专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

2. 发明专利

JP2021150635A 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021150635A
公开(公告)日：2021-09-27
申请号：JP2020128653
申请日：2020-07-29
申请人：富士電機株式会社
发明人：辻英徳 , 寺尾豊 , 広瀬隆之 , 藤井健志 , 磯野美紀
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336
摘要：【課題】二酸化珪素層中の欠陥を低減した炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】炭化珪素半導体装置は、窒素およびホウ素を含む炭化珪素層と、炭化珪素層の上方に設けられ、窒素およびホウ素を含む二酸化珪素層と、炭化珪素層および二酸化珪素層の間に配置され、窒素およびホウ素を含む中間領域とを備え、二酸化珪素層は、中間領域との境界である第1面と、第1面とは逆側の第2面とを有し、窒素濃度ピークと、ホウ素濃度ピークとが、中間領域において重なっており、ホウ素濃度ピークは、窒素濃度ピークよりも、第2面側に広がっている。【選択図】図3

5. 发明专利

JP2015081202A 樹脂膜形成方法审中-公开
标题翻译：形成树脂膜的方法
公开(公告)号：JP2015081202A
公开(公告)日：2015-04-27
申请号：JP2013218453
申请日：2013-10-21
申请人：富士電機株式会社
发明人：磯野美紀 , 広瀬隆之
IPC分类号： C04B41/83
摘要：【課題】シラカップリング剤を用いることなく、無機材料表面に密着性の高い樹脂膜を形成する。【解決手段】無機材料表面にアミノ基を導入する工程と、熱硬化性樹脂もしくは熱可塑性樹脂、あるいはこれらの混合物からなる樹脂成分を含んでなる樹脂膜を、前記無機材料表面に形成する工程とを含む樹脂膜形成方法であって、前記樹脂成分が、カルボキシル基、カルボニル基、酸無水物、エステル基から選択される分子構造を有する、樹脂膜形成方法。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：在不使用硅烷偶联剂的情况下在无机材料的表面上形成具有高粘附性的树脂膜。提供一种形成树脂膜的方法，其包括：将氨基引入到表面中的步骤的无机材料; 以及在无机材料的表面上形成包含由它们的混合物制成的树脂成分的热固性树脂或热塑性树脂或树脂膜的步骤，树脂组分具有选自羧基，羰基，酸酐和酯的分子结构团体

6. 发明专利

JP6011056B2 ナノコンポジット樹脂組成物有权
标题翻译：纳米复合材料的树脂组合物
公开(公告)号：JP6011056B2
公开(公告)日：2016-10-19
申请号：JP2012139122
申请日：2012-06-20
申请人：富士電機株式会社
发明人：広瀬隆之 , 人見美也子
IPC分类号： C08K3/22 , C08K3/28 , C08K5/54 , C08L63/00 , H01L23/29 , H01L23/31 , C08L101/12
CPC分类号： H01L2924/0002

7. 发明专利

JP2016172899A 錫系金属膜上に樹脂層を製造する方法审中-公开
标题翻译：在金属基膜上生产树脂层的方法
公开(公告)号：JP2016172899A
公开(公告)日：2016-09-29
申请号：JP2015053293
申请日：2015-03-17
申请人：富士電機株式会社
发明人：広瀬隆之
IPC分类号： B22F1/00 , C23C26/00
摘要：【課題】錫系金属膜と樹脂との密着性を向上させる。【解決手段】母材上に設けられた錫系金属膜の表面に、前記錫系金属とは異なる金属粒子を接触させる工程と、前記金属粒子を接触させた前記錫系金属膜を、前記錫系金属の融点まで加熱し、前記金属粒子によるアンカーを備える表面を形成する工程と、前記表面に樹脂を塗布し、加熱硬化する工程とを含む、錫系金属膜上に樹脂層を製造する方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提高锡基金属膜和树脂之间的粘合性。溶液：在锡基金属膜上制造树脂层的方法包括以下步骤：将与锡基金属不同的金属颗粒与设置在母材上的锡系金属膜的表面接触; 加热金属颗粒与锡基金属膜的熔点接触的锡基金属膜，从而由金属颗粒形成包括锚的表面; 并在表面涂上树脂，然后加热硬化。选择图：图1

10. 发明专利

JP2021190666A 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021190666A
公开(公告)日：2021-12-13
申请号：JP2020098047
申请日：2020-06-04
申请人：富士電機株式会社
发明人：広瀬隆之 , 寺尾豊 , 藤井健志 , 磯野美紀 , 辻英徳 , 瀧川亜樹
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L29/06 , H01L21/316 , H01L21/336
摘要：【課題】ゲート絶縁膜と炭化珪素半導体との界面の余剰炭素を低減させることができる炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】ゲート絶縁膜を有する炭化珪素半導体装置の製造方法において、炭化珪素からなる半導体層にゲート絶縁膜を形成する工程は、まず、炭化珪素からなる半導体層のおもて面に、堆積酸化膜を形成する第1工程を行う。次に、半導体層と堆積酸化膜との界面を酸窒化する第2工程を行う。次に、界面に第1の酸素アニールを行う第3工程を行う。次に、界面に不活性ガスアニールを行う第4工程を行う。次に、界面に第2の酸素アニールを行う第5工程を行う。【選択図】図6

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB