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1. 发明专利

JP2018061053A 半導体素子及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018061053A
公开(公告)日：2018-04-12
申请号：JP2017224228
申请日：2017-11-22
申请人：三菱電機株式会社
发明人：砂本昌利 , 上野隆二
IPC分类号： C23C18/36 , C23C18/18 , C23C18/52 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/52
CPC分类号： H01L24/05 , C23C18/1637 , C23C18/1651 , C23C18/1844 , C23C18/32 , C23C18/36 , C23C18/42 , C23C18/54 , H01L21/288 , H01L24/03 , H01L2224/03464 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/05124 , H01L2224/05582 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/06181
摘要：【課題】半田付けによって実装する際に、半田内部に空孔が発生することを防止することが可能な半導体素子及びその製造方法を提供すること。【解決手段】表裏導通型基板の表側電極及び裏側電極上に無電解ニッケルリンめっき層及び無電解金めっき層が形成された半導体素子であって、前記裏側電極上に形成された前記無電解ニッケルリンめっき層の厚さに対する前記表側電極上に形成された前記無電解ニッケルリンめっき層の厚さの割合が1.0以上3.5以下であり、且つ前記裏側電極が基板に半田付けされることを特徴とする半導体素子。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2019147972A 半導体製造装置および半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019147972A
公开(公告)日：2019-09-05
申请号：JP2018031785
申请日：2018-02-26
申请人：三菱電機株式会社
发明人：上野隆二 , 砂本昌利
IPC分类号： C23C18/16 , C23C18/18 , C23C18/31
摘要：【課題】半導体ウエハの被めっき面に無電解めっき法を用いて膜厚の均一性の優れためっき膜を形成する半導体製造装置の提供を目的とする。【解決手段】半導体製造装置は、複数のウエハを保持可能なキャリアに保持された各ウエハが有する被めっき面にめっき膜を形成する半導体製造装置であって、複数の貫通穴が設けられた整流板を含み、整流板が各ウエハの被めっき面に対面してキャリアに保持される整流機構と、めっき膜を形成するための薬液が貯留され、複数のウエハと整流機構とを保持するキャリアが薬液に浸漬される浸漬槽と、各ウエハと複数の貫通穴との相対的な位置関係を一定に保った状態で、浸漬槽に浸漬されたキャリアを揺動させる駆動装置と、を備える。【選択図】図1

3. 发明专利

JPWO2020208998A1 半導体装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2020208998A1
公开(公告)日：2021-11-18
申请号：JP2020010858
申请日：2020-03-12
申请人：三菱電機株式会社
发明人：砂本昌利 , 上野隆二 , 川澄美紗子
IPC分类号： H01L29/41 , C23C18/52 , C23C18/32 , C23C18/42 , H01L21/288
摘要：表裏導通型半導体素子と、前記表裏導通型半導体素子上に形成された表側電極と、前記表側電極上に形成された無電解ニッケル含有めっき層と、前記無電解ニッケル含有めっき層上に形成された無電解金めっき層と、を備え、前記無電解ニッケル含有めっき層の前記無電解金めっき層と接する側に、ニッケル濃度が低い層が存在し、且つ前記ニッケル濃度が低い層の厚さが前記無電解金めっき層の厚さよりも薄い、半導体装置である。

4. 发明专利

JP6873311B2 半導体素子及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6873311B2
公开(公告)日：2021-05-19
申请号：JP2020501641
申请日：2019-02-01
申请人：三菱電機株式会社
发明人：砂本昌利 , 上野隆二 , 中村祥太郎
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/288 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L29/868 , H01L29/861 , C23C18/44 , C23C18/34 , C23C18/42 , H01L21/3205

5. 发明专利

JP6333062B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6333062B2
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：JP2014104568
申请日：2014-05-20
申请人：三菱電機株式会社
发明人：砂本昌利 , 上野隆二
IPC分类号： H01L21/288 , H01L21/28

6. 发明专利

JP6332556B2 半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6332556B2
公开(公告)日：2018-05-30
申请号：JP2017513849
申请日：2015-04-20
申请人：三菱電機株式会社
发明人：上野隆二 , 砂本昌利
IPC分类号： H01L21/304 , C23C18/16 , C23C18/18 , C23C18/52 , H01L21/301
CPC分类号： H01L21/78 , B82Y40/00 , H01L21/02019 , H01L21/02068 , H01L21/288

7. 发明专利

JP2015220409A 半導体装置の製造方法および半導体装置有权
标题翻译：半导体器件制造方法和半导体器件
公开(公告)号：JP2015220409A
公开(公告)日：2015-12-07
申请号：JP2014104568
申请日：2014-05-20
申请人：三菱電機株式会社
发明人：砂本昌利 , 上野隆二
IPC分类号： H01L21/288 , H01L21/28
摘要：【課題】めっき膜をはんだ付けした場合であっても、はんだ層中への空隙の形成を抑制することのできる半導体装置の製造方法および半導体装置を得る。【解決手段】シリコン基板等といった半導体基板(1)に形成されたアルミニウム系電極膜(2)の表面を酸化することでアルミニウムの酸化膜(4)を形成し、形成された酸化膜(4)の表面に対してめっき処理を行うことで、めっき膜としてニッケル膜(3)および金膜(5)を順次形成する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种半导体器件制造方法和半导体器件，其即使在电镀膜被焊接时也可以抑制焊料层中的空隙的形成。解决方案：半导体器件制造方法包括以下步骤：将形成在诸如硅衬底的半导体衬底（1）上的铝基电极膜（2）的表面以形成氧化铝膜（4）; 对所形成的氧化膜（4）的表面进行电镀处理，依次形成作为镀膜的镍膜（3）和金膜（5）。

8. 发明专利

JP2021077729A 半導体装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021077729A
公开(公告)日：2021-05-20
申请号：JP2019202087
申请日：2019-11-07
申请人：三菱電機株式会社
发明人：田中香次 , 上野隆二 , 氏家正浩
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/329 , H01L21/28 , H01L21/285
摘要：【課題】本発明は、オン電圧を低減することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明による半導体装置は、Si基板2と、Si基板2の表面に設けられたp型アノード層4と、p型アノード層4上に設けられたアノード電極5と、Si基板2の裏面において互いに隣接して設けられたn型カソード層6およびp型カソード層7と、n型カソード層6上に設けられたSiを含むAl合金層8と、p型カソード層7上に設けられたSiを含むAl合金層9とを備え、n型カソード層6における不純物濃度は1E19cm −3 以上であり、p型カソード層7における不純物濃度はn型カソード層6における不純物濃度の10%以下である。【選択図】図1

9. 发明专利

JPWO2019163484A1 半導体素子及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JPWO2019163484A1
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：JP2019003644
申请日：2019-02-01
申请人：三菱電機株式会社
发明人：砂本昌利 , 上野隆二 , 中村祥太郎
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/288 , H01L21/329 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L29/868 , H01L29/861 , C23C18/44 , C23C18/34 , C23C18/42 , H01L21/3205
摘要：表側電極及び裏側電極を有する表裏導通型基板の少なくとも片側の電極上に第一電極及び無電解めっき層が順次形成された半導体素子であって、前記第一電極が、前記第一電極が形成されている前記電極を形成する金属よりも貴な元素を含有し、前記第一電極の面積が、前記第一電極が形成されている前記電極の面積よりも小さい、半導体素子。

10. 发明专利

JP6651271B2 半導体素子及びその製造方法有权
公开(公告)号：JP6651271B2
公开(公告)日：2020-02-19
申请号：JP2018568136
申请日：2018-02-07
申请人：三菱電機株式会社
发明人：砂本昌利 , 上野隆二
IPC分类号： C23C18/16 , C23C18/44 , C23C18/36 , H01L21/60 , C23C18/18

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