专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP6435878B2 導体層の形成方法审中-公开
公开(公告)号：JP6435878B2
公开(公告)日：2018-12-12
申请号：JP2015010076
申请日：2015-01-22
申请人：宇部興産株式会社
发明人：三浦徹 , 番場啓太 , 幸田政文 , 横沢伊裕
IPC分类号： H05K3/18 , C08G73/10 , B32B15/088 , H05K3/38 , H05K1/03 , B32B27/34

2. 发明专利

JP2018087306A 半導体封止用樹脂組成物审中-公开
公开(公告)号：JP2018087306A
公开(公告)日：2018-06-07
申请号：JP2016232057
申请日：2016-11-30
申请人：宇部興産株式会社
发明人：山下宏央 , 深澤駿 , 幸田政文
IPC分类号： C08G73/10 , C08K3/22 , C08K3/28 , C08K3/38 , H01L23/29 , H01L23/31 , C08L79/08
摘要：【課題】熱伝導性に優れ、250℃以上の温度領域でも優れた機械的特性を維持することが可能な半導体封止用樹脂組成物を提供すること。【解決手段】芳香族テトラカルボン酸二無水物、芳香族ジアミン、及び分子内に付加反応基と共に無水物基又はアミノ基を有する化合物を反応させることによって得られる、末端に付加反応基を有する芳香族イミドオリゴマーと、電気絶縁性を保ちながら樹脂組成物の熱伝導性を向上させることができる熱伝導性無機充填材とを含有してなる半導体封止用樹脂組成物。【選択図】なし

3. 发明专利

JP5834574B2 3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物粉末の精製方法、及びそれを用いたポリイミド有权
标题翻译：联苯四羧酸二酐粉末的3,3”，4,4'-纯化方法及使用该聚酰亚胺
公开(公告)号：JP5834574B2
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：JP2011159919
申请日：2011-07-21
申请人：宇部興産株式会社
发明人：高澤亮一 , 岡卓也 , 中川美晴 , 小濱幸徳 , 幸田政文
IPC分类号： C08G73/10 , C08J5/18 , C07D307/89

4. 发明专利

JP5886883B2 ポリイミドフィルム、およびこれらのポリイミド積層体、ポリイミド金属積層体有权
标题翻译：聚酰亚胺膜，以及聚酰亚胺这些层压板，聚酰亚胺 - 金属层压体
公开(公告)号：JP5886883B2
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：JP2014008446
申请日：2014-01-21
申请人：宇部興産株式会社
发明人：小浜慎一郎 , 久野信治 , 山口裕章 , 大石好行 , 三浦徹 , 横沢伊裕 , 幸田政文 , 大石康介
IPC分类号： B32B27/34 , C08J5/18 , C08J7/04 , C09J7/02 , C09J201/00 , C08G73/10
CPC分类号： B32B15/08 , B32B15/088 , B32B27/06 , B32B27/28 , B32B27/34 , B32B7/12 , C08G73/0273 , C08G73/0644 , C08G73/1085 , C08J5/128 , C09D179/08 , H05K1/0346 , B32B2379/08 , B32B2457/202 , C08J2379/08 , C08J2479/08 , Y10T428/2848 , Y10T428/31678 , Y10T428/31681 , Y10T428/31721

5. 发明专利

JP5834573B2 2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物粉末の精製方法、粉末、及びそれを用いたポリイミド有权
标题翻译：粉末，粉末的2,3,3”，4'-联苯四甲酸二酐的纯化方法，以及使用该聚酰亚胺
公开(公告)号：JP5834573B2
公开(公告)日：2015-12-24
申请号：JP2011159910
申请日：2011-07-21
申请人：宇部興産株式会社
发明人：高澤亮一 , 岡卓也 , 中川美晴 , 小濱幸徳 , 幸田政文
IPC分类号： C08G73/10 , C07D307/89

6. 发明专利

JP2015061763A ポリイミドフィルム、およびこれらのポリイミド積層体、ポリイミド金属積層体有权
标题翻译：聚酰亚胺膜和聚酰亚胺层压板及其聚酰亚胺/金属层压板
公开(公告)号：JP2015061763A
公开(公告)日：2015-04-02
申请号：JP2014210450
申请日：2014-10-15
申请人：宇部興産株式会社
发明人：小浜慎一郎 , 久野信治 , 山口裕章 , 大石好行 , 三浦徹 , 横沢伊裕 , 幸田政文 , 大石康介
IPC分类号： C08G73/10 , B32B15/088 , H05K1/03 , B32B27/34
CPC分类号： B32B15/08 , B32B15/088 , B32B27/06 , B32B27/28 , B32B27/34 , B32B7/12 , C08G73/0273 , C08G73/0644 , C08G73/1085 , C08J5/128 , C09D179/08 , H05K1/0346 , B32B2379/08 , B32B2457/202 , C08J2379/08 , C08J2479/08 , Y10T428/2848 , Y10T428/31678 , Y10T428/31681 , Y10T428/31721
摘要：【課題】接着剤との接着性および/または金属層との密着性が向上したポリイミドフィルムを提供する。【解決手段】ポリイミド層(b)と、前記ポリイミド層(b)に接して積層されたポリイミド層(a)とを少なくとも有し、前記ポリイミド層(a)が、テトラカルボン酸二無水物成分と、一般式(1)で示されるジアミン化合物を含むジアミン成分とから得られるポリイミドフィルム。 (式中、R 1 は水素原子または炭素数1〜12のアルキル基またはアリール基を示し、R 2 は炭素数1〜12のアルキル基またはアリール基を示す。) 【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供一种对粘合剂具有改进的粘合性和/或与金属层的粘合性的聚酰亚胺膜。解决方案：聚酰亚胺膜至少具有聚酰亚胺层（b）和聚酰亚胺层（a）聚酰亚胺层（b）。聚酰亚胺层（a）由四羧酸二酐组分和含有由通式（1）表示的二胺化合物的二胺组分得到，其中R表示氢原子或C1-C12烷基或芳基，Rdenotes C1-C12烷基或芳基。

7. 发明专利

JP6476901B2 多層配線基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6476901B2
公开(公告)日：2019-03-06
申请号：JP2015010057
申请日：2015-01-22
申请人：宇部興産株式会社
发明人：三浦徹 , 番場啓太 , 幸田政文 , 横沢伊裕
IPC分类号： H05K3/46 , C23C18/16 , H05K3/42

8. 发明专利

JP5870550B2 フレキシブルプリント基板の製法有权
标题翻译：柔性印刷电路板的制造方法
公开(公告)号：JP5870550B2
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：JP2011184081
申请日：2011-08-25
申请人：宇部興産株式会社
发明人：番場啓太 , 三浦徹 , 幸田政文 , 横沢伊裕
IPC分类号： H05K3/38 , H05K1/03 , C23C18/16 , C23C18/32 , C23C18/20 , B32B15/08 , H05K3/18

9. 发明专利

JP2015157480A 導体層の形成方法审中-公开
标题翻译：导体层形成方法
公开(公告)号：JP2015157480A
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：JP2015010076
申请日：2015-01-22
申请人：宇部興産株式会社
发明人：三浦徹 , 番場啓太 , 幸田政文 , 横沢伊裕
IPC分类号： H05K3/18 , C08G73/10 , B32B15/088 , H05K3/38 , H05K1/03 , B32B27/34
摘要：【課題】導体層の初期の剥離強度に優れ、また、高温や高湿条件下に置かれた後の剥離強度の低下が抑制された導体層の形成方法を提供すること。【解決手段】ポリイミド層(b)の片面又は両面にポリイミド層(a)を設けたポリイミドフィルムのポリイミド層(a)を設けた面をポリイミドエッチング処理してポリイミド層(a)の少なくとも一部を除去した後、この面に導体層を形成する導体層の形成方法であって、エッチング処理時間を特定の時間の範囲とすることを特徴とする導体層の形成方法。【選択図】なし
摘要翻译：要解决的问题：提供导体层的初始剥离强度优异的导体层的形成方法，并且能够抑制在高温或高湿度条件下放置后剥离强度的下降。解决方案：在形成层在聚酰亚胺层（b）的一个表面或两面上设置有设置有聚酰亚胺层（a）的聚酰亚胺膜（a）的聚酰亚胺层（a）的表面的方法进行聚酰亚胺蚀刻处理从而去除聚酰亚胺层（a）的至少一部分，并且在表面上形成导体层。在导体层的形成方法中，将蚀刻处理时间设定在规定的时间范围内。

10. 发明专利

JP5691129B2 ポリイミドフィルム、その製造方法、ポリイミド金属積層体および回路基板有权
标题翻译：聚酰亚胺膜，用于制造聚酰亚胺 - 金属层压板和电路板的方法
公开(公告)号：JP5691129B2
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：JP2009033775
申请日：2009-02-17
申请人：宇部興産株式会社
发明人：幸田政文 , 山口裕章 , 山根俊文
IPC分类号： C08J5/18 , B32B15/088 , B32B27/34 , H05K1/03 , C08J7/04
CPC分类号： H05K3/387 , B32B15/08 , B32B15/18 , B32B15/20 , B32B27/08 , B32B27/16 , B32B27/18 , B32B27/281 , B32B27/308 , B32B27/34 , B32B27/38 , B32B7/12 , B32B9/005 , B32B9/045 , C08L79/08 , H05K3/389 , B32B2255/10 , B32B2264/10 , B32B2264/102 , B32B2264/104 , B32B2264/12 , B32B2307/20 , B32B2307/306 , B32B2457/08 , H05K1/0346 , H05K2201/0154 , H05K2203/121 , H05K3/426 , Y10T156/10 , Y10T428/31681 , Y10T428/31721

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式