专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP6952595B2 縦型熱処理装置有权
公开(公告)号：JP6952595B2
公开(公告)日：2021-10-20
申请号：JP2017244120
申请日：2017-12-20
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：木鎌英司 , 島裕巳 , 高京碩 , 菱屋晋吾 , 鈴木啓介 , 城俊彦 , 板橋賢 , 小川悟
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/316 , C23C16/455 , C23C16/42 , H01L21/31

2. 发明专利

JP2016134553A ガス供給系清浄化方法および基板処理装置有权
标题翻译：气体供应系统清洁方法和基板处理装置
公开(公告)号：JP2016134553A
公开(公告)日：2016-07-25
申请号：JP2015009444
申请日：2015-01-21
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：城俊彦 , 中山博之
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44 , H01L21/312
摘要：【課題】基板処理装置のスループットの低下を抑制しつつ、基板処理装置のガス供給系を清浄化することが可能なガス供給系清浄化方法を提供すること。【解決手段】基板処理装置のガス供給系を清浄化するガス供給系清浄化方法であって、パージガス供給源および排気装置を作動させる工程(ステップ1)と、ガス配管の、パージガス供給源側に設けられた第1のバルブを閉止し、排気装置側に設けられた第2のバルブを開放する工程(ステップ2)と、第1のバルブおよび第2のバルブの双方を開放する工程(ステップ3)と、第1のバルブを開放したまま、第2のバルブを閉止する工程(ステップ4)と、第1のバルブおよび第2のバルブの双方を開放する工程(ステップ5)と、を具備し、ステップ2からステップ5までを、設計された回数まで繰り返し行う。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够清洁基板处理装置的气体供给系统的气体供给系统清洁方法，同时抑制基板处理装置的生产量的降低。解决方案：一种用于清洁气体供应的气体供应系统清洁方法基板处理装置的系统包括：操作吹扫气体供给源和排气装置的步骤1; 关闭设置在气体管道的吹扫气体供给源侧的第一阀的阀2，并且打开设置在气体配管的排气装置侧的第二阀; 打开第一阀和第二阀两者的步骤3; 在第一阀打开的情况下关闭第二阀的步骤4; 以及打开第一阀和第二阀两者的步骤5。该方法重复步骤2至步骤5，直到设计次数。选择图：图3

3. 发明专利

JP2021052066A 成膜装置及び成膜方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021052066A
公开(公告)日：2021-04-01
申请号：JP2019173447
申请日：2019-09-24
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：佐々木優 , 城俊彦 , 加藤寿 , 高橋宏輔
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/318 , C23C16/455 , H01L21/31
摘要：【課題】膜厚の面内分布を高い精度で調整できる技術を提供する。【解決手段】本開示の一態様による成膜装置は、処理室と、前記処理室内に設けられ、基板を上面に周方向に沿って載置可能な基板載置領域を有する回転テーブルと、前記回転テーブルの上方に設けられ、前記回転テーブルの半径方向に延在する原料ガス供給部と、前記原料ガス供給部に対して前記回転テーブルの回転方向の下流側における前記回転テーブルの上方に設けられ、前記回転テーブルの前記半径方向に沿って所定間隔を有して設けられた複数の補助ガス供給部と、前記補助ガス供給部に対して前記回転テーブルの回転方向の下流側における前記回転テーブルの上方に設けられ、前記回転テーブルの前記半径方向に延在するガス排気部と、を備える。【選択図】図3

4. 发明专利

JP2019110269A 縦型熱処理装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019110269A
公开(公告)日：2019-07-04
申请号：JP2017244120
申请日：2017-12-20
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：木鎌英司 , 島裕巳 , 高京碩 , 菱屋晋吾 , 鈴木啓介 , 城俊彦 , 板橋賢 , 小川悟
IPC分类号： H01L21/318 , H01L21/316 , C23C16/455 , C23C16/42 , H01L21/31
摘要：【課題】基板処理領域のガスの流れの偏りを低減しつつ、ガスノズルの内壁への分解物の付着量を低減することが可能な縦型熱処理装置を提供すること。【解決手段】一実施形態の縦型熱処理装置は、基板保持具に複数の基板を上下方向に所定間隔を有して略水平に保持した状態で、前記複数の基板に原料ガスを供給して膜を形成する縦型熱処理装置であって、前記基板保持具を収容する内管と、前記内管の外側に配置される外管と、を含む処理容器と、前記内管の内周面に沿って上下に延びて設けられ、先端が前記内管の内部から外部に貫通するガスノズルと、を有し、前記ガスノズルには、前記内管の内部に前記原料ガスを供給する第1のガス孔と、前記内管の外部に前記原料ガスを供給する第2のガス孔と、が形成されている。【選択図】図1

5. 发明专利

JP6316759B2 ガス供給系清浄化方法および基板処理装置有权
公开(公告)号：JP6316759B2
公开(公告)日：2018-04-25
申请号：JP2015009444
申请日：2015-01-21
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：城俊彦 , 中山博之
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44 , H01L21/312

6. 发明专利

JP2015178663A 重合膜の耐薬品性改善方法、重合膜の成膜方法、重合膜の成膜装置、および被処理体搬送機構审中-公开
标题翻译：聚合物膜的耐化学改性方法，聚合物膜的沉积方法，聚合物膜和工件输送机理的沉积装置
公开(公告)号：JP2015178663A
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：JP2014056947
申请日：2014-03-19
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：城俊彦
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/312 , C23C14/12 , B65G49/07 , H01L21/677 , C23C14/58
摘要：【課題】重合膜の耐薬品性を向上させることが可能であり、かつ、重合膜の耐薬品性を向上させるために新たな処理装置を別途必要としない重合膜の耐薬品性改善方法を提供すること。【解決手段】被処理体の被処理面上に成膜され、薬品によって処理される重合膜の耐薬品性を改善する重合膜の耐薬品性改善方法であって、重合膜の耐薬品性を改善する熱処理を、被処理体1を搬送する被処理体搬送機構130において行う。【選択図】図3G
摘要翻译：要解决的问题：提供能够提高聚合物膜的耐化学性的聚合物膜的耐化学性改进方法，并且分配用于提高聚合物膜的耐化学性的新的分离处理单元。解决方案：在耐化学性在高分子薄膜中提高耐化学性的改进方法，该聚合物薄膜用于改善沉积在待处理工件的表面上的化学药物的性能，并且通过化学处理，用于提高聚合物薄膜的耐化学性的热处理在用于输送工件1的工件传送机构130。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式