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2. 发明专利

JP5804644B2 超音波ワイヤボンディング装置および超音波ワイヤボンディング方法有权
标题翻译：超声波引线接合装置和超声波引线接合方法
公开(公告)号：JP5804644B2
公开(公告)日：2015-11-04
申请号：JP2012034715
申请日：2012-02-21
申请人：超音波工業株式会社 , 学校法人早稲田大学
发明人：巽宏平 , 濱田賢祐
IPC分类号： H01L21/607
CPC分类号： H01L24/78 , H01L24/85 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2224/78313 , H01L2224/7855 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2924/01047 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/351

3. 发明专利

JP2020035983A 半導体素子接合構造、半導体素子接合構造の生成方法及び導電性接合剤审中-公开
公开(公告)号：JP2020035983A
公开(公告)日：2020-03-05
申请号：JP2018163838
申请日：2018-08-31
申请人：学校法人早稲田大学
发明人：巽宏平 , 田中康紀
IPC分类号： H01L21/52
摘要：【課題】Niよりも硬度が低く、粒径がマイクロサイズの金属粒子とNiとを半導体素子と被接合体との間に介在させることで、半導体素子と被接合体とを強固に接合すると共に、熱膨張差による熱応力を緩和することができる半導体素子接合構造を提供する。【解決手段】ニッケル(Ni)よりも硬度が低く、粒径がマイクロサイズの金属粒子5(例えば、アルミニウム(Al))を半導体チップ3と当該半導体チップ3に接合する基板2との間に複数介在させ、金属粒子5をニッケル(Ni)で固着接合するものである。また、必要に応じて、前記金属粒子5をアルミニウム(Al)又はアルミニウム合金(Al合金)とし、前記半導体チップ3の表面、及び/又は基板2の表面がアルミニウム(Al)又はアルミニウム合金(Al合金)とするものである。【選択図】図1

4. 发明专利

JP6551909B2 電極接続方法及び電極接続構造有权
公开(公告)号：JP6551909B2
公开(公告)日：2019-07-31
申请号：JP2015541631
申请日：2014-10-09
申请人：学校法人早稲田大学
发明人：巽宏平
IPC分类号： H05K3/32 , H05K1/14 , H01L21/60

5. 发明专利

JP6061427B2 電子部品の接合材、接合用組成物、接合方法、及び電子部品有权
标题翻译：的电子部件的接合材料，该粘合组合物，该接合方法和电子部件
公开(公告)号：JP6061427B2
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：JP2013520582
申请日：2012-06-14
申请人：学校法人早稲田大学
发明人：巽宏平 , 山田勝弘 , 野本英朗 , 井上修治 , 河野巧
IPC分类号： B22F1/00 , B22F1/02 , H01L25/065 , H01L25/07 , H01L25/18 , B82Y30/00 , H01L21/52
CPC分类号： C22C19/03 , B22F1/0018 , B22F1/02 , B82Y30/00 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/04026 , H01L2224/05075 , H01L2224/05155 , H01L2224/05171 , H01L2224/05186 , H01L2224/05644 , H01L2224/29294 , H01L2224/29355 , H01L2224/29486 , H01L2224/2949 , H01L2224/32245 , H01L2224/83192 , H01L2224/83444 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/20106 , H01L2924/20107 , H01L2924/20108 , H01L2924/20109 , H01L2924/2011 , H01L2924/351

6. 发明专利

JP2015093296A 金属ナノ粒子を用いた金属接合構造及び金属接合方法有权
标题翻译：使用金属纳米材料的金属接头结构和金属接合方法
公开(公告)号：JP2015093296A
公开(公告)日：2015-05-18
申请号：JP2013233118
申请日：2013-11-11
申请人：新日鐵住金株式会社 , 学校法人早稲田大学
发明人：巽宏平 , 石川信二 , 松原典恵 , 田中將元
IPC分类号： H01L21/60 , B23K20/00
CPC分类号： H01L24/32
摘要：【課題】2つの被接合金属材料同士を金属ナノ粒子を用いて接合するに際し、一方又は両方の被接合材表面がAlであっても、良好な金属接合を可能にする金属接合構造及び金属接合方法を提供する。【解決手段】第1被接合体1の被接合面(第1被接合面)と第2被接合体2の被接合面(第2被接合面)との間に金属ナノ粒子を含む接合層5が形成され、接合層中の金属ナノ粒子によって第1接合面と第2接合面とが接合されてなる接合構造であって、第1被接合面と第2被接合面の一方又は両方はAl又はAl合金であり、金属ナノ粒子はNiナノ粒子であることを特徴とする金属接合構造である。金属ナノ粒子としてNiナノ粒子を用いることにより、たとえ第1被接合面と第2被接合面の一方又は両方がAl又はAl合金であっても、両者の接合が可能となる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供金属接合结构和金属接合方法，当使用金属纳米颗粒接合两种待接合的金属材料时，即使金属接合结构中的一种或两种的金属接合待接合的材料包括Al.SOLUTION：一种金属接头结构，其中在第一接合体1的接合表面（第一接合表面）和第一接合体的接合表面（第二接合表面）之间形成有包含金属纳米颗粒的接合层5，第二接合体2，第一接合面和第二接合面在接合层中被金属纳米粒子接合。在金属接头结构中，第一接合表面和第二接合表面中的一个或两个包括Al或Al合金，并且金属纳米颗粒包括Ni纳米颗粒。通过使用Ni纳米颗粒作为金属纳米颗粒，即使所述两个接合表面中的一个或两个包括Al或Al合金，第一接合表面和第二接合表面都可以接合。

7. 发明专利

JP2015093295A 金属ナノ粒子を用いた金属接合構造及び金属接合方法並びに金属接合材料有权
标题翻译：使用金属纳米材料的金属接合结构和金属接合方法和金属接合材料
公开(公告)号：JP2015093295A
公开(公告)日：2015-05-18
申请号：JP2013233117
申请日：2013-11-11
申请人：新日鐵住金株式会社 , 学校法人早稲田大学
发明人：巽宏平 , 石川信二 , 松原典恵 , 田中將元
IPC分类号： H01L21/52 , B22F1/00 , B23K35/28 , B23K35/30 , B23K20/00
CPC分类号： H01L24/32 , H01L24/83
摘要：【課題】2つの被接合金属材料同士を金属ナノ粒子を用いた接合層によって接合するに際し、2つの被接合材の熱変形量が相違する場合であっても、接合層の接合強度を十分に保持することのできる金属接合構造及び金属接合方法並びに金属接合材料を提供する。【解決手段】第1被接合体1の被接合面(第1被接合面)と第2被接合体2の被接合面(第2被接合面)との間に、金属ナノ粒子を含む第1接合層6、金属箔層7、金属ナノ粒子を含む第2接合層8がこの順に形成されていることを特徴とする金属接合構造である。第1被接合体1と第2被接合体2の熱膨張量に差があっても、接合構造中の金属箔層7が変形することによって熱膨張量の差を吸収することができ、第1接合層6と第2接合層8のせん断変形量を低減し、接合強度の低下を防止することができる。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了提供一种金属接头结构，当通过使用金属纳米颗粒的接合层将待接合的两种金属材料接合时，即使所述两种材料将被接合，也可以充分地保持接合层的接合强度具有不同的热变形量，金属接合方法和金属接合材料。金属接头结构，其特征在于，包含金属纳米颗粒的第一接合层6，金属箔层7和含有金属的第二接合层8 在第一接合体1的接合面（第一接合面）和第二接合体2的第二接合面（第二接合面）之间依次形成纳米颗粒。即使在第二接合体2的热膨胀量之间存在差第一待接合材料和第二待接合材料的接合结构中的金属箔层7的变形可以吸收差异，剪切变形量可以减小第一接合层6和第二接合层8，并且可以防止接合强度的降低。

8. 发明专利

JPWO2018212342A1 パワー半導体モジュール装置及びパワー半導体モジュール製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018212342A1
公开(公告)日：2020-03-19
申请号：JP2018019354
申请日：2018-05-18
申请人：学校法人早稲田大学
发明人：巽宏平
IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/12 , H01L21/301 , H01L25/07
摘要：平面上に配列された半導体素子間を絶縁体で支持すると共に、表面側又は裏面側の少なくとも一方から厚膜めっきにより半導体素子間を電気的に接続しつつ、上方向又は下方向の少なくとも一方から支持するパワー半導体モジュール装置及びパワー半導体モジュール製造方法を提供する。平面上に面一に配列する複数の半導体素子間が絶縁性の支持体で固定され、当該半導体素子同士を表面側又は裏面側の少なくとも一方の面で電気的に接続する第1面側電極として形成されている第1厚膜めっき層14を有しており、第1厚膜めっき層14が半導体素子を上下方向の少なくとも一方から支持する。また、前記第1面側電極と反対側の面に、前記半導体素子の電極とエッジを介して接続する接続面を有する配線金属基板83を有することが可能であり、前記第1厚膜めっき層14と前記配線金属板83とが半導体素子を上下方向から支持することができる。

9. 发明专利

JP2019195029A 耐熱評価用TEG 审中-公开
公开(公告)号：JP2019195029A
公开(公告)日：2019-11-07
申请号：JP2018088878
申请日：2018-05-02
申请人：学校法人早稲田大学 , 株式会社ウォルツ
发明人：巽宏平 , 川邉直樹
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/20 , H01L21/822
摘要：【課題】SiCを用いたパワー半導体デバイスの耐熱評価をSiCチップの表面側と裏面側との間に電流を通電する縦型の導通構造で行うことができる耐熱評価用TEGを提供する。【解決手段】高抵抗のSiCチップ2の表面に表面電極5が形成されており、SiCチップ2の裏面側に金属電極膜の裏面電極4が形成されており、当該裏面電極4と表面電極5との間に電流を通電してSiCチップ2を発熱する。このとき、高抵抗のSiCチップ2は、低抵抗のSiCチップ2の表面側に高抵抗のエピタキシャル単結晶層(エピ層3)が形成されている。また、SiCチップ2の表面であって表面電極5が形成されていない領域に、温度測定を行う温度センサ部6が、SiCチップ2との間に絶縁層8を介して積層されている。【選択図】図1

10. 发明专利

JP6384894B2 金属ナノ粒子を用いた金属接合構造及び金属接合方法並びに金属接合材料审中-公开
公开(公告)号：JP6384894B2
公开(公告)日：2018-09-05
申请号：JP2013233117
申请日：2013-11-11
申请人：新日鐵住金株式会社 , 学校法人早稲田大学
发明人：巽宏平 , 石川信二 , 松原典恵 , 田中將元
IPC分类号： H01L21/52 , B22F1/00 , B23K35/28 , B23K35/30 , B23K20/00
CPC分类号： H01L24/32 , H01L24/83 , H01L2224/8384

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