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1. 发明专利

JP6920137B2 半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6920137B2
公开(公告)日：2021-08-18
申请号：JP2017166911
申请日：2017-08-31
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：藤井宏基 , 酒井敦 , 森隆弘
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8249 , H01L27/06 , H01L21/8248 , H01L21/331 , H01L29/732 , H01L21/336

2. 发明专利

JP2019117883A 半導体装置およびその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019117883A
公开(公告)日：2019-07-18
申请号：JP2017251826
申请日：2017-12-27
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：森隆弘
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/41 , H01L21/336
摘要：【課題】オン耐圧が向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】p + バックゲート領域BGRは、n + ドレイン領域DRA、DRBに挟まれている。n + ソース領域SRは、チャネル幅方向にp + バックゲート領域BGRと隣り合っている。n + ソース領域SRは、第1領域SRAと、第1領域SRAよりもn + ドレイン領域DRBの近くに位置する第2領域SRBとを有している。凹部TR1を埋め込む埋め込み絶縁層BI1は、第1領域SRAと第2領域SRBとの間において、第1領域SRAおよび第2領域SRBよりも半導体基板SBの主表面MSから深い位置に延びている。【選択図】図5

3. 发明专利

JP6509665B2 半導体装置有权
公开(公告)号：JP6509665B2
公开(公告)日：2019-05-08
申请号：JP2015145601
申请日：2015-07-23
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：森隆弘 , 藤井宏基
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/41 , H01L21/336

4. 发明专利

JP2018107382A 半導体装置及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018107382A
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：JP2016255178
申请日：2016-12-28
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：森隆弘
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7825 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/1045 , H01L29/1095 , H01L29/402 , H01L29/408 , H01L29/4236 , H01L29/66659 , H01L29/66704 , H01L29/7835
摘要：【課題】絶縁分離膜のソース領域側の端近傍における電界集中を緩和し、ホットキャリア注入を抑制することができる半導体装置を提供する。【解決手段】一実施形態に係る半導体装置は、第1面を有する半導体基板と、第1面に配置される絶縁分離膜と、ゲート電極とを備える。半導体基板は、ソース領域と、ドレイン領域と、ドリフト領域と、ボディ領域とを有する。絶縁分離膜は、平面視においてドリフト領域の内側に配置される第1部分と、第1部分からソース領域に向かう方向に突出する第2部分と、第1部分からソース領域に向かう方向に突出し、第2部分との間でドリフト領域を挟み込む第3部分とを有する。ゲート電極は、ソース領域とドリフト領域とにより挟み込まれるボディ領域の部分と絶縁されながら対向している。ゲート電極は、第2部分及び第3部分の上に延在するように配置される。【選択図】図1

5. 发明专利

JP2015088585A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015088585A
公开(公告)日：2015-05-07
申请号：JP2013225212
申请日：2013-10-30
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：徳光成太 , 森隆弘 , 新田哲也
IPC分类号： H01L27/04 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L21/3205 , H01L21/822
CPC分类号： H01L23/5228 , H01L27/0802 , H01L28/20 , H01L2224/05554 , H01L23/53223 , H01L23/53266 , H01L28/24
摘要：【課題】高精度の発振子を含む半導体装置をより簡素に安価で製造可能な半導体装置を提供する。【解決手段】複数の第1の配線層M1は基板SUBの主表面上に、第1の絶縁膜SO12は複数の第1の配線層M1の上面を覆うように、第2の絶縁膜SO13は第1の絶縁膜SO12の上面を覆うように、複数の第2の配線層M2は第2の絶縁膜SO13上に、それぞれ配置されている。金属抵抗素子層Rmnは、複数の第2の配線層M2のうち少なくとも1つの第2の配線層M2の真下に配置されている。複数の導電層CP1は、複数の第2の配線層M2のそれぞれから主表面に交差するZ方向に関して金属抵抗素子層Rmnに向けて延びている。金属抵抗素子層Rmnは金属配線層Rmを含んでいる。複数の導電層CP1のうち少なくとも1つの導電層CP1の側面の少なくとも一部は、金属配線層Rmに接続されている。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供一种包括高精度振荡器的半导体器件，其可以更简单且更便宜地制造。解决方案：多个第一布线层M1形成在基板SUB的主表面上，第一绝缘膜SO12 形成为覆盖多个第一布线层M1的上表面，形成第二绝缘膜SO13以覆盖第一绝缘膜SO12的上表面，并且多个第二布线层M2形成在第二绝缘膜SO13。金属电阻元件层Rmn布置在多个第二布线层M2中的至少一个之下。多个导电层CP1分别从多个第二布线层M2延伸到金属电阻元件层Rmn，Z方向与主表面交叉。金属电阻层Rmn包括金属布线层Rm。多个导电层CP1中的至少一个的侧面的至少一部分与金属布线层Rm连接。

6. 发明专利

JP6904854B2 半導体装置及び半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6904854B2
公开(公告)日：2021-07-21
申请号：JP2017165393
申请日：2017-08-30
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：森隆弘
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336

7. 发明专利

JP2020129597A 半導体装置及び半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020129597A
公开(公告)日：2020-08-27
申请号：JP2019021292
申请日：2019-02-08
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：森隆弘
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要：【課題】オン耐圧を改善することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、第1面及び第2面を含む第1エピタキシャル層と、第3面及び第4面とを含む第2エピタキシャル層と、第1エピタキシャル層及び第2エピタキシャル層に跨がって形成された埋め込み領域とを有する半導体基板と、ゲート電極を備える。第2エピタキシャル層は、ドレイン領域と、ソース領域と、ボディ領域と、ドリフト領域と、第1領域と、第2領域とを含む。第1領域は、少なくともドレイン領域の下方に形成されている。第2領域は、チャネル長方向において、第1端及び第2端とを有している。第1端は、チャネル長方向においてボディ領域とドレイン領域との間に位置している。第2領域は、第1端から第2端に向かって第2端が少なくともソース領域の下方に達するように延在している。第2領域における不純物濃度は、第1領域における不純物濃度よりも高い。【選択図】図3

8. 发明专利

JP6710627B2 半導体装置およびその製造方法有权
公开(公告)号：JP6710627B2
公开(公告)日：2020-06-17
申请号：JP2016246521
申请日：2016-12-20
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：藤井宏基 , 森隆弘
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8248 , H01L27/06 , H01L21/331 , H01L29/732 , H01L21/336

9. 发明专利

JP2019192741A 半導体装置及び半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019192741A
公开(公告)日：2019-10-31
申请号：JP2018082685
申请日：2018-04-24
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：関川宏昭 , 森隆弘 , 石井裕二
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/265 , H01L21/336
摘要：【課題】逆導電型領域を自己整合的に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】一実施形態に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板の第1面にドリフト領域を形成する工程と、第1面に配置される第1部分と、第1部分及びドリフト領域を取り囲むように第1面に配置される第2部分とを有するボディ領域を形成する工程と、ドリフト領域上に開口を有するハードマスクを第1面上に形成する工程と、ハードマスクを用いたイオン注入で第1面に逆導電型領域を形成する工程と、ハードマスクを用いた異方性エッチングで第1面に溝を形成する工程と、溝に絶縁分離膜を埋め込む工程とを備える。イオン注入は、開口の第1部分側に位置するハードマスクの第1縁部の下方にイオンが注入されるように第1面に対して傾斜して行われる。【選択図】図3

10. 发明专利

JP2019046852A 半導体装置及び半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019046852A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：JP2017165393
申请日：2017-08-30
申请人：ルネサスエレクトロニクス株式会社
发明人：森隆弘
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
摘要：【課題】第1埋込部の周囲かつ第1面に近い位置にあるドリフト領域の空乏化を促進することができる半導体装置を提供する。【解決手段】一実施形態に係る半導体装置は、第1面と第2面とを有する半導体基板と、第1溝が設けられた第1絶縁分離膜と、ゲート電極と、第1溝に埋め込まれる第1埋込部と、第1埋込部の上に位置する第1キャップ部とを有する導電膜とを備える。半導体基板は、ソース領域と、ドレイン領域と、ドリフト領域と、ボディ領域とを有する。ゲート電極は、ドリフト領域とソース領域とにより挟み込まれるボディ領域と絶縁されながら対向する。第1キャップ部は、第1絶縁分離膜の上において、平面視におけるボディ領域とドリフト領域との境界に沿う方向であるチャネル幅方向に、第1埋込部よりも張り出している。【選択図】図2

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