专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

JP6948980B2 半導体素子の駆動装置有权
公开(公告)号：JP6948980B2
公开(公告)日：2021-10-13
申请号：JP2018082016
申请日：2018-04-23
申请人：三菱電機株式会社
发明人：村上晴彦 , 後藤亮 , 魚田紫織 , 野口宏一朗 , 今西元紀
IPC分类号： H03K17/082 , H02M1/00

2. 发明专利

JP5855285B2 信号伝送絶縁デバイス及びパワー半導体モジュール有权
标题翻译：信号传输绝缘装置及功率半导体模块
公开(公告)号：JP5855285B2
公开(公告)日：2016-02-09
申请号：JP2014557327
申请日：2013-10-31
申请人：三菱電機株式会社
发明人：菅健一 , 釣本崇夫 , 塩田裕基 , 諸熊健一 , 西川和康 , 折田昭一 , 為谷典孝 , 西田信也 , 米山玲 , 井上貴公 , 魚田紫織
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01F19/04 , H01F17/00 , H01F41/12 , H02M1/08 , H01L21/822
CPC分类号： H01L23/53295 , H01F19/08 , H01L23/5227 , H01F2019/085 , H01L2924/0002

3. 发明专利

JP2020043204A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020043204A
公开(公告)日：2020-03-19
申请号：JP2018168916
申请日：2018-09-10
申请人：三菱電機株式会社
发明人：江口佳佑 , 井上貴公 , 米山玲 , 魚田紫織 , 村上晴彦
IPC分类号： H02M1/08 , H03K17/16 , H03K17/567 , H01L29/739 , H01L29/12 , H01L21/8232 , H01L27/085 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/78
摘要：【課題】半導体素子の両端に印加された電圧の時間変化率(dv/dt)を調整して、ターンオン時の制御性とターンオン損失との調整が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】本発明に係る半導体装置は、第一ゲート電極を有し第一ゲート電極に入力される制御信号によって供給された電荷量に応じてチャネル電流が制御される第一スイッチング領域と、第二ゲート電極を有し第二ゲート電極に入力される制御信号によって供給された電荷量に応じてチャネル電流が制御され第一スイッチング領域と並列接続された第二スイッチング領域と、第一、第二ゲート電極に第一、第二スイッチング領域をターンオンさせるための制御信号を出力する制御部と、を備え、制御部は、第一、第二制御信号を出力して第一の所定期間が経過した後に、第二制御信号の出力を停止させ、第二制御信号の出力を停止させて第二の所定期間が経過した後に、前記第二制御信号を出力する。【選択図】図6

4. 发明专利

JP5777537B2 パワーデバイス制御回路およびパワーデバイス回路有权
标题翻译：功率器件控制电路和电源设备的电路
公开(公告)号：JP5777537B2
公开(公告)日：2015-09-09
申请号：JP2012032529
申请日：2012-02-17
申请人：三菱電機株式会社
发明人：魚田紫織 , 井上貴公 , 玉木恒次 , 折田昭一
IPC分类号： H03K17/687 , H02M1/08 , H03K17/16
CPC分类号： G05F1/66 , H02M1/08 , H02M1/44 , H03K17/0406 , H03K17/162 , H03K17/168 , H03K3/012 , H02M2001/0054 , H03K2217/0036 , Y02B70/1491

5. 发明专利

JP2019193384A 半導体素子の駆動装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019193384A
公开(公告)日：2019-10-31
申请号：JP2018082016
申请日：2018-04-23
申请人：三菱電機株式会社
发明人：村上晴彦 , 後藤亮 , 魚田紫織 , 野口宏一朗 , 今西元紀
IPC分类号： H03K17/082 , H02M1/00
摘要：【課題】本発明は、半導体素子の駆動装置において、大型化を抑制するとともに、半導体素子の異常が解消されると半導体素子への駆動信号の入力を速やかに再開することを目的とする。【解決手段】半導体素子の駆動装置1は、半導体素子の異なる種類の異常を検出する複数の検出回路21と、少なくとも1つの検出回路21が異常を検出した場合にエラー信号を生成する論理回路22と、エラー信号Verrを受けて、異常を検出した検出回路21毎に異なるパルス幅を持つ1又は複数のパルスからなるアラーム信号を生成するアラーム信号生成回路と、エラー信号Verrおよびアラーム信号VFoに基づき半導体素子の保護機能が動作しているか否かを判断し、保護機能が動作していると判断した場合には半導体素子への駆動信号の入力を遮断する保護動作判断回路23と、を備える。【選択図】図2

6. 发明专利

JP5726349B2 パワーモジュール有权
标题翻译：电源模块
公开(公告)号：JP5726349B2
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：JP2014088830
申请日：2014-04-23
申请人：三菱電機株式会社
发明人：魚田紫織 , 井上貴公 , 玉木恒次 , 折田昭一
IPC分类号： H03K17/56 , H03K17/08

7. 发明专利

JP5700095B2 パワーデバイス制御回路およびそれを用いたIPM 有权
标题翻译：使用相同的功率器件控制电路和IPM
公开(公告)号：JP5700095B2
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：JP2013191939
申请日：2013-09-17
申请人：三菱電機株式会社
发明人：魚田紫織
IPC分类号： H03K17/56 , H02M1/08 , H03K17/16

8. 发明专利

JP2017058146A 寿命推定回路およびそれを用いた半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2017058146A
公开(公告)日：2017-03-23
申请号：JP2015180744
申请日：2015-09-14
申请人：三菱電機株式会社
发明人：魚田紫織 , 為谷典孝 , 井上貴公 , 米山玲
IPC分类号： G01K7/01 , G01R31/26
CPC分类号： G01R31/2642 , G01R31/42 , H01L27/0635 , H01L29/16 , H01L29/1608 , H01L29/7393 , H01L29/861 , G01R31/2608 , G01R31/2632 , H03K17/18
摘要：【課題】パワー素子の寿命を正確に推定することが可能な寿命推定回路を提供する。【解決手段】パワーモジュールの寿命推定回路3は、パワー素子部1の温度を検出する温度検出器4と、温度検出器4の出力信号Vtに基づいて、パワー素子部1の温度変化の変曲点を検出する変曲点検出部5と、今回検出された変曲点におけるパワー素子部1の温度と前回検出された変曲点におけるパワー素子部1の温度との差の絶対値を求める演算部8と、温度差の絶対値がしきい値温度Tthに到達した回数をカウントするカウント回路9と、カウント回路9のカウント値Cがしきい値回数Cthに到達した場合に、パワー素子部1の寿命が来たことを示す警告信号ALを出力する信号発生部10を備える。【選択図】図1

9. 发明专利

JP6065808B2 半導体装置及び半導体モジュール有权
标题翻译：一种半导体器件和半导体模块
公开(公告)号：JP6065808B2
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：JP2013221195
申请日：2013-10-24
申请人：三菱電機株式会社
发明人：吉田寛 , 大山香子 , 田中良和 , 魚田紫織 , 西田信也
IPC分类号： H02M3/28 , H03K17/06
CPC分类号： H02M3/158 , H02M1/08 , H02M3/06 , H02M7/5387 , H03K2217/0036 , Y10T307/609

10. 发明专利

JP5889501B1 信号伝送絶縁デバイス及びパワー半導体モジュール有权
标题翻译：信号传输绝缘装置及功率半导体模块
公开(公告)号：JP5889501B1
公开(公告)日：2016-03-22
申请号：JP2015558276
申请日：2015-08-19
申请人：三菱電機株式会社
发明人：菅健一 , 釣本崇夫 , 塩田裕基 , 諸熊健一 , 折田昭一 , 為谷典孝 , 井上貴公 , 魚田紫織
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/822
摘要：信号伝送絶縁デバイスを、第1コイルと、第1コイルに対向し第1コイルとトランスを構成する第2コイルと、第1コイルと第2コイルとが対向する間の第1の誘電体からなる第1絶縁膜と、第1コイルを囲み第1の誘電体より低抵抗率の第2の誘電体からなる第2絶縁膜と、第2コイルを囲み第1の誘電体より低抵抗率の第3の誘電体からなる第3絶縁膜とを備えたもの、又は第1コイルと、第1コイルに対向し第1コイルとトランスを構成する第2コイルと、第1コイルと第2コイルとが対向する間の第1の誘電体からなる第1絶縁膜と、第1コイルを囲み第1の誘電体より高誘電率の第2の誘電体からなる第2絶縁膜と、第2コイルを囲む第1の誘電体よりも高誘電率の第3の誘電体からなる第3絶縁膜とを備えたものとする。
摘要翻译：信号传输分离装置，其包括第一电介质，其之间的第一线圈，构成第一线圈和面对所述第一线圈，所述第一线圈和第二线圈的变压器的第二线圈对置的第一绝缘膜，由低电阻率比所述第一电介质的第二绝缘膜包围所述第一线圈第二电介质，低的电阻率比所述第一电介质的第一环绕所述第二线圈 3，其由电介质构成的第三绝缘膜，或一个第一线圈，从而构成第一线圈和面对第一线圈的变压器的第二线圈，以及第一线圈和第二线圈包围由具有比第一电介质的高介电常数制成的第二电介质的相反的第二绝缘膜之间的第一电介质的第一绝缘膜包围所述第一线圈，所述第二线圈比所述第一电介质和与高介电常数由第三电介质的第三绝缘膜。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式