的多个装置由分割线，用于保护该表面分成各个器件晶片的表面上的保护构件限定的晶片的方法保护构件设置步骤设置，树脂敷设步骤，通过由所述晶片的后表面，在后表面上的树脂上涂布晶片接合树脂液固化敷设的芯片接合到各个装置的后表面的树脂提供了一种从的分离通过从晶片的设备奠定了分离步骤处理至少构成晶片的方法。点域4

2. 发明专利

JP2017193010A 研削方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017193010A
公开(公告)日：2017-10-26
申请号：JP2016084214
申请日：2016-04-20
申请人：株式会社ディスコ
发明人：小清水秀輝 , 荒谷侑里香
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/364 , B24B7/04
摘要：【課題】デバイス領域が損傷せずに良好にウェーハを裏面研削すること。【解決手段】本発明の研削方法にて研削するウェーハ(W)は、表面(Wa)に凸形状のデバイス(D)を備えるデバイス領域(W1)と、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域(W2)との間に段差が存在する。まずウェーハのデバイス領域及び該外周余剰領域の境界に沿って、ウェーハの厚み方向途中までの深さであり、デバイス領域と外周余剰領域とを分断する分断溝(W4)を形成する。次いで、ウェーハの表面側に保護テープ(T)を貼着する。その後、保護テープ(T)側をチャックテーブル(21)に保持し、ウェーハの裏面(Wb)側から研削ホイール(25)で仕上げ厚みまで研削する。この研削によって、ウェーハの裏面側に分断溝が表出し、ウェーハがデバイス領域と外周余剰領域とに分断され、ウェーハの外周余剰領域がチャックテーブルに落下して保持される。【選択図】図5

3. 发明专利

JP6566703B2 デバイスチップの製造方法有权
公开(公告)号：JP6566703B2
公开(公告)日：2019-08-28
申请号：JP2015090644
申请日：2015-04-27
申请人：株式会社ディスコ
发明人：杉谷哲一 , 灰本隆志 , 小清水秀輝 , 荒谷侑里香
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/52 , H01L21/301

4. 发明专利

JP6545518B2 ウエーハの乾燥方法及び加工装置有权
公开(公告)号：JP6545518B2
公开(公告)日：2019-07-17
申请号：JP2015090725
申请日：2015-04-27
申请人：株式会社ディスコ
发明人：小清水秀輝 , 荒谷侑里香
IPC分类号： B24B7/22 , H01L21/304

5. 发明专利

JP2016207936A デバイスチップの製造方法审中-公开
标题翻译：制造器件芯片的方法
公开(公告)号：JP2016207936A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2015090644
申请日：2015-04-27
申请人：株式会社ディスコ
发明人：杉谷哲一 , 灰本隆志 , 小清水秀輝 , 荒谷侑里香
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/52 , H01L21/301
摘要：【課題】接着層の形成に要する時間を短縮したデバイスチップの製造方法を提供する。【解決手段】複数の分割予定ラインで区画された表面(11a)側の各領域にそれぞれデバイス(13)を備えるウェーハ(11)から、各デバイスに対応する複数のデバイスチップ(17)を製造するデバイスチップの製造方法であって、デバイスチップの仕上がり厚さに相当する深さの溝(15)を分割予定ラインに沿ってウェーハの表面側に形成する溝形成ステップと、ウェーハの表面に保護部材(21)を貼着し、ウェーハの裏面を研削して溝を裏面側に露出させ、ウェーハを個々のデバイスチップに分割する研削ステップと、研削ステップを実施した後、分割されたウェーハの裏面に液状ダイボンディング用接着剤(23)を噴射して塗布する接着剤塗布ステップと、接着剤塗布スップを実施した後、液状ダイボンディング用接着剤を硬化させる硬化ステップと、を含む。【選択図】図4
摘要翻译：本发明提供了一种制造器件芯片，以减少用于形成粘接剂层所需要的时间的方法。从A晶片，其包括在每个区域（13）（11）的多个分割线表面（11A）侧，分别分配装置，以产生对应于每个装置的多个的器件芯片（17）一个器件芯片的制造方法，在形成在对应于所述器件芯片（15）沿所述分割线，在晶片的表面上的保护构件的成品厚度的槽的深度的晶片的表面侧的槽形成工序（21）附着在晶片的背面进行研磨，以暴露在背面侧的槽，并且将晶片分割成单独的器件芯片，进行研磨步骤，分割的晶片的后表面后的研磨步骤和粘合剂施加由喷射液体芯片胶粘用胶粘剂（23）施加步骤，在执行粘合剂施加Suppu，包括固化所述粘合剂用于将液体模片粘合的固化步骤中，后。点域4

6. 发明专利

JP6636377B2 パッケージウェーハの製造方法及びデバイスチップの製造方法有权
公开(公告)号：JP6636377B2
公开(公告)日：2020-01-29
申请号：JP2016077833
申请日：2016-04-08
申请人：株式会社ディスコ
发明人：小清水秀輝 , 陸 ▲听▼ , 荒谷侑里香
IPC分类号： H01L21/304 , H01L21/56 , H01L21/301

7. 发明专利

JP2018206824A ウェーハの加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018206824A
公开(公告)日：2018-12-27
申请号：JP2017107347
申请日：2017-05-31
申请人：株式会社ディスコ
发明人：小清水秀輝 , 荒谷侑里香 , 襟立真奈
IPC分类号： B24B9/00 , B24B7/04 , H01L21/683 , H01L21/304
摘要：【課題】ウェーハを保護テープから別の粘着テープに容易に転写できるようにすること。【解決手段】ウェーハ(W)の表面(Wa)側に保護テープ(T)を貼着した後、保護テープ側からウェーハの外周縁に切削ブレード(12)を切り込ませつつウェーハを回転させて、保護テープと一緒にウェーハ表面側の面取り部(Wc)を円形に切削除去する。そして、保護テープのエッジにおけるテープバリ(B)を切削ブレード(14)で切削除去する。その後、ウェーハの保護テープ側を研削装置のチャックテーブルに保持し、ウェーハの裏面(Wb)を研削した後、ウェーハの裏面に別の粘着テープ(Tp)を貼着し、保護テープを剥離して転写を行う。この転写では、保護テープと一緒に面取り部が切削除去されるので、研削時及び転写時に、ウェーハの外周縁から保護テープがはみ出さなくなり、研削テープが粘着テープに張り付くことが防止される。【選択図】図3

8. 发明专利

JP2017011134A デバイスチップの製造方法审中-公开
标题翻译：制造器件芯片的方法
公开(公告)号：JP2017011134A
公开(公告)日：2017-01-12
申请号：JP2015125973
申请日：2015-06-23
申请人：株式会社ディスコ
发明人：小清水秀輝 , 荒谷侑里香
IPC分类号： B23K26/53 , B23K26/38 , H01L21/301
摘要：【課題】製造されるデバイスチップの反りを抑制した新たなデバイスチップの製造方法を提供する。【解決手段】交差する複数の分割予定ライン(13)によって区画された表面(11a)側の各領域にデバイス(15)が形成されたウェーハ(11)を分割して複数のデバイスチップ(51)を製造するデバイスチップの製造方法であって、分割予定ラインによって区画された各領域の第1方向(D1)の長さは、第1方向に垂直な第2方向(D2)の長さの10倍以上であり、ウェーハの裏面(11b)を研削してウェーハを薄化する研削ステップと、研削ステップを実施した後、ウェーハの裏面に補強フィルム(31)を貼着する補強フィルム貼着ステップと、補強フィルム貼着ステップを実施した後、ウェーハを補強フィルムと共に分割予定ラインに沿って分割する分割ステップと、を備える。【選択図】図4
摘要翻译：提供一种抑制制造的器件芯片的翘曲新器件芯片的制造方法。交叉的多个分割线（13）由间隔化表面（11A）装置中的一侧（15）的每个区域通过将晶片（11），其具有多个器件芯片形成（51）用于在由所述分割线（D1），划分的每个区域的第一方向的制造长度的装置芯片的制造方法的第二方向的垂直于所述第一方向上的长度（D2）10 和增加了一倍多，并且通过研磨晶片（11B）的背面减薄晶片，进行研磨步骤后的磨削工序中，对晶片的背面附着的增强膜的加强膜连接工序（31）进行加强膜连接工序，而且随着加强膜晶片的分割线分割的分割工序后。点域4

9. 发明专利

JP2016207942A ウエーハの乾燥方法及び加工装置审中-公开
标题翻译：干燥方法和用于晶片处理装置
公开(公告)号：JP2016207942A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2015090725
申请日：2015-04-27
申请人：株式会社ディスコ
发明人：小清水秀輝 , 荒谷侑里香
IPC分类号： B24B7/22 , H01L21/304
摘要：【課題】乾燥までの所要時間を抑制しながらもウエーハを乾燥させることができるウエーハの乾燥方法及び加工装置を提供すること。【解決手段】ウエーハの乾燥方法は、研削後のウエーハを保持したチャックテーブルを、エアー噴射ノズル及び乾式研磨手段が配設される研磨領域に位置付ける位置付けステップST3と、位置付けステップST3を実施した後、チャックテーブルを回転させるとともに、エアーを噴射しながらエアー噴射ノズルを保持面に沿って径方向に移動させ、ウエーハに付着した研削液を除去する乾燥ステップST4とを備える。乾燥ステップST4では、チャックテーブルの回転数が、エアー噴射ノズルの位置がウエーハの中心付近に位置付けられている時は100rpm以下、ウエーハの外周付近に位置付けられている時は300rpm以上800rpm以下に制御される。【選択図】図7
摘要翻译：一种用于干燥方法同时抑制花费的时间用于干燥的量可以被干燥的晶片的晶片，并提供一种加工装置。干燥方法的晶片，卡盘台保持晶片研磨后，和定位步骤ST3定位在研磨区域空气喷射喷嘴和干磨装置被安排成，在执行定位步骤ST3之后，旋转卡盘台，以及用于去除同时喷涂空气沿着保持面在半径方向上的空气喷射喷嘴，所述磨削液附着在晶片移动的干燥步骤ST4。在干燥步骤ST4中，卡盘台，当空气喷射喷嘴的位置位于靠近晶片100RPM或更低的中心的旋转速度，当它们被定位成靠近所述晶片的外周部下面300RPM或每分钟800转控制成这一点。点域7

10. 发明专利

JP6887313B2 ウェーハの加工方法有权
公开(公告)号：JP6887313B2
公开(公告)日：2021-06-16
申请号：JP2017107347
申请日：2017-05-31
申请人：株式会社ディスコ
发明人：小清水秀輝 , 荒谷侑里香 , 襟立真奈
IPC分类号： B24B9/00 , B24B7/04 , H01L21/683 , H01L21/304

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