专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JPWO2015125853A1 転写フィルム、転写フィルムの製造方法、透明積層体、透明積層体の製造方法、静電容量型入力装置および画像表示装置有权
公开(公告)号：JPWO2015125853A1
公开(公告)日：2017-03-30
申请号：JP2016504152
申请日：2015-02-19
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：漢那　慎一 , 慎一漢那
IPC分类号： B32B7/02 , B32B33/00 , G06F3/041
CPC分类号： G06F3/044 , B32B3/10 , B32B3/30 , B32B7/02 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/308 , B32B27/325 , B32B37/00 , B32B2264/102 , B32B2307/202 , B32B2307/412 , B32B2307/418 , B32B2457/00 , B32B2457/20 , B32B2457/208 , C09D123/06 , G06F3/041 , G06F2203/04103
摘要：仮支持体と、仮支持体に直接接するように隣接して配置された第一の硬化性透明樹脂層と、第一の硬化性透明樹脂層に直接接するように隣接して配置された第二の硬化性透明樹脂層とをこの順で有し、第二の硬化性透明樹脂層の屈折率が第一の硬化性透明樹脂層の屈折率よりも高く、第二の硬化性透明樹脂層が第二の硬化性透明樹脂層の全固形分に対して金属酸化物粒子を28.1〜95質量%含有する転写フィルムは、透明電極パターンが視認される問題がない透明積層体を形成することができる;転写フィルムの製造方法;透明積層体の製造方法;透明積層体;静電容量型入力装置;画像表示装置。

2. 发明专利

JPWO2014077228A1 感光性転写材料、感光性低屈折率転写層を有する基板、感光性低屈折率転写層の製造方法、永久膜の形成方法、光学デバイスの製造方法有权
标题翻译：光敏转印材料中，具有基板光敏性低折射率转移层，制造感光低折射率转移层，用于形成永久性的膜，制造光学器件的方法的方法的方法
公开(公告)号：JPWO2014077228A1
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：JP2014546978
申请日：2013-11-12
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：中村　秀之 , 秀之中村 , 藤本　進二 , 進二藤本 , 漢那　慎一 , 慎一漢那
IPC分类号： G03F7/004 , B32B7/02 , B32B27/18 , B32B27/30 , F21S2/00 , G02B1/111 , G02B5/20 , G03F7/027 , G03F7/038
CPC分类号： C08F290/12 , B32B3/30 , B32B5/142 , B32B27/08 , B32B27/20 , B32B27/308 , B32B2264/102 , B32B2307/418 , B32B2457/00 , B32B2457/202 , C08F299/00 , G03F7/028 , G03F7/032 , G03F7/038
摘要：低屈折率であり、光伝達効率が高く、転写後の面内膜厚均一性に優れた層を得ることができる感光性転写材料を提供することを目的とする。本発明の感光性転写材料は、支持体上に少なくとも感光性低屈折率材料層を有し、上記感光性低屈折率材料層が、(成分A)中空又は多孔質粒子と、(成分B)光重合開始剤と、(成分C)重合性官能基を有するポリマーと、(成分D)モノマーと、を含有することを特徴とする。また、本発明の基板は、上記感光性転写材料から上記感光性低屈折材料層を転写した感光性低屈折率転写層を有する。
摘要翻译：低折射率，光透射效率很高，并且其目的在于提供一种能够与转印后具有优异的面内膜厚均一获得的层的光敏转印材料上。本发明的感光性转印材料至少具有光敏低折射率材料层上的支撑，感光低折射率材料层，以及（成分A）中空或多孔粒子，（B成分）和光聚合引发剂，具有（C成分）的聚合物聚合性官能团，其特征在于，它包含，和（成分D）的单体。本发明的基材具有从感光性转印材料转印到感光低折射材料层光敏性低折射率转移层。

3. 发明专利

JP5277203B2 Pattern forming method, for multiple development used in the pattern forming method The positive resist composition, the pattern negative development for the developing solution used for the formation method and the pattern forming negative development rinse solution used in the method 有权
公开(公告)号：JP5277203B2
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：JP2010123583
申请日：2010-05-28
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：英明椿 , 慎一漢那
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/32
CPC分类号： G03F7/2024 , G03F7/32
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for stably forming a high-precision fine pattern for use in a process of producing a semiconductor such as an IC, in a production of a circuit board for a liquid crystal, a thermal head and the like, and in other photofabrications, and to provide a resin composition used for the method, a developer for the method, and a rinsing solution for negative development used in the method. SOLUTION: The pattern forming method includes: (I) coating a substrate with a positive resist composition of which solubility in a positive developer increases and solubility in a negative developer decreases upon irradiation with actinic rays or radiation, so as to form a resist film; (II) exposing the resist film; and (III) developing the resist film with a negative developer. The invention also provides a positive resist composition for multiple-development used in the method, a developer for use in the method, and a rinsing solution for negative development used in the method. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

4. 发明专利

JP5222804B2 The resist composition and pattern forming method using the same 有权
公开(公告)号：JP5222804B2
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：JP2009159317
申请日：2009-07-03
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：陽樹稲部 , 慎一漢那 , 表高橋 , 博美神田
IPC分类号： G03F7/004 , C08F216/14 , C08F220/06 , C08F220/28 , C08F222/06 , C08F232/04 , C08F234/02 , G03F7/039 , G03F7/38 , H01L21/027

5. 发明专利

JP5114021B2 Pattern forming method 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP5114021B2
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：JP2006157227
申请日：2006-06-06
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：慎一漢那 , 陽樹稲部 , 博美神田
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要： A pattern forming method which uses a positive resist composition comprises: (A) a fluorine-free resin capable of increasing its solubility in an alkaline developer under action of an acid; (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation; (C) a fluorine-containing resin having at least one group selected from the group consisting of (X) an alkali-soluble group, (XI) a group capable of decomposing under action of an alkali developer and increasing solubility of the resin (C) in an alkaline developer and (XII) a group capable of decomposing under action of an acid and increasing solubility of the resin (C) in an alkaline developer; and (D) a solvent, the method comprising: (i) a step of applying the positive resist composition to a substrate to form a resist coating; (ii) a step of exposing the resist coating to light via an immersion liquid; (iii) a step of removing the immersion liquid remaining on the resist coating; (iv) a step of heating the resist coating; and (v) a step of developing the resist coating.
摘要翻译：使用正性抗蚀剂组合物的图案形成方法包括：（A）能够在酸的作用下增加其在碱性显影剂中的溶解度的无氟树脂; （B）能够在用光化射线或辐射照射时能产生酸的化合物; （C）具有选自（X）碱溶性基团（XI）中的至少一种基团的含氟树脂，（XI）能够在碱性显影剂的作用下分解的基团和增加树脂的溶解度（C ）和（XII）能够在酸的作用下分解并增加树脂（C）在碱性显影剂中的溶解度的基团; 和（D）溶剂，所述方法包括：（i）将正性抗蚀剂组合物施加到基材以形成抗蚀剂涂层的步骤; （ii）通过浸没液体使抗蚀剂涂层曝光的步骤; （iii）去除残留在抗蚀剂涂层上的浸渍液体的步骤; （iv）加热抗蚀剂涂层的步骤; 和（v）开发抗蚀剂涂层的步骤。

6. 发明专利

JP4871549B2 The positive resist composition and pattern forming method using the same 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP4871549B2
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：JP2005247408
申请日：2005-08-29
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：慎一漢那 , 博美神田
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/004 , G03F7/075 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a positive resist composition improved in PEB temperature dependency and improved also in line edge roughness in pattern formation by immersion exposure and a pattern forming method using the same, with respect to a positive resist composition for use in a process of producing a semiconductor such as IC, in production of a circuit board of a liquid crystal, a thermal head or the like, and in another lithography process of photo application, and a pattern forming method using the same. SOLUTION: The positive resist composition comprises (A) a resin having an acid decomposable group and having solubility in an alkali developer increased by the action of an acid, (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with an actinic ray or radiation, (C) an alkali-soluble resin having a glass transition temperature (Tg) of ≥110°C, having no acid decomposable group, and containing fluorine atoms or silicon atoms, and (D) a solvent. The pattern forming method using the same is also provided. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种提高PEB温度依赖性的正性抗蚀剂组合物，并且通过浸渍曝光提高图案形成中的线边缘粗糙度以及使用其的图案形成方法相对于使用的正性抗蚀剂组合物在制造诸如IC的半导体的过程中，在制造液晶电路板，热敏头等，以及其他光刻工艺中，以及使用该半导体的图案形成方法。解决方案：正型抗蚀剂组合物包含（A）具有酸可分解基团并且在碱性显影剂中具有溶解度的树脂通过酸的作用而增加的树脂（B）在光化反应下能够产生酸的化合物（C）具有玻璃化转变温度（Tg）≥110℃，不具有酸分解性基团并且含有氟原子或硅原子的碱溶性树脂和（D）溶剂。还提供了使用该图案形成方法的图案形成方法。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP4562628B2 The positive resist composition and pattern forming method using the same 有权
标题翻译：空值
公开(公告)号：JP4562628B2
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：JP2005272074
申请日：2005-09-20
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：慶山本 , 慎一漢那
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0046 , G03F7/0045 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , Y10S430/121 , Y10S430/122 , Y10S430/123

8. 发明专利

JP4562240B2 Positive-type radiation-sensitive composition and pattern forming method using the same 有权
公开(公告)号：JP4562240B2
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：JP2000137461
申请日：2000-05-10
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：邦彦児玉 , 慎一漢那
IPC分类号： G03F7/039 , C08F212/14 , C08K5/00 , C08K5/16 , C08L25/18 , C08L101/14 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0392 , Y10S430/106 , Y10S430/115
摘要： A positive radiation-sensitive composition comprising:(a) a resin whose solubility in an alkali developer increases by the action of an acid;(b) a compound which generates a carboxylic acid having a molecular weight of 100 or less upon irradiation with an actinic ray or a radiant ray;(c) a surfactant; and(d) a solvent.

9. 发明专利

JP4551706B2 Protective film-forming composition for immersion exposure and a pattern forming method using the same 有权
公开(公告)号：JP4551706B2
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：JP2004209569
申请日：2004-07-16
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：慎一漢那 , 博美神田 , 陽樹稲部
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/039 , G03F7/38 , H01L21/027

10. 发明专利

JP4551704B2 Protective film-forming composition for immersion exposure and a pattern forming method using the same 有权
公开(公告)号：JP4551704B2
公开(公告)日：2010-09-29
申请号：JP2004201457
申请日：2004-07-08
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：慎一漢那 , 博美神田 , 陽樹稲部
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/039 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/2041

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式