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1. 发明专利

JPWO2019131629A1 溶液中の金属不純物を除去する金属除去剤及び金属除去方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019131629A1
公开(公告)日：2020-12-24
申请号：JP2018047565
申请日：2018-12-25
申请人：日産化学株式会社
发明人：谷口博昭 , 窪寺俊 , 孫軍
IPC分类号： C02F1/42 , B01J20/28 , B01J45/00 , B01D15/00 , C02F1/28 , B01J20/22
摘要：【課題】多価金属、多価金属イオンや、その帯電性金属酸化物コロイド粒子を、1種類のキレート樹脂ではなく、特定のキレート樹脂を組み合わせた金属吸着剤により被精製材料が溶解又は分散した組成物中から除去し、高純度化された精製材料組成物を得る。【解決手段】キレート剤(A)とキレート剤(B)とを含む溶液中の金属不純物を除去する金属吸着剤であって、キレート剤(A)はグルカミン型の官能基を含む担体を含む金属吸着剤であり、キレート剤(B)はチオール基、チオウレア基、アミノ基、トリアザビシクロデセン誘導基、チオウロニウム基、イミダゾール基、スルホン酸基、ヒドロキシ基、アミノ酢酸基、アミドオキシム基、アミノリン酸基、又はそれらの組み合わせを含む担体を含む金属吸着剤である、金属吸着剤。キレート剤(A)及びキレート剤(B)の担体は、シリカ、シリカ成分含有物質、ポリスチレン、又は架橋化多孔質ポリスチレンであり、前記溶液は水又は有機溶剤を含有する溶液である。【選択図】なし

2. 发明专利

JPWO2019059398A1 保存安定性に優れたポリシロキサンの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019059398A1
公开(公告)日：2020-11-05
申请号：JP2018035398
申请日：2018-09-25
申请人：日産化学株式会社
发明人：遠藤勇樹 , 谷口博昭 , 中島誠
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/26 , C08G77/38
摘要：【課題】高い耐熱性、絶縁性、耐エッチング性を有する水素化ポリシロキサンを、保存安定性を向上させた製造方法であり、保存安定性が向上することにより塗布膜として平坦化性も向上させた水素化ポリシロキサン組成部を提供する。【解決手段】ポリシロキサンのシラノール基をキャッピングするための化合物であって、式(1): 【化1】 (式(1)中、R 1 はアルキル基、又はアリール基を示し、R 2 はアルコキシ基を示し、aは1〜2の整数を示す。)で表される構造を有する上記化合物。加水分解性シランの加水分解縮合物を得る第1工程と、式(1)で表される化合物を用いて該加水分解縮合物中のシラノール基をキャッピングする第2工程を含むポリシロキサンの製造方法。第1工程に用いられる加水分解性シランは下記式(2): 【化2】 (式(2)中、R 3 は水素原子を示す。)で表される加水分解性シランを含む。【選択図】なし

3. 发明专利

JP2020173457A レジストパターン塗布用組成物审中-公开
公开(公告)号：JP2020173457A
公开(公告)日：2020-10-22
申请号：JP2020108222
申请日：2020-06-23
申请人：日産化学株式会社
发明人：柴山亘 , 中島誠 , 志垣修平 , 谷口博昭 , 坂本力丸
IPC分类号： G03F7/26 , H01L21/027 , G03F7/20 , C08G77/04 , G03F7/40
摘要：【課題】レジストパターンに塗布しガスエッチング速度差を利用してパターンの反転を行うための組成物を提供する。【解決手段】下記(A)成分及び(B)成分を含みレジストパターンに塗布しガスエッチング速度差を利用してパターンを反転させる組成物であり、 (A)成分:ポリ酸(a2)、ポリ酸塩(a3)、加水分解性シラン(a4)、上記加水分解性シランの加水分解物(a5)、及び上記加水分解性シランの加水分解縮合物(a6)からなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物、 (B)成分:水性溶媒、上記加水分解性シラン(a4)が第3級アミノ基を有する有機基を含む加水分解性シラン(i)、イオン性官能基を有する有機基を含む加水分解性シラン(ii)、又はヒドロキシル基を有する有機基を含む加水分解性シラン(iii)を含み、ポリ酸(a2)がモリブデン酸からなるイソポリ酸、又はケイタングステン酸、若しくはリンモリブデン酸から選ばれるヘテロポリ酸であり、ポリ酸塩(a3)がモリブデン酸からなるイソポリ酸のアンモニウム塩、又はケイタングステン酸、若しくはリンモリブデン酸から選ばれるヘテロポリ酸のアンモニウム塩である、組成物。【選択図】なし

4. 发明专利

JP2020163372A エポキシ樹脂中の金属不純物を除去する金属吸着剤及び金属除去方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020163372A
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：JP2020039072
申请日：2020-03-06
申请人：日産化学株式会社
发明人：谷口博昭 , 窪寺俊 , 孫軍
IPC分类号： B01D15/00 , C02F1/42 , B01J39/05 , B01J39/20 , B01J47/011 , B01J47/02 , C08F12/30 , B01J20/26
摘要：【課題】半導体製造工程に用いられるレジスト下層膜形成組成物として使用されるエポキシ樹脂を吸着、変性することなく、金属不純物を被精製材料が溶解した組成物中から除去し、高純度化された精製材料組成物を得ること。【解決手段】ゲル型の担持体を有するスルホニル基含有カチオン性イオン交換樹脂(A)とキレート剤(B)とを含む溶液中の金属不純物を除去する金属吸着剤であって、該キレート剤(B)はチオウレア基又はチオウロニウム基を含む担体からなる金属吸着剤。前記溶液が、水又は有機溶剤を含有する溶液である。【選択図】なし

5. 发明专利

JPWO2017145808A1 シリコン含有組成物を用いた半導体基板の平坦化方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017145808A1
公开(公告)日：2018-12-13
申请号：JP2017004918
申请日：2017-02-10
申请人：日産化学株式会社
发明人：志垣修平 , 谷口博昭 , 中島誠
IPC分类号： H01L21/3065 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/316
CPC分类号： B05D7/24 , G03F7/20 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要：シリコン含有組成物を用いた半導体基板を平坦に被覆するための方法を提供する。段差基板上に、第一被覆用ポリシロキサン組成物を塗布・焼成して第一ポリシロキサン被覆膜を作成する第一工程、さらに第一ポリシロキサン被覆膜の上に、第一被覆用ポリシロキサンとは異なる第二被覆用ポリシロキサン組成物を塗布・焼成して第二ポリシロキサン被覆膜を作成する第二工程を経て製造される、ポリシロキサン被覆基板の製造方法であって、上記第二ポリシロキサン被覆膜のIso−denseバイアスが50nm以下であり、上記第一被覆用ポリシロキサンが、全シラン中、一分子あたり4つの加水分解性基を有する第一加水分解性シランを0〜100モル%となる割合で含む加水分解性シラン原料の加水分解縮合物を含み、上記第二被覆用ポリシロキサンが、Si原子に対し、シラノール基を30モル%以下の割合で含み、且つ重量平均分子量が1,000〜50,000である。

6. 发明专利

JP6540971B2 SOCパターン上でのパターン反転のための被覆用組成物有权
公开(公告)号：JP6540971B2
公开(公告)日：2019-07-10
申请号：JP2016545425
申请日：2015-08-11
申请人：日産化学株式会社
发明人：谷口博昭 , 中島誠 , 柴山亘 , 武田諭 , 若山浩之 , 坂本力丸
IPC分类号： G03F7/26 , H01L21/027 , G03F7/40

7. 发明专利

JP2020164506A アルコキシケイ素化合物の精製方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020164506A
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：JP2020033966
申请日：2020-02-28
申请人：日産化学株式会社
发明人：窪寺俊 , 谷口博昭 , 孫軍
IPC分类号： C07F7/18
摘要：【課題】本発明は、硫黄原子および窒素原子を含有する官能基を有するキレート樹脂で金属不純物を含む被精製アルコキシケイ素化合物を処理することでキレート樹脂への被精製アルコキシケイ素化合物の吸着量が少なく、且つ、金属不純物を低減させることができるアルコキシ化合物の精製方法およびアルコキシケイ素化合物を提供することを目的とする。【解決手段】下記式(1−1)〜(1−3)のいずれかで表される官能基を有するキレート樹脂で処理する。【化1】 (式(1−1)〜(1−3)中、*は担体とする樹脂との結合端を表す) 【選択図】なし

8. 发明专利

JPWO2018066515A1 パターン反転のための被覆組成物审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018066515A1
公开(公告)日：2019-07-18
申请号：JP2017035827
申请日：2017-10-02
申请人：日産化学株式会社
发明人：谷口博昭 , 中島誠 , 遠藤勇樹 , 柴山亘 , 志垣修平
IPC分类号： C09D5/00 , B05D1/32 , B05D1/36 , B05D3/10 , B05D7/00 , B05D7/24 , G03F7/40 , H01L21/027 , C09D183/04
摘要：【課題】被加工基板上に形成されたレジストパターンを下層に転写した有機下層膜のパターンに対し、パターン間隙を埋めると共に、平坦な膜を形成するパターン反転用被覆組成物を提供する。【解決手段】レジストパターンを下層に転写した有機下層膜上に被覆される被覆組成物であり、該被覆組成物は全シラン中に4つの加水分解性基を分子内に有する加水分解性シランが50モル%乃至100モル%の割合となる加水分解性シランの加水分解縮合物のシラノール基がアルコールと反応したポリシロキサンを含む被覆組成物。加水分解性シランが式(1): 【化1】において、aが0である加水分解性シランを50モル%乃至100モル%、aが1乃至2である加水分解性シランを0モル%乃至50モル%の割合で含むものである。アルコールがプロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル又は3−メトキシブタノールである。【選択図】図1

9. 发明专利

JP6418412B2 添加剤を含むケイ素含有EUVレジスト下層膜形成組成物审中-公开
公开(公告)号：JP6418412B2
公开(公告)日：2018-11-07
申请号：JP2016225412
申请日：2016-11-18
申请人：日産化学株式会社
发明人：志垣修平 , 谷口博昭 , 柴山亘 , 坂本力丸 , 何邦慶
IPC分类号： G03F7/11 , H01L21/027 , G03F7/26
CPC分类号： H01L21/3081 , C08G77/26 , C08G77/388 , C09D183/04 , C09D183/08 , G03F7/0751 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/3086 , C08K5/548 , C08K5/5455

10. 发明专利

JP6978731B2 アセタール保護されたシラノール基を含むポリシロキサン組成物有权
公开(公告)号：JP6978731B2
公开(公告)日：2021-12-08
申请号：JP2018537257
申请日：2017-08-28
申请人：日産化学株式会社
发明人：遠藤勇樹 , 谷口博昭 , 中島誠
IPC分类号： C08G77/38 , G03F7/40 , G03F7/075 , G03F7/038 , H01L21/027 , C09D183/04

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