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    • 6. 发明专利
    • 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
    • 其氮化物半导体发光器件及其制造方法
    • JP2016219593A
    • 2016-12-22
    • JP2015102912
    • 2015-05-20
    • シャープ株式会社
    • 上田 吉裕伊藤 茂稔
    • H01L33/32H01L33/12
    • H01L33/12H01L33/007H01L33/16H01L33/32H01L33/0079H01L33/22
    • 【課題】窒化物半導体層の成長用基板として単結晶サファイア基板を用いた場合に比べ、素子特性が現状維持または現状よりも高められた窒化物半導体発光素子を低コストで提供すること。 【解決手段】窒化物半導体発光素子は、多結晶二酸化ケイ素またはアモルファス二酸化ケイ素を主成分として含む基板と、基板の上に設けられた下地層と、下地層の上に設けられ、窒化物半導体単結晶からなる層を少なくとも1つ有する積層構造とを備える。下地層は、c軸配向された結晶を含み、スパッタ法によって形成されたものである。 【選択図】図1
    • 与使用单晶蓝宝石衬底作为用于氮化物半导体层的生长衬底,以提供一种氮化物半导体发光器件,其比以低成本维持现状或电流的器件特性更高的情况下的比较。 一种氮化物半导体发光器件包括:基底,包括多晶硅或无定形二氧化硅作为主要成分,设置在基板上的底层,设置在下层的氮化物半导体单 和具有至少一个层由晶体的层叠结构。 基底层包括晶体c轴取向,并且通过溅射形成。 点域1
    • 8. 发明专利
    • 窒化物半導体発光装置
    • 氮化物半导体发光器件
    • JP2015109331A
    • 2015-06-11
    • JP2013251044
    • 2013-12-04
    • シャープ株式会社
    • 上田 雅也太田 征孝上田 吉裕高谷 邦啓伊藤 茂稔
    • H01L33/62
    • 【課題】窒化物半導体発光素子が外部に露出した際に、窒化物半導体発光素子への駆動電流の供給を遮断することができる窒化物半導体発光装置を提供する。 【解決手段】窒化物半導体発光装置は、台座4と、台座4上の窒化物半導体発光素子6と、窒化物半導体発光素子6上の透明絶縁板1と、台座4上の第一の電極3と第二の電極5と、透明絶縁板1の窒化物半導体発光素子6側の表面上に設けられた透明導電膜2とを備えている。窒化物半導体発光素子6は、第一の電気接続部61と第二の電気接続部62とを有し、第一の電極3は、透明導電膜2を介して、第一の電気接続部61と電気的に接続されており、第二の電極5は、第二の電気接続部62と電気的に接続されている。 【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供一种氮化物半导体发光器件,其能够在氮化物半导体发光元件暴露于外部时中断向氮化物半导体发光元件的驱动电流的供给。解决方案:氮化物半导体光 设备包括:基座4; 在基座4上的氮化物半导体发光元件6; 氮化物半导体发光元件6上的透明绝缘板1; 基座4上的第一电极3和第二电极5; 以及设置在透明绝缘板1的氮化物半导体发光元件6侧的表面上的透明导电膜2.氮化物半导体发光元件6具有第一电连接部61和第二电连接部62。 第一电极3通过透明导电膜2与第一电连接部61电连接,第二电极5与第二电连接部62电连接。