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1. 发明专利

JP2021178750A ガラス母材の絞り加工方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021178750A
公开(公告)日：2021-11-18
申请号：JP2020084565
申请日：2020-05-13
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：三田怜
IPC分类号： C03B23/047 , C03B37/012
摘要：【課題】先端径が細く長さの短いテーパー部を、簡便かつ安価な方法で形成することのできるガラス母材の絞り加工方法を提供する。【解決手段】ガラス母材をヒーターで加熱しつつ該ガラス母材を引っ張ることにより、加熱部に絞り形状を形成するガラス母材の絞り加工方法であって、前記ガラス母材を前記ヒーターで第一加熱温度にて加熱しながら前記ガラス母材を引っ張る第一絞り工程と、引っ張りを停止して前記ヒーターの温度を所定の冷却温度まで下げる冷却工程と、再度前記ヒーターを第二加熱温度で加熱して前記ガラス母材を引っ張る第二絞り工程とを有することを特徴とし、前記第一絞り工程における前記ガラス母材引っ張り距離を、前記ガラス母材の絞り加工目標位置の外径の0.5倍以上2.5倍以下とするのが好ましい。【選択図】図4

2. 发明专利

JP2021038115A ガラス微粒子堆積体の製造方法有权
公开(公告)号：JP2021038115A
公开(公告)日：2021-03-11
申请号：JP2019160530
申请日：2019-09-03
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：三田怜
IPC分类号： C03B37/018 , G02B6/02 , C03B8/04
摘要：【課題】バーナーカバーを、バーナーの所定の位置に容易に固定させることができ、製造中のバーナー移動などに起因する位置ずれがなく、さらに容易に着脱することのできるガラス微粒子堆積体の製造方法を提供する。【解決手段】反応容器内に、出発ロッドとバーナー1を設置し、バーナーにガラス原料を導入し、バーナーが形成する火炎内でガラス原料を火炎加水分解反応させてガラス微粒子を生成し、生成したガラス微粒子を出発ロッドに堆積させるガラス微粒子堆積体の製造方法であって、前記バーナーの最外管外周に固定治具3を設置し、バーナー最外管先端からバーナーカバー2を挿入し、バーナーカバーとバーナー最外管との間に固定治具の一部を挟み込んで圧縮することによりバーナーカバーをバーナーに固定し、さらに圧縮されていない固定治具の一部の外径が、バーナー最外管先端に挿入されたバーナーカバーの一部の内径より大きいことを特徴とする。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2018098486A 高効率裏面電極型太陽電池セル、太陽電池モジュール、及び太陽光発電システム审中-公开
公开(公告)号：JP2018098486A
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：JP2017175488
申请日：2017-09-13
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：三田怜 , 橋上洋 , 渡部武紀 , 大塚寛之
IPC分类号： H01L31/068
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：【課題】逆方向飽和電流密度が小さく、かつ、エミッタ層と電極との接触抵抗が小さく、簡便な方法で安価に歩留まり高く製造可能な、変換効率がよい高効率裏面電極型太陽電池セル、太陽電池モジュール、及び太陽光発電システムを提供する。【解決手段】第1導電型の半導体基板101の非受光面である裏面に、第2導電型の不純物が拡散された不純物拡散層104が形成され、不純物拡散層に接続される電極109を備える裏面電極型太陽電池セル100において、不純物拡散層の不純物の表面濃度が5×10 17 atms/cm 3 以上5×10 19 atms/cm 3 以下であり、不純物拡散層の不純物の拡散深さが、基板裏面の表面から1μm以上2.9μm以下である。これにより簡便な方法で安価に製造可能な高効率裏面電極型太陽電池セルを提供することができる。【選択図】図1

4. 发明专利

JP6330108B1 高光電変換効率太陽電池及び高光電変換効率太陽電池の製造方法有权
公开(公告)号：JP6330108B1
公开(公告)日：2018-05-23
申请号：JP2017519721
申请日：2016-11-07
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：橋上洋 , 渡部武紀 , 大塚寛之 , 三田怜
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/056 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/0682 , H01L31/02167 , H01L31/022441 , H01L31/1804 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：本発明は、結晶シリコン基板の第1主表面に、p型の導電型を有するp型領域と、n型の導電型を有しn型の導電型を付与する添加不純物の基板深さ方向における最大濃度が5×10 18 atoms/cm 3 以上であるn型領域とが配置され、p型領域とn型領域を覆うように第1パッシベーション膜が配置され、第1主表面の反対側の表面である第2主表面に、第2主表面を覆うように第2パッシベーション膜が配置された裏面電極型太陽電池であって、第1パッシベーション膜と第2パッシベーション膜が酸化アルミニウムを含む化合物からなる太陽電池である。これにより、安価かつ光電変換効率が高い太陽電池が提供される。

5. 发明专利

JP6291136B1 太陽電池の製造方法及び太陽電池の製造システム有权
公开(公告)号：JP6291136B1
公开(公告)日：2018-03-14
申请号：JP2017519720
申请日：2016-10-14
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：渡部武紀 , 三田怜 , 橋上洋 , 大塚寛之
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/0224 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本発明は、少なくとも第一主表面に誘電体膜を有する半導体基板を準備する工程と、該半導体基板の誘電体膜を部分的に除去する工程と、誘電体膜が部分的に除去された領域に沿って電極を形成する工程とを有する太陽電池の製造方法であって、誘電体膜を部分的に除去する工程と電極を形成する工程を実施した後の半導体基板に対して、誘電体膜が部分的に除去された領域の位置と形成した電極の位置の相対的な位置関係を測定する工程を有し、測定された位置関係に基づいて、新たに準備した少なくとも第一主表面に誘電体膜を有する半導体基板に対して、誘電体膜を部分的に除去する領域の位置を調整した後に誘電体膜を部分的に除去する太陽電池の製造方法である。これにより、誘電体膜を部分的に除去した領域とその領域に沿って形成された電極の位置ずれを低減し、太陽電池の製造歩留りを向上させる太陽電池の製造方法が提供される。

6. 发明专利

JP6796176B2 太陽電池、太陽電池モジュール、及び太陽光発電システム有权
公开(公告)号：JP6796176B2
公开(公告)日：2020-12-02
申请号：JP2019176983
申请日：2019-09-27
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：渡部武紀 , 三田怜 , 橋上洋 , 大塚寛之
IPC分类号： H01L31/0224

7. 发明专利

JPWO2018109849A1 高効率裏面電極型太陽電池セル、太陽電池モジュール、及び太陽光発電システム有权
公开(公告)号：JPWO2018109849A1
公开(公告)日：2018-12-13
申请号：JP2016087128
申请日：2016-12-13
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：三田怜 , 橋上洋 , 渡部武紀 , 大塚寛之
IPC分类号： H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/068 , H01L31/0682 , H01L31/18 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要：第1導電型の半導体基板の非受光面である裏面に、第2導電型の不純物が拡散された不純物拡散層が形成され、不純物拡散層に接続される電極を備える裏面電極型太陽電池セルにおいて、不純物拡散層の不純物の表面濃度が5×10 17 atms/cm 3 以上5×10 19 atms/cm 3 以下であり、不純物拡散層の不純物の拡散深さが、基板裏面の表面から1μm以上2.9μm以下である。これにより簡便な方法で安価に製造可能な高効率裏面電極型太陽電池セルを提供することができる。

8. 发明专利

JPWO2018069951A1 太陽電池の製造方法及び太陽電池の製造システム有权
公开(公告)号：JPWO2018069951A1
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：JP2016004584
申请日：2016-10-14
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：渡部武紀 , 三田怜 , 橋上洋 , 大塚寛之
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/0224 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要：本発明は、少なくとも第一主表面に誘電体膜を有する半導体基板を準備する工程と、該半導体基板の誘電体膜を部分的に除去する工程と、誘電体膜が部分的に除去された領域に沿って電極を形成する工程とを有する太陽電池の製造方法であって、誘電体膜を部分的に除去する工程と電極を形成する工程を実施した後の半導体基板に対して、誘電体膜が部分的に除去された領域の位置と形成した電極の位置の相対的な位置関係を測定する工程を有し、測定された位置関係に基づいて、新たに準備した少なくとも第一主表面に誘電体膜を有する半導体基板に対して、誘電体膜を部分的に除去する領域の位置を調整した後に誘電体膜を部分的に除去する太陽電池の製造方法である。これにより、誘電体膜を部分的に除去した領域とその領域に沿って形成された電極の位置ずれを低減し、太陽電池の製造歩留りを向上させる太陽電池の製造方法が提供される。

9. 发明专利

JP2018082160A 高光電変換効率太陽電池、その製造方法、太陽電池モジュール及び太陽光発電システム审中-公开
公开(公告)号：JP2018082160A
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：JP2017205408
申请日：2017-10-24
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：三田怜 , 渡部武紀 , 大塚寛之
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/068
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：【課題】容易に、安価に、かつ歩留まりよく製造できる裏面電極型の高光電変換効率太陽電池を提供する。【解決手段】高光電変換効率太陽電池200は、第1導電型の半導体基板101の非受光面である裏面に、第1導電型の不純物が拡散された第1導電型拡散層104と、第2導電型の不純物が拡散された第2導電型拡散層106と、第1導電型拡散層104と第2導電型拡散層106との間に形成される高抵抗層又は真性半導体層202と、を備える。【選択図】図2

10. 发明专利

JP2016219544A 太陽電池セル及び太陽電池セルの製造方法有权
标题翻译：用于制造太阳能电池和太阳能电池的方法
公开(公告)号：JP2016219544A
公开(公告)日：2016-12-22
申请号：JP2015101228
申请日：2015-05-18
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：三田怜 , 渡部武紀 , 大塚寛之
IPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/068
CPC分类号： Y02E10/50
摘要：【課題】安価で信頼性が高く変換効率の高い太陽電池セルを提供する。【解決手段】半導体基板201と、当該半導体基板の一方の面に形成される当該半導体基板と同じ導電型の不純物拡散層105と、当該不純物拡散層上に形成される電極203と、を備え、不純物拡散層が形成される面の、一部の領域を複数の凹凸からなる凹凸構造とし、その他の領域を凹凸構造よりも平滑化し、当該一部の領域に形成される第1の不純物拡散層105aの不純物表面濃度を、当該その他の領域に形成される第2の不純物拡散層105bの不純物表面濃度より高くし、電極203を第1の不純物拡散層105a上に形成する。【選択図】図3
摘要翻译：为了提供低成本且高可靠性和转换效率的太阳能电池。和半导体衬底201，所述半导体衬底中的哪一个在所述半导体衬底的一个表面上形成相同导电类型的杂质扩散层105，在所述杂质扩散层上形成的电极203，设置在表面形成杂质扩散层的，该区域的一部分，并且具有凹凸结构，其包括多个凹凸，比不规则结构以外的区域平滑，形成在局部区域中的第一杂质扩散层是在其它区域形成的105A的杂质的表面浓度，比所述第二杂质扩散层105b的杂质表面浓度较高，以形成在所述第一杂质扩散层105A的电极203。点域

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