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    • 1. 发明专利
    • 半導体製造装置
    • 半导体制造设备
    • JP2015015330A
    • 2015-01-22
    • JP2013140360
    • 2013-07-04
    • 日新イオン機器株式会社Nissin Ion Equipment Co Ltd
    • ADACHI MASAKAZU
    • H01L21/677
    • 【課題】基板の反りを軽減させるとともに、半導体製造装置の生産性を改善する。【解決手段】基板15を静電吸着する静電吸着部27と、基板15を加熱あるいは冷却する温度制御部28を備えた基板保持装置22と、基板15を搬送し、所定の受け渡し準備位置で基板保持装置22への基板15の受け渡し準備を行う搬送アーム12と、搬送アーム12が受け渡し準備位置にあるときに、基板保持装置22と搬送アーム12の少なくとも一方を移動させる基板受け渡し機構とを備えた半導体製造装置で、搬送アーム12には弾性体16が取り付けられていて、基板15の処理に先立って、基板保持装置22に設けられた温度制御部28での加熱あるいは冷却を開始し、搬送アーム12から基板15を基板保持装置22に受け渡した後、搬送アーム12に取り付けられた弾性体16を基板15の被処理面に押し圧させた状態で基板保持装置22への基板15の静電吸着を行う。【選択図】図2
    • 要解决的问题:为了减轻基板的翘曲并提高半导体制造装置的生产率。解决方案:半导体制造装置包括:执行基板15的静电吸引的静电吸引部27; 具有用于加热或冷却基板15的温度控制器28的基板保持装置22; 输送基板15的输送臂12,并且在预定的配送准备位置进行基板15向基板保持装置22的输送准备; 以及当输送臂12处于配送准备位置时移动基板保持装置22和输送臂12中的至少一个的基板输送机构。 弹性体16安装在输送臂12上。在基板15的加工之前,开始在设置在基板保持装置22中的温度控制器28上进行加热或冷却。 在将基板15从输送臂12输送到基板保持装置22之后,将安装在输送臂12上的弹性体16压在基板15的被处理面上的状态下,基板15的静电吸引 执行到基板保持装置22。
    • 2. 发明专利
    • 静電チャックシステムおよび半導体製造装置
    • 静电切割系统和半导体制造装置
    • JP2015015372A
    • 2015-01-22
    • JP2013141349
    • 2013-07-05
    • 日新イオン機器株式会社Nissin Ion Equipment Co Ltd
    • ADACHI MASAKAZU
    • H01L21/683H02N13/00
    • H01L21/6833H01L21/67248
    • 【課題】基板を静電吸着する際に、基板の温度変化による応力の開放を効果的に行うとともに、基板の反りによる変形を改善することのできる静電チャックシステムを提供する。【解決手段】基板5を静電的に吸着する吸着面4を有するチャック本体1と、吸着面4に吸着力を発生させる電極部2と、基板5の温度を所定温度に調整する温度調整部3と、電極部2への印加電圧を制御する制御装置10と、を有する静電チャックシステムで、基板5のチャック本体4への静電吸着が完了する前に、制御装置10は、第一の値から第一の値よりも絶対値が大きい第二の値に段階的、直線的あるいは二次関数的に変化する第一の波形と、矩形波、三角波、鋸波あるいは正弦波のいずれかからなる周期的な第二の波形を重畳した電圧波形を電極部2に印加する。【選択図】図2
    • 要解决的问题:提供一种静电吸盘系统,其能够有效地释放由基板的静电吸引引起的基板的温度变化引起的应力,并且改善由基板翘曲引起的变形。解决方案:静电卡盘系统包括: 夹具主体1具有静电吸引基板5的吸附面4; 在吸引面4上产生吸引力的电极部2; 将基板5的温度调整为规定温度的温度调节部3; 控制装置10控制对电极部2的施加电压。在对基板5的卡盘主体4的静电吸引结束之前,控制装置10向电极部2施加通过将第一波形 从绝对值大于第一值的第一值到第二值的第二值,或者由包括矩形波,三角波,锯齿形的任何一个的周期性第二波形线性地或二次地改变, 齿波和正弦波。