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1. 发明专利

JP6147589B2 複合基板、電磁波発生方法および電磁波発生装置有权
公开(公告)号：JP6147589B2
公开(公告)日：2017-06-14
申请号：JP2013141099
申请日：2013-07-04
申请人：住友化学株式会社 , 公立大学法人大阪市立大学
发明人：市川磨 , 秦雅彦 , 中山正昭
IPC分类号： H01S1/02

2. 发明专利

JP6531243B2 トンネル電界効果トランジスタおよび電界効果トランジスタの製造方法有权
公开(公告)号：JP6531243B2
公开(公告)日：2019-06-19
申请号：JP2015032234
申请日：2015-02-20
申请人：住友化学株式会社 , 国立大学法人東京大学
发明人：市川磨 , 山田永 , 高木信一 , 竹中充 , ジサンミン
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/66 , H01L21/336

3. 发明专利

JP6143406B2 半導体基板、半導体基板の製造方法、および電子デバイス有权
公开(公告)号：JP6143406B2
公开(公告)日：2017-06-07
申请号：JP2010086843
申请日：2010-04-05
申请人：住友化学株式会社
发明人：市川磨
IPC分类号： H01L21/8248 , H01L21/205 , H01L21/331 , H01L29/737 , H01L29/812 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L27/06
CPC分类号： H01L27/0605 , H01L21/8252 , H01L29/7371 , H01L29/7785 , H01L29/7786

4. 发明专利

JP2016129268A 半導体基板、半導体基板の製造方法および垂直共振器面発光レーザ审中-公开
标题翻译：半导体衬底，制造半导体衬底的方法和垂直谐振器表面发射激光
公开(公告)号：JP2016129268A
公开(公告)日：2016-07-14
申请号：JP2016081124
申请日：2016-04-14
申请人：住友化学株式会社
发明人：市川磨
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01L21/02546 , B82Y20/00 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01S5/18311 , H01S2304/04 , H01S5/305 , H01S5/3054 , H01S5/3202 , H01S5/3432
摘要：【課題】垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板の製造において、原料ガスのコストを低減する。垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板におけるp型半導体層の不純物濃度を制御する。【解決手段】p型結晶層を有する垂直共振器面発光レーザ用の半導体基板であって、p型結晶層が、3−5族化合物半導体からなり、p型不純物原子として炭素原子を含み、かつ、6×10 17 cm −3 以上、6×10 19 cm −3 以下の濃度の水素原子を含む半導体基板を提供する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：为了降低制造用于垂直共振器表面发射激光器的半导体衬底的材料气体的成本，并且用于控制用于垂直谐振器表面发射激光器的半导体衬底中的p型半导体层的杂质浓度。解决方案：在具有p型晶体层的垂直谐振器表面发射激光器的半导体衬底中，p型晶体层由III-V族化合物半导体构成，含有碳原子作为p型杂质原子，并含有浓度为6×10cm以上且6×10cm以下的氢原子。选择图：图1

5. 发明专利

JP2018128339A 半導体ウェハの表面検査装置及び半導体ウェハの表面検査方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018128339A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：JP2017021360
申请日：2017-02-08
申请人：住友化学株式会社
发明人：山中貞則 , 市川磨 , 山本武継
IPC分类号： H01L21/677 , H01L21/66 , G01N21/956
摘要：【課題】設置スペースの小型化が可能な半導体ウェハの表面検査装置、及び半導体ウェハの表面検査方法を提供することを目的とする。【解決手段】半導体ウェハ100を撮像した結果に基づいて半導体ウェハ100が予め定められた条件を満たしているかを検査する複数の検査部2,3,4と、複数の検査部の間で半導体ウェハ100を搬送する搬送機構とを備え、搬送機構は、固定ベース60に対して回転する回動部62と、半導体ウェハを解放可能に保持する保持部と、回動部62と保持部との間に設けられた腕部63、64とを有し、複数の検査部2,3,4は、それぞれが異なる撮像方式によって半導体ウェハ100を撮像し、かつ半導体ウェハ100を取り込む取込部が回動部62の回転軸O 1 と中心とする保持部の可動範囲R内に設けられている半導体ウェハ100の表面検査装置1を提供する。【選択図】図1A

6. 发明专利

JP6017817B2 表面処理装置、表面処理方法、基板支持機構およびプログラム有权
标题翻译：表面处理装置中，表面处理方法，所述基板支撑机构和程序
公开(公告)号：JP6017817B2
公开(公告)日：2016-11-02
申请号：JP2012083315
申请日：2012-03-30
申请人：住友化学株式会社
发明人：佐沢洋幸 , 市川磨 , 栗田靖之 , 山本大貴
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/3065 , C23C14/50 , C23C16/458 , H01L21/304 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4584 , H01L21/68764 , H01L21/68771

7. 发明专利

JP6012173B2 半導体基板、半導体基板の製造方法および垂直共振器面発光レーザ有权
标题翻译：一种半导体衬底，其制造方法，和半导体衬底的垂直腔表面发射激光器
公开(公告)号：JP6012173B2
公开(公告)日：2016-10-25
申请号：JP2011275927
申请日：2011-12-16
申请人：住友化学株式会社
发明人：井上孝行 , 中野強 , 市川磨
IPC分类号： H01S5/183 , H01L21/205 , H01S5/323
CPC分类号： H01L21/02546 , H01L21/0237 , H01L21/02463 , H01L21/02505 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01S5/0206 , H01S5/0421 , H01S5/18311 , H01S5/3054 , H01S5/3216

8. 发明专利

JP2016111027A 中間基板、半導体基板および半導体基板の製造方法审中-公开
标题翻译：中间基板，半导体基板和半导体基板的制造方法
公开(公告)号：JP2016111027A
公开(公告)日：2016-06-20
申请号：JP2014243578
申请日：2014-12-01
申请人：住友化学株式会社
发明人：市川磨 , 山本武継 , 長田剛規
IPC分类号： H01L21/02 , H01L27/12 , H01L21/20
摘要：【課題】混入した不純物原子の濃度が高い半導体結晶層の領域を適切に除去する技術を提供する。【解決手段】絶縁層上に半導体結晶層を転写するための中間基板であって、半導体結晶層形成基板、第1半導体結晶層、第2半導体結晶層、第3半導体結晶層および第4半導体結晶層を有し、これらが、半導体結晶層形成基板、第1半導体結晶層、第2半導体結晶層、第3半導体結晶層、第4半導体結晶層の順に配置され、第1半導体結晶層が、Al x1 Ga 1−x1 As(0

x2Ge
1−x2 (0≦x2

x3Ge
1−x3 (0.2≦x3≦1)からなり、第4半導体結晶層が、Si
x4 Ge
1−x4 (0≦x4
【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种适当地去除具有高浓度混合杂质原子的半导体晶体层的区域的技术。解决方案：用于在绝缘层上转印半导体晶体层的中间衬底包括半导体晶体层形成衬底第一半导体晶体层，第二半导体晶体层，第三半导体晶体层和第四半导体晶体层，并且按照半导体晶体形成基板，第一半导体晶体层，第二半导体晶体层，第三半导体晶体层和第四半导体晶体层。在中间基板中，第一半导体晶体层由AlGaAs（0

9. 发明专利

JP5759680B2 半導体基板、半導体基板の製造方法、および電子デバイス有权
标题翻译：半导体衬底，一种制造半导体衬底的方法，和电子装置
公开(公告)号：JP5759680B2
公开(公告)日：2015-08-05
申请号：JP2010118588
申请日：2010-05-24
申请人：住友化学株式会社
发明人：市川磨
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/20 , H01L21/331 , H01L29/737 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/8222 , H01L21/8248 , H01L29/786 , H01L21/8232
CPC分类号： H01L29/7786 , H01L21/8252 , H01L27/0605 , H01L29/207 , H01L29/66462 , H01L21/0237 , H01L21/02461 , H01L21/02463 , H01L21/02538 , H01L21/02573 , H01L29/812

10. 发明专利

JP2021077818A 半導体装置、および、構造体の製造方法有权
公开(公告)号：JP2021077818A
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：JP2019205235
申请日：2019-11-13
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：市川磨 , 堀切文正 , 福原昇
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/3063 , H01L21/338
摘要：【課題】III族窒化物を用いて形成された半導体装置(HEMT)における凹部を、PECエッチングにより形成するための好適な技術を提供する。【解決手段】半導体装置は、基板と、基板上に形成され、III族窒化物で構成されたIII族窒化物層と、III族窒化物層に形成された凹部と、を有し、III族窒化物層は、チャネル層と、チャネル層上に形成され、前記チャネル層に2次元電子ガスを形成する障壁層と、を有し、障壁層は、窒化アルミニウムガリウムで構成された第1層と、第1層上に形成され、n型不純物が添加された窒化アルミニウムガリウムで構成された第2層と、を有し、凹部は、第2層の厚さの全部または一部が除去されることで形成され、凹部の下方に、第1層の厚さの少なくとも一部が配置されている。【選択図】図1

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