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1. 发明专利

JP5633224B2 光半導体装置及びその駆動方法有权
标题翻译：光学半导体器件及其驱动方法
公开(公告)号：JP5633224B2
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：JP2010165167
申请日：2010-07-22
申请人：富士通株式会社
发明人：臼杵　達哉 , 達哉臼杵 , 輝雄倉橋 , 輝雄倉橋 , 関口　茂昭 , 茂昭関口
IPC分类号： G02F1/025

2. 发明专利

JP4504833B2 Private key delivery system 有权
公开(公告)号：JP4504833B2
公开(公告)日：2010-07-14
申请号：JP2005040977
申请日：2005-02-17
申请人：富士通株式会社
发明人：一矢竹本 , 達哉臼杵
IPC分类号： H04L9/12 , G02F1/015 , H04B10/00 , H04B10/272 , H04B10/548 , H04B10/70
CPC分类号： B82Y20/00 , B82Y10/00 , H04L9/0858 , H04L2209/56

3. 发明专利

JP5218351B2 Semiconductor memory device 有权
公开(公告)号：JP5218351B2
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：JP2009208186
申请日：2009-09-09
申请人：富士通株式会社
发明人：達哉臼杵 , 俊郎二木
IPC分类号： H01L21/336 , G11C16/04 , H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor memory device that can enlarge a memory capacity and can lower an operation voltage. SOLUTION: At both sides of a channel region 4 of a surface layer of a semiconductor substrate 1, there are formed a source 2 and a drain 3. A tunnel insulating film 5 is formed on the channel region 4 of the semiconductor substrate 1. A floating gate electrode 6 is arranged on the tunnel insulating film 5 in such a manner that it does not overlap the source 2 nor the drain 3. A gate insulating film 7 is formed above the channel region 4 in such a manner that it covers the floating gate electrode 6. A control gate electrode 8 is arranged on the gate insulating film 7 in such a manner as it contacts or partially overlaps the source 2 and drain 3. The Fermi level of the floating gate electrode 6 resides in the forbidden band of the channel region in a state that an external voltage is not applied between the channel region 4 and the control gate electrode 8 in state that an electric charge is injected in the floating gate electrode 6. COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT

4. 发明专利

JP4708417B2 Optical semiconductor device and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP4708417B2
公开(公告)日：2011-06-22
申请号：JP2007506927
申请日：2005-03-04
申请人：富士通株式会社
发明人：真一廣瀬 , 達哉臼杵
IPC分类号： H01L33/58 , H01L21/205 , H01L21/3065 , H01L33/38
CPC分类号： H01S5/34 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , H01L33/385 , H01S5/0425 , H01S5/3412 , Y10S438/962 , Y10S977/774 , Y10S977/932

5. 发明专利

JPWO2006095381A1 光電変換素子审中-公开
公开(公告)号：JPWO2006095381A1
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：JP2007506916
申请日：2005-02-15
申请人：富士通株式会社
发明人：臼杵　達哉 , 達哉臼杵
IPC分类号： H01L31/10
CPC分类号： H01L31/035236 , B82Y20/00 , H01L31/101
摘要：入射する光に対して電気信号を生成する光電変換素子において,シリコン基板上(Si-Sub)に,金属層または金属シリサイド層(MSi)とポリシリコン層(PSi)とからなる超格子構造が形成され,超格子構造の上端の金属層または金属シリサイド層を第1の端子(E)とし,超格子構造の下端を第2の端子(B)とし,シリコン基板を第3の端子(C)とする三端子構造の光電変換素子である。この光電変換素子は,たとえば,数nm程度の金属層(または金属シリサイド層)と少なくともそれより厚いポリシリコン層とを交互に多層化した超格子構造がシリコン半導体基板上に形成されている。そして,金属層内で入射光により励起されたキャリアが,ポリシリコン層に放出され,ホットキャリアとして第3の端子に達することで,電子信号が生成される。

6. 发明专利

JP4845375B2 Quantum device, a control method and a manufacturing method thereof 有权
公开(公告)号：JP4845375B2
公开(公告)日：2011-12-28
申请号：JP2004361675
申请日：2004-12-14
申请人：富士通株式会社
发明人：海智宋 , 達哉臼杵
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/66

7. 发明专利

JP4361479B2 Semiconductor optical element and a method of manufacturing the same 有权
公开(公告)号：JP4361479B2
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：JP2004377459
申请日：2004-12-27
申请人：富士通株式会社
发明人：真一廣瀬 , 一矢竹本 , 達哉臼杵
IPC分类号： H01L31/10 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/14 , H01L33/20 , H01L33/46 , H01L33/58

8. 发明专利

JP4190851B2 Target capturing body and target detecting device 有权
公开(公告)号：JP4190851B2
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：JP2002297941
申请日：2002-10-10
申请人：富士通株式会社
发明人：佳孝山口 , 健児有永 , 俊作武石 , 達哉臼杵 , 健志藤原 , 省三藤田
IPC分类号： G01N21/64 , G01N33/483 , C12M1/00 , C12M1/34 , C12N15/09 , G01N21/77 , G01N21/78 , G01N33/53

9. 发明专利

JPWO2004033614A1 分子放出装置及び分子放出方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2004033614A1
公开(公告)日：2006-02-09
申请号：JP2004542805
申请日：2003-06-17
申请人：富士通株式会社
发明人：藤原　健志 , 健志藤原 , 藤田　省三 , 省三藤田 , 武石　俊作 , 俊作武石 , 有永　健児 , 健児有永 , 山口　佳孝 , 佳孝山口 , 臼杵　達哉 , 達哉臼杵 , ウルリッヒラント , ウルリッヒラント , カリンブッフホルツ , カリンブッフホルツ , マークトルノー , マークトルノー
IPC分类号： C12M1/00 , A61K48/00 , A61N1/30 , C12N5/10 , C12N15/09 , C12N15/87 , C12Q1/68
CPC分类号： A61K48/0083
摘要：本発明は、DNA等の各種有用分子を効率的に、細胞等の対象への放出乃至移入可能であり、遺伝子治療等に応用することができ、安全な分子放出装置及び分子放出方法を提供することを目的とする。本発明の分子放出装置は、電位が印加された導電性部材に電気的に相互作用している分子を、該電位を変化させることによりその相互作用を解いて該導電性部材から放出させる分子放出手段を有する。導電性部材が、分子を移入させる対象の近傍に配置される又は該対象を穿刺して配置される態様、導電性部材が電極である態様、導電性部材の数が2以上である態様、電極が針状電極である態様、分子放出手段が分子を異なるタイミングで放出可能な態様、分子がイオン性ポリマーから選択される態様、等が好ましい。本発明の分子放出方法は、2以上の導電性部材に電気的に吸引されている分子を、電気的な反発力により、異なるタイミングで該導電性部材から放出させる。

10. 发明专利

JPWO2014156336A1 光受信回路审中-公开
标题翻译：光接收器电路
公开(公告)号：JPWO2014156336A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015508155
申请日：2014-02-04
申请人：日本電気株式会社 , 富士通株式会社
发明人：大典岡本 , 大典岡本 , 藤方　潤一 , 潤一藤方 , 臼杵　達哉 , 達哉臼杵
IPC分类号： H03F3/08
CPC分类号： H04B10/697 , H03F3/08 , H04B10/0795 , H04B10/693 , H04L25/085
摘要：差動光信号を差動電流信号に変換する機能を有する光受信回路であって、光信号を電流信号に変換する第1及び第2の受光素子を含む受光素子対と、1対の信号線とを有する。第1の受光素子の陽極と前記第2の受光素子の陰極とがそれぞれ交流結合用の第1および第2のキャパシタを介して前記1対の信号線の第1の信号線に接続され、前記第1の受光素子の陰極と前記第2の受光素子の陽極とがそれぞれ交流結合用の第3および第4のキャパシタを介して前記1対の信号線の第2の信号線に接続される。前記第1および第2の受光素子に入力される差動光信号の受信に応答して、前記第1および第2の信号線に差動の信号電流が生成される。
摘要翻译：其具有所述差分光信号转换为差动电流信号，光接收元件对包括第一和第二光接收元件，用于将光信号转换成电流信号，一对信号线的功能的光接收器电路同门。被连接到所述第一阳极和所述第二光的第一信号线接收所述一对信号线的阴极，并通过为每个光的元件的AC耦合的第一和第二电容器接收元件，其特征在于被连接到所述第一的第二信号线经由所述阴极的第三和第四电容器和每个光接收元件的AC耦合的第二光接收元件的阳极对信号线。响应于接收输入到第一和第二光接收元件的差分光信号，在第一和第二信号线，对生成差分信号电流。

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