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1. 发明专利

JP6929403B2 撮像素子及び撮像装置有权
公开(公告)号：JP6929403B2
公开(公告)日：2021-09-01
申请号：JP2020042159
申请日：2020-03-11
申请人：キヤノン株式会社
发明人：池戸秀樹
IPC分类号： H04N5/378 , H04N5/3745 , H04N5/225 , H04N5/232 , G02B7/34 , G03B13/36 , H04N5/369

2. 发明专利

JP2020102809A 撮像装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020102809A
公开(公告)日：2020-07-02
申请号：JP2018240775
申请日：2018-12-25
申请人：キヤノン株式会社
发明人：佐々木顯 , 池戸秀樹
IPC分类号： H04N5/378 , H01L27/146 , H04N5/369
摘要：【課題】複数の画素の信号レベルの不均一性を低減することである。【解決手段】第1の基板は、複数の画素と複数の第1の接続部を有し、各列の画素は複数の画素群に分割され、複数の第1の信号線は全列の複数の画素群と複数の第1の接続部を接続し、第2の基板は、複数の第1の接続部にそれぞれ接続される複数の第2の接続部と、複数の画素群と同じ数が行列状に配置される複数の入力回路と、複数の入力回路と複数の第2の接続部とをそれぞれ接続する複数の第2の信号線を有し、第1の画素群は第1および第2の接続部を介して第1の入力回路に接続され、第2の画素群は第1および第2の接続部を介して第2の入力回路に接続され、第1の画素群に接続される第1の信号線は第2の画素群に接続される第1の信号線より短く、第1の入力回路に接続される第2の信号線は第2の入力回路に接続される第2の信号線より長い。【選択図】図2

3. 发明专利

JP5913934B2 画像処理装置、画像処理方法およびプログラム、および画像処理装置を有する撮像装置有权
标题翻译：图像处理装置，图像处理方法和程序，并且具有图像处理装置的图像拾取装置
公开(公告)号：JP5913934B2
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：JP2011262007
申请日：2011-11-30
申请人：キヤノン株式会社
发明人：池戸秀樹
IPC分类号： H04N5/232 , H04N5/367
CPC分类号： H04N5/367 , H04N5/2258 , H04N5/23212 , H04N5/23229 , H04N7/0157 , H04N13/0282

4. 发明专利

JP2015211400A 撮像装置およびその駆動方法审中-公开
标题翻译：成像装置和驱动方法
公开(公告)号：JP2015211400A
公开(公告)日：2015-11-24
申请号：JP2014093089
申请日：2014-04-28
申请人：キヤノン株式会社
发明人：池戸秀樹 , 小林寛和
IPC分类号： H04N5/359 , H04N5/374 , H04N5/341
摘要：【課題】各々が複数のフォトダイオードを有する単位画素に強い光が入射した場合に、その画素と同一行に発生する横帯状のノイズを低減させる。【解決手段】 1つのマイクロレンズと複数の光電変換部を有する単位画素がアレイ状に配置された固体撮像装置であって、前記単位画素の出力信号が所定レベル以上であるかを判定し、判定結果に応じて前記複数の光電変換部のうち信号を出力する光電変換部の数を制御する。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：为了减少当强光入射到像素上时具有多个光电二极管和与像素相同的行的每个单位像素处产生的横向带状噪声。解决方案：固态图像拾取装置每个具有一个微透镜和多个光电转换部件的单位像素阵列确定单位像素的输出信号是否等于或高于预定电平，并且根据确定结果控制光电转换的数量输出信号的多个光电转换部分中的部分。

5. 发明专利

JP2019110406A 撮像素子、撮像装置および画像処理方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019110406A
公开(公告)日：2019-07-04
申请号：JP2017241119
申请日：2017-12-15
申请人：キヤノン株式会社
发明人：池戸秀樹
IPC分类号： H04N5/3745
摘要：【課題】入射したフォトンの数を計数して信号値として出力する撮像装置において、単位時間あたりの受光量の違いによって生じる画質劣化を抑制すること。【解決手段】予め決められた露光期間に入射したフォトンを検出して数を計数し、第1の計数値を出力する複数の画素と、前記露光期間と前記第1の計数値とに基づいて、単位時間あたりの第2の計数値を求めるカウントレート算出部と、前記第2の計数値に基づいて補正係数を取得し、前記第1の計数値に対して、前記検出の誤差を、取得した補正係数により補正するゲイン補正部と、を有し、前記ゲイン補正部は、前記第2の計数値が第1の値である場合に、該第1の値より小さい第2の値である場合よりも、大きい補正係数を取得する。【選択図】図8

6. 发明专利

JP6346687B2 撮像素子及び撮像装置有权
公开(公告)号：JP6346687B2
公开(公告)日：2018-06-20
申请号：JP2017063521
申请日：2017-03-28
申请人：キヤノン株式会社
发明人：池戸秀樹
IPC分类号： G02B7/34 , G03B13/36 , H04N5/3745

7. 发明专利

JP2017228948A 撮像装置及びその制御方法、プログラム、記憶媒体审中-公开
公开(公告)号：JP2017228948A
公开(公告)日：2017-12-28
申请号：JP2016123990
申请日：2016-06-22
申请人：キヤノン株式会社
发明人：池戸秀樹 , 竹田伸弘
IPC分类号： H04N5/378
CPC分类号： H04N5/378 , H04N5/374 , H01L27/14609 , H01L27/14636 , H01L27/14643
摘要：【課題】AD変換回路を備えた撮像装置において、低分解能のデジタル信号を高速に出力することを可能とする。【解決手段】それぞれが光電変換部を備え、行列状に配置された複数の画素と、複数の画素からアナログ信号が列ごとに出力される列出力線と、列出力線を介して画素から出力されたアナログ信号をデジタル信号に変換するAD変換器と、アナログ信号をAD変換器によりnビット(nは2以上の整数)の分解能でデジタル信号に変換する第1の駆動モードと、アナログ信号をAD変換器によりmビット(mはnより小さい正の整数)の分解能でデジタル信号に変換する第2の駆動モードのいずれかに設定する設定部と、設定部により第2の駆動モードが設定された場合に、画素から列出力線へのアナログ信号の出力を開始してから、アナログ信号をAD変換器でデジタル信号に変換する動作を開始するまでの動作時間が、第1の駆動モードの場合よりも短くなるように制御する制御部とを備える。【選択図】図7

8. 发明专利

JP2017098931A 撮像装置及び撮像方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017098931A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：JP2016127627
申请日：2016-06-28
申请人：キヤノン株式会社
发明人：池戸秀樹
IPC分类号： H04N5/374 , H04N5/232 , H01L27/146 , H04N5/361
摘要：【課題】適切に黒レベルの補正を行い得る撮像装置及び撮像方法を提供する。【解決手段】複数の光電変換部をそれぞれ含む複数の単位画素が行列状に配置され、第1の行群は、複数の光電変換部で発生した電荷を合成電荷に応じた信号を読み出す第1のモードで読み出され、第2の行群は、いずれかの光電変換部で発生した電荷に応じた信号を読み出す第2のモードで読み出される画素アレイと、第1のモードで読み出される信号を補正するための第1の補正値と、第2のモードで読み出される信号を補正するための第2の補正値とを、基準画素領域から読み出される信号に基づいて生成する補正値生成部と、第1のモードで読み出される信号を第1の補正値で補正し、第2のモードで読み出される信号を第2の補正値を用いて補正する補正部とを有している。【選択図】図10

9. 发明专利

JP2017037995A 撮像素子及び撮像装置审中-公开
标题翻译：成像装置和成像设备
公开(公告)号：JP2017037995A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015159135
申请日：2015-08-11
申请人：キヤノン株式会社
发明人：池戸秀樹
IPC分类号： H01L27/14 , H04N5/335 , H04N5/361 , H01L27/146
CPC分类号： H01L27/14 , H01L27/146 , H04N5/361 , H04N5/369
摘要：【課題】像面湾曲を抑えつつ、暗電流の撮像面内における暗電流のバラツキを抑制する撮像素子を実現する。【解決手段】撮像面の少なくとも一部の領域が湾曲形状を有する撮像素子であって、前記撮像面は、半導体基板上に形成された第1の導電型の不純物領域からなる光電変換領域と、前記光電変換領域の基板表面側に形成された第2の導電型の不純物領域とを含む複数の画素が二次元状に配置され、前記第1の導電型または前記第2の導電型の不純物領域の不純物濃度が前記撮像面の湾曲形状に応じて異なる。【選択図】図2
摘要翻译：甲同时抑制场曲，实现抑制暗电流的成像平面上的暗电流的成像元件的变化。至少A图像拾取表面的部分区域是具有弯曲形状的成像装置，其中，所述成像表面，由形成在半导体基板上的第一导电类型的杂质区域的光电转换区域，其特征在于，布置在多个像素包括形成在光电转换区域的基板表面侧上的第二导电类型的杂质区域是二维，所述第一导电类型或第二导电类型的杂质区不同的杂质浓度在响应于所述成像表面的弯曲形状。 .The

10. 发明专利

JP2021168525A 撮像素子及び撮像装置审中-公开
公开(公告)号：JP2021168525A
公开(公告)日：2021-10-21
申请号：JP2021126875
申请日：2021-08-02
申请人：キヤノン株式会社
发明人：池戸秀樹
IPC分类号： H04N5/378 , H04N5/369
摘要：【課題】高速読み出し可能な撮像素子を提供する。【解決手段】撮像素子であって、各々が複数の光電変換部を有する複数の単位画素が配置された画素領域と、1フレーム分の第1の信号と、1フレーム分の第2の信号とを格納するメモリとを備え、前記第1の信号は、前記単位画素の前記複数の光電変換部の全てではない少なくとも1つに対応し、前記第2の信号は前記単位画素の前記複数の光電変換部の全てに対応し、前記画素領域は第1の半導体チップ上に形成され、前記メモリは前記第1の半導体チップとは異なる第2の半導体チップ上に形成され、前記第1の半導体チップと第2の半導体チップとが互いに積層されている。【選択図】図1

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