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1. 发明专利

JP2021141369A メモリシステム审中-公开
公开(公告)号：JP2021141369A
公开(公告)日：2021-09-16
申请号：JP2020035203
申请日：2020-03-02
申请人：キオクシア株式会社
发明人：熊野裕太 , 内川浩典
IPC分类号： H03M13/29 , G06F11/10 , H03M13/37
摘要：【課題】誤り訂正(復号)能力を向上させる。【解決手段】実施形態のメモリシステムは、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を備える。不揮発性メモリは、複数のシンボル群それぞれが第1の成分符号と第2の成分符号とによって保護されている多次元の誤り訂正符号を記憶する。メモリコントローラは、誤り訂正符号を不揮発性メモリから読み出し、第1の成分符号および第2の成分符号を用いた第1の復号処理を実行し、第1の復号処理に失敗した場合にエラーシンボル群に対して第2の復号処理を実行する。第2の復号処理は、エラーシンボル群に含まれる値を反転する複数のシンボルの位置を決定規則に従い決定する処理を含む。決定規則は、m回目の第2の復号処理に対して決定された位置を巡回シフトさせることにより、(m+1)回目の第2の復号処理に対する位置を決定する規則を含む。【選択図】図1

2. 发明专利

JP2022002158A 半導体記憶装置审中-公开
公开(公告)号：JP2022002158A
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：JP2020106456
申请日：2020-06-19
申请人：キオクシア株式会社
发明人：澁谷泰良 , 柴田昇 , 内川浩典
IPC分类号： G11C16/04 , G11C16/26 , G11C11/56
摘要：【課題】半導体記憶装置のページ毎の読み出し動作を高速化させること。【解決手段】実施形態の半導体記憶装置は、第1及び第2メモリセルと、第1及び第2ワード線と、コントローラとを含む。第1及び第2メモリセルの各々の閾値電圧は、電圧が低い方から順に設定された第1〜第16ステートのいずれかに含まれる。第1及び第2ワード線は、それぞれ第1及び第2メモリセルに接続される。第1メモリセルの閾値電圧と第2メモリセルの閾値電圧との組み合わせによって、第1ビット、第2ビット、第3ビット、第4ビット、第5ビット、第6ビット、第7ビット、及び第8ビットを含む8ビットデータが記憶される。【選択図】図11

3. 发明专利

JP2021047712A メモリシステム审中-公开
公开(公告)号：JP2021047712A
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：JP2019170683
申请日：2019-09-19
申请人：キオクシア株式会社
发明人：木舩尚子 , 内川浩典
IPC分类号： H03M13/29 , G06F11/10
摘要：【課題】誤り訂正をより高精度に実行可能とするメモリシステムを提供する。【解決手段】メモリシステムは、不揮発性メモリとメモリコントローラとを含む。メモリコントローラは、複数の第1データが含まれる複数の第2データと、複数の第2データから1つずつ選択される第1データを排他的論理和することで生成された第3データと、を符号化し、複数の符号語を不揮発性メモリへ記憶し、不揮発性メモリから読み出した受信語を復号し、2つ以上の受信語について復号に失敗した場合に、受信語から第1データに対応する第4データの排他的論理和である第5データを生成し、第5データの値がエラーを含むデータから生成されたことを示す値である場合に、第5データの生成に使用された複数の第4データの1つであって復号に失敗した受信語に含まれる第6データがエラーである確率についての条件に応じて、第6データを異なる値に修正し、修正された受信語を復号する。【選択図】図1

4. 发明专利

JP6840591B2 復号装置有权
公开(公告)号：JP6840591B2
公开(公告)日：2021-03-10
申请号：JP2017059738
申请日：2017-03-24
申请人：キオクシア株式会社
发明人：木舩尚子 , 内川浩典 , 渡邉大毅
IPC分类号： H04L1/00 , G06F11/10 , H03M13/11

5. 发明专利

JP2021044750A メモリシステム审中-公开
公开(公告)号：JP2021044750A
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：JP2019166652
申请日：2019-09-12
申请人：キオクシア株式会社
发明人：熊野裕太 , 内川浩典
IPC分类号： H03M13/15 , G06F11/10 , H03M13/45
摘要：【課題】誤り訂正(復号)能力を向上させることができるメモリシステムを提供する。【解決手段】実施形態のメモリシステムは、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を備える。不揮発性メモリは、誤り訂正符号で符号化されたデータが記憶される。メモリコントローラは、不揮発性メモリからデータを読み出し、読み出されたデータと、尤度情報を計算するためのLLRテーブルとから尤度情報を計算し、尤度情報に基づいて、読み出されたデータの復号処理のパラメタを決定し、決定されたパラメタに基づいて復号処理を実行し、復号処理により得らえた復号結果を出力する。【選択図】図1

6. 发明专利

JP2020042512A メモリシステム审中-公开
公开(公告)号：JP2020042512A
公开(公告)日：2020-03-19
申请号：JP2018169049
申请日：2018-09-10
申请人：キオクシア株式会社
发明人：熊野裕太 , 内川浩典
IPC分类号： G11C16/26 , G11C16/08 , H03M13/29 , G06F11/10
摘要：【課題】復号性能を向上させる。【解決手段】実施形態のメモリシステムは、複数の不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を備える。不揮発性メモリは、複数の第1記憶領域を含む。第1記憶領域は、複数の第2記憶領域を含む。複数の第1データは、記憶対象のデータである複数の第2データを含む。第3データは、複数の第1データのそれぞれから1つずつ選択される複数の第2データを含む。第3データに含まれる第2データは、他の第3データに含まれる第2データとは重複しない。メモリコントローラは、第1データを用いて生成される第1誤り訂正符号に基づいて第1データを復号する第1復号を実行し、第1復号に失敗した第2記憶領域内の各ビットの信頼度を算出し、信頼度が他のビットより小さいビットを含む第3データを、第3データを用いて生成される第2誤り訂正符号に基づいて復号する第2復号を実行する。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2020155861A メモリシステム审中-公开
公开(公告)号：JP2020155861A
公开(公告)日：2020-09-24
申请号：JP2019051045
申请日：2019-03-19
申请人：キオクシア株式会社
发明人：木舩尚子 , 内川浩典 , 藤木崇宏 , 渡邉大毅 , 藤原大輔 , 森永孝介
IPC分类号： G06F11/10 , H03M13/29
摘要：【課題】誤り訂正をより高精度に実行可能とする。【解決手段】実施形態のメモリシステムは、不揮発性メモリと、メモリコントローラと、を備える。不揮発性メモリは、符号を構成するシンボルのうち少なくとも1つのシンボルが少なくとも第1の成分符号と第2の成分符号とによって保護される多次元の誤り訂正符号を記憶する。メモリコントローラは、誤り訂正符号を不揮発性メモリから読み出し、読み出した誤り訂正符号に対して、第1の成分符号の硬判定復号を実行し、第1復号結果と、第1復号結果の尤もらしさを算出するためのインデックス情報と、を出力し、硬判定復号に失敗した場合は、第1復号結果とインデックス情報とを用いて第2の成分符号の軟判定復号を実行し、復号結果をハードビットとして出力し、軟判定復号に失敗した場合は、ハードビットとして出力された軟判定復号の結果に対して硬判定復号を実行する。【選択図】図1

8. 发明专利

JP2020107387A 半導体メモリ审中-公开
公开(公告)号：JP2020107387A
公开(公告)日：2020-07-09
申请号：JP2019026045
申请日：2019-02-15
申请人：キオクシア株式会社
发明人：柴田昇 , 内川浩典 , 澁谷泰良
IPC分类号： G11C16/26 , G11C16/04 , G11C16/10 , H01L21/336 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , G11C11/56
摘要：【課題】半導体メモリの読み出し動作を高速化する。【解決手段】実施形態の半導体メモリは、複数の第1及び第2メモリセルと、第1及び第2メモリセルアレイと、第1及び第2ワード線と、コントローラとを含む。第1及び第2メモリセルアレイは、それぞれ複数の第1及び第2メモリセルを含む。第1及び第2ワード線は、それぞれ複数の第1及び第2メモリセルに接続される。第1メモリセルにおける閾値電圧と前記第2メモリセルにおける閾値電圧との組み合わせによって、第1乃至第6ビットを含む6ビット以上のデータが記憶される。第1ビットを含む第1ページの読み出し動作において、前記コントローラは、第1ワード線に少なくとも1種類の読み出し電圧を印加することによって複数の第1メモリセルから第1データを読み出し、第1データに基づいて確定させた第1ページのデータを外部に出力する。【選択図】図11

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