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1. 发明专利

JP2016097018A 足場材料有权
标题翻译： SCAFFOLD材料
公开(公告)号：JP2016097018A
公开(公告)日：2016-05-30
申请号：JP2014235956
申请日：2014-11-20
申请人：学校法人金沢工業大学 , 株式会社オンワード技研 , 学校法人金沢医科大学
发明人：新谷一博 , 瀧真 , 川原範夫
IPC分类号： A61L27/00
摘要：【課題】新生骨に対して高い接触率及び充填率を有する足場材料を提供する。【解決手段】本発明の足場材料は、チタン合金等の切頂八面体構造を持つ3Dハニカム形状であり、その表面をa-C:Hに分類されるDLCで被膜処理したことを特徴とする。切頂八面体は異なる形状の面、すなわち正方形と正六角形の面を組み合わせて構成されるので、生体内部の構造により近似した構造になる。また、本発明の足場材料はDLCのうちa-C:Hでその表面及び内部を被膜する。本願発明者らは実験によりa-C:H被膜は水滴の接触角が小さく、濡れ性が高いことを解明した。一般的に細胞は親水性が高いほど接着性が良いことが知られている。足場材料を切頂八面体構造の3Dハニカム形状にすると共にその表面及び内部をa-C:Hで被膜することで、両者の相乗効果によって新生骨との接触率(密着度)及び試料内部への充填率が高い足場材料を得ることができた。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供相对于新骨骼具有高接触率和高填充率的支架材料。解决方案：根据本发明的支架材料具有具有钛合金的截头八面体结构的3D蜂窝形状并且支架材料的表面涂覆有分类为aC：H的DLC。截面八面体通过组合不同形状的面或正方形六边形面而形成，使得支架材料取决于活体内部的结构而呈现近似结构。此外，本发明的支架材料的表面和内部在DLC中涂覆有a-C：H。本发明的投资者通过实验已经清楚，a-C：H涂层具有大的水滴接触角和高的润湿性。已知细胞通常具有更好的粘附性，因为它们变得更亲水。由于支架材料已经形成为截头八面体结构的3D蜂窝形状，并且同时脚手架材料的表面和内部已经涂覆有aC：H，所以这两个特征的协同作用有助于获得具有与新骨骼接触率高（粘合度）和样品内填充率高的支架材料。图1：

2. 发明专利

JP6843356B2 抗菌性部材有权
公开(公告)号：JP6843356B2
公开(公告)日：2021-03-17
申请号：JP2018550244
申请日：2017-11-09
申请人：学校法人金沢医科大学 , 学校法人金沢工業大学 , 株式会社オンワード技研
发明人：川口真史 , 川原範夫 , 飯沼由嗣 , 新谷一博 , 小田忍 , 瀧真
IPC分类号： B32B3/30 , A01N25/34 , A01N61/00 , A01N59/10 , A01P1/00 , A01P3/00 , A61L27/08 , A61L27/40 , A61L27/54 , A61L31/02 , A61L31/12 , A61L31/16 , B32B9/00

3. 发明专利

JPWO2018088459A1 抗菌性部材审中-公开
公开(公告)号：JPWO2018088459A1
公开(公告)日：2019-10-10
申请号：JP2017040366
申请日：2017-11-09
申请人：学校法人金沢医科大学 , 学校法人金沢工業大学 , 株式会社オンワード技研
发明人：川口真史 , 川原範夫 , 飯沼由嗣 , 新谷一博 , 小田忍 , 瀧真
IPC分类号： A01N61/00 , A01N59/10 , A01P1/00 , A01P3/00 , A61L27/08 , A61L27/40 , A61L27/54 , A61L31/02 , A61L31/12 , A61L31/16 , B32B9/00 , B32B3/30 , A01N25/34
摘要：高い抗菌性と高い骨伝導性を長期間維持できる抗菌性部材を提供する。本発明の抗菌性部材は、基材10の最表面の少なくとも一部又は全体にフッ素を含むDLC膜(F−DLC膜)40を備えており、前記F−DLC膜の元素比(F/F+C)が17%〜72%、且つナノインデンテーション硬さが2,000MPa〜16,000MPaであることを特徴とする。これにより、耐摩耗性と密着性を維持でき、高い抗菌性と高い骨伝導性を長期間維持した抗菌性部材を得られる。F−DLC膜は必ずしも基材の最表面全体を覆っている必要はなく、斑状に配置してもよい。

4. 发明专利

JP2019116652A 高透磁率カバー付き成膜装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019116652A
公开(公告)日：2019-07-18
申请号：JP2017250202
申请日：2017-12-26
申请人：株式会社オンワード技研
发明人：瀧真
IPC分类号： H05H1/48 , C23C14/24
摘要：【課題】陰極アークプラズマの磁気輸送型成膜装置(FAD装置)において、安価に成膜速度を向上させること。【解決手段】 FAD装置において、プラズマを磁気輸送するためのダクトの屈曲部に設けられたコイルの外側の一部又は全体を高透磁率カバーで覆うことで、ダクトの内部の磁場を閉じ込め、安価な手法でプラズマの輸送効率を向上させる。この結果、成膜時間の短縮等による生産性向上を図ることができる他、実質的にドロップレットを低減することも可能になる。高透磁率カバーをパンチングメタルで構成すると、通気が良いのでコイルの冷却性が確保される。ソース部に設けられた蒸発源の外周部、及び/又は、処理部に配置された被成膜基材の背面部も高透磁率カバーで覆うことにより、フィルタ部と連続的な磁場を形成しやすくなり、成膜速度が更に向上する。【選択図】図8

5. 发明专利

JP6054855B2 炭素電極保持構造体有权
标题翻译：碳电极保持结构
公开(公告)号：JP6054855B2
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：JP2013266282
申请日：2013-12-25
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社オンワード技研 , 国立大学法人豊橋技術科学大学
发明人：福田博人 , 辻信広 , 長谷川祐史 , 瀧真 , 大村佳史 , 藤田裕希 , 滝川浩史
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/24

6. 发明专利

JP6586618B2 DLC膜形成方法及びDLC膜形成装置有权
公开(公告)号：JP6586618B2
公开(公告)日：2019-10-09
申请号：JP2014161659
申请日：2014-08-07
申请人：国立大学法人豊橋技術科学大学 , 伊藤光学工業株式会社 , 株式会社オンワード技研
发明人：滝川浩史 , 瀧真 , 長谷川祐史 , 神谷雅男 , 加藤裕久
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/24

7. 发明专利

JP6586578B2 DLC膜及びDLC膜被膜物品有权
公开(公告)号：JP6586578B2
公开(公告)日：2019-10-09
申请号：JP2016540727
申请日：2015-08-06
申请人：国立大学法人豊橋技術科学大学 , 伊藤光学工業株式会社 , 株式会社オンワード技研
发明人：滝川浩史 , 瀧真 , 長谷川祐史 , 神谷雅男 , 加藤裕久
IPC分类号： C23C14/24 , C01B32/00 , C23C14/06

8. 发明专利

JP2020132466A 水素含有カーボン膜审中-公开
公开(公告)号：JP2020132466A
公开(公告)日：2020-08-31
申请号：JP2019026972
申请日：2019-02-18
申请人：国立大学法人豊橋技術科学大学 , オーエスジー株式会社 , 伊藤光学工業株式会社 , 株式会社オンワード技研
发明人：滝川浩史 , 出貝敏 , 杉江侑哉 , 針谷達 , 谷本壮 , 権田英修 , 羽生博之 , 神谷雅男 , 瀧真
IPC分类号： B23B51/00 , B23B27/14 , C23C14/06 , C01B32/00
摘要：【課題】高耐熱性で加工面が高品位な、難削材加工用の切削工具のカーボン保護膜を提供すること。耐熱性の高い、物品の保護膜又は自立膜を提供すること。【解決手段】真空中で加熱した際の水素ガス脱離の開始温度が800℃以上である水素含有カーボン膜である。本カーボン膜は、水素を含有するので低摩擦性、低攻撃性、及び平坦性を具備しつつ、高耐熱性ゆえ、切削箇所が局所的に高温になっても水素ガス脱離に伴うグラファイト化や軟質化を起こしにくく比較的高い硬度を維持できるので、切削工具、特にダイヤモンド膜で被覆した切削工具の保護膜に用いれば、CFRP等の難削複合材に対してもバリの発生が少なく高品位な加工面を実現できる。本カーボン膜は、レンズの成形用金型等の金型の表面を被覆する高耐熱性の離型膜や、基材から分離された高耐熱性の自立膜などの用途にも好適に利用することができる。【選択図】図2

9. 发明专利

JP2019112708A 真空アークプラズマ蒸着装置の先端防汚型着火装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019112708A
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：JP2017249421
申请日：2017-12-26
申请人：株式会社オンワード技研
发明人：瀧真
IPC分类号： C23C14/24 , H05H1/48 , C23C14/32
摘要：【課題】プラズマ着火時にトリガ電極が陰極に溶着せず、何度でも再着火可能な着火機構を、単純な構造によりメンテナンスが容易且つ安価に備えることができる先端防汚型着火装置の提供。【解決手段】本発明に係る真空アークプラズマ蒸着装置の先端防汚型着火装置は、蒸発源である陰極3と、前記陰極3の陰極表面3aにトリガ電極先端部5aを接触させ引き離すときにアーク放電を着火させ陰極物質9を放出してプラズマを発生させるトリガ電極5と、前記接触又は引き離しを行うために前記トリガ電極5を回転又は逆回転させる回転軸6と、放出される前記陰極物質9が直達しない暗視野空間13と、着火時以外は前記トリガ電極5を逆回転させて前記トリガ電極先端部5aを前記暗視野空間13に退避させて前記トリガ電極先端部5aに前記陰極物質9が直達しない防汚機構を有することを特徴とする。【選択図】図1

10. 发明专利

JP2015120967A 炭素電極保持構造体有权
标题翻译：用于保持碳电极的结构
公开(公告)号：JP2015120967A
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：JP2013266282
申请日：2013-12-25
申请人：トヨタ自動車株式会社 , 株式会社オンワード技研 , 国立大学法人豊橋技術科学大学
发明人：福田博人 , 辻信広 , 長谷川祐史 , 瀧真 , 大村佳史 , 藤田裕希 , 滝川浩史
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/24
摘要：【課題】プラズマ加工の際に、アーク放電を安定して発生させるとともに、炭素電極の割れを抑えることができる炭素電極保持構造体を提供する。【解決手段】プラズマ加工法に用いられる炭素電極を保持した炭素電極保持構造体であって、炭素電極保持構造体3は、柱状の第1の炭素電極31と、第1の炭素電極31の側面を囲うように配置されたリング状の第2の炭素電極32と、第1の炭素電極を保持する銅製の電極ホルダ33と、電極ホルダ33を介して第1の炭素電極を冷却する冷却部35と備え、第2の炭素電極32は、第1の炭素電極31から、電極ホルダ33の側面に接触しながら延在しており、第2の炭素電極32は、固定部材37を介して電極ホルダ33に固定されている。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于保持稳定产生堆放电的碳电极的结构，并抑制碳电极在等离子体处理中的破裂。解决方案：用于保持用于等离子体处理中使用的碳电极的碳电极的结构3包括柱状的第一碳电极31，以包围第一碳电极31的侧面的方式配置的环状的第二碳电极32，由铜制成的电极保持体33，以保持第一碳电极;以及冷却单元35，通过电极夹持器33冷却第一碳电极。第二碳电极32从第一碳电极31延伸，同时接触电极保持器33的侧面。第二碳电极32通过固定构件 37。

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