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1. 发明专利

JP2015122540A 炭化珪素半導体およびその製造方法と製造装置有权
标题翻译：硅碳化硅半导体及其制造方法和装置
公开(公告)号：JP2015122540A
公开(公告)日：2015-07-02
申请号：JP2015051636
申请日：2015-03-16
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：西口太郎 , 原田真 , 木下博之 , 塩見弘
IPC分类号： C30B29/36 , C30B25/14 , C23C16/42 , C23C16/452 , H01L21/205
摘要：【課題】不純物窒素が高い精度で面内に均一にドーピングされた、しかも広い面積の炭化珪素半導体を提供する。【解決手段】エピタキシャル成長を利用して炭化珪素の結晶を成長させつつその内部に窒素をドーピングする炭化珪素半導体の製造方法であって、窒素源として供給する窒素化合物のガスを炭化珪素の結晶が形成される基板上に導入する前に、予め熱分解させておくための予備加熱ステップを有していることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。前記予備加熱ステップは、前記窒素化合物のガスを、1300℃以上の部屋内を流すステップであることを特徴とする炭化珪素半導体の製造方法。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供以高精度和均匀的方式掺杂在具有杂质氮的平面中并具有大面积的碳化硅半导体。解决方案：一种用于制造碳化硅半导体的方法包括：将通过利用外延生长生长碳化硅晶体的氮化硅碳化物晶体。该方法包括在将氮化合物的气体引入其上形成有碳化硅晶体的基板上之前预先热解供给的氮化合物的预热加热工序。预热步骤是使氮化合物的气体在1300℃以上的温度下流入室内的步骤。

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