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1. 发明专利

JP5943318B2 透明導電膜作成方法有权
标题翻译：透明导电膜如何创建
公开(公告)号：JP5943318B2
公开(公告)日：2016-07-05
申请号：JP2011166506
申请日：2011-07-29
申请人：国立大学法人島根大学
发明人：山田容士 , 一柳成治 , 久保衆伍 , 北川裕之 , 舩木修平
IPC分类号： B32B9/00 , C23C14/06 , H01B5/14 , H01B13/00

2. 发明专利

JP6359328B2 RE123結晶膜作成方法。审中-公开
公开(公告)号：JP6359328B2
公开(公告)日：2018-07-18
申请号：JP2014092661
申请日：2014-04-28
申请人：国立大学法人島根大学
发明人：舩木修平 , 山田容士 , 中山文也 , 奥西亮太 , 宮地優悟
IPC分类号： C01G1/00 , H01B13/00 , H01B12/06 , C01G3/00
CPC分类号： Y02E40/642

3. 发明专利

JP2018044237A 酸化亜鉛系透明導電膜の作製方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018044237A
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：JP2016182449
申请日：2016-09-18
申请人：国立大学法人島根大学
发明人：山田容士 , 舩木修平 , オルクツサンシャコグル , 杉浦怜 , 正力幹也
IPC分类号： H01B13/00 , C23C14/08
摘要：【課題】マグネトロンスパッタリングにより、抵抗率の不均一性が小さく、低抵抗率であって、光透過性が高い、酸化亜鉛系透明導電膜を得ること。【解決手段】マグネトロンスパッタリングにより基板上に酸化亜鉛系透明導電膜を形成し、その上に亜鉛薄膜層を形成し、その上にマグネトロンスパッタリングにより酸化亜鉛系透明導電膜を更に形成して積層構造をなし、その後、400℃以上650℃以下の所定の温度にてアニーリングする工程を含ませることにより、高抵抗領域の偏在を抑制ないし解消することを特徴とする透明導電膜作製方法である。【選択図】図2

4. 发明专利

JP2015209363A RE123結晶膜作成方法。审中-公开
标题翻译： RE123水晶膜成型方法
公开(公告)号：JP2015209363A
公开(公告)日：2015-11-24
申请号：JP2014092661
申请日：2014-04-28
申请人：国立大学法人島根大学
发明人：舩木修平 , 山田容士 , 中山文也 , 奥西亮太 , 宮地優悟
IPC分类号： C01G1/00 , H01B13/00 , H01B12/06 , C01G3/00
CPC分类号： Y02E40/642
摘要：【課題】従来の気相成長法に比して低温かつ高速成膜可能であって真空環境を必要としないRE123結晶膜作成方法を提供すること。【解決手段】希土類系銅酸化物高温超伝導体REBa 2 Cu 3 O y (ただし、REは希土類元素を表し、yは6〜7を表す。)を基板上に膜成長させる方法であって、RE:Ba:Cuの組成比が1:2〜3:2〜7の間となる様に調整した原料を、溶融させた水酸化に溶解させること(溶融水酸化物法)で、500℃を越え700℃未満の還元雰囲気下において基板上にREBa 2 Cu 3 O y を膜成長させることを特徴とする結晶膜作成方法である。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供与常规气相外延法相比可以在较低温度和更高速度下形成膜的RE123晶体膜形成方法，并且不需要真空环境。解决方案：提供一种晶体成膜方法对于基板上的薄膜生长稀土类氧化铜高温超导体REBaCuO（其中，RE表示稀土元素，y表示6〜7），其特征在于，将调整为使得 RE：Ba：Cu的组成比为1：2〜3：2〜7，熔融氢氧化物（熔融氢氧化物法）中，REBaCuO在超过500℃且小于700的还原气氛中在基板上生长 C。

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