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1. 发明专利

JP6246444B1 加工対象材料の切断方法有权
公开(公告)号：JP6246444B1
公开(公告)日：2017-12-13
申请号：JP2017546747
申请日：2017-05-09
申请人：エルシード株式会社
发明人：山下憲二 , 難波江宏一
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B23K26/40 , B23K26/53 , B28D5/00 , H01L21/304
摘要：最終的に得られる切断面が切断予定面から大きくずれることのない加工対象材料の切断方法を提供する。加工対象材料の切断予定面に対しレーザ光を吸収させて改質領域を形成した後、加工対象材料を切断予定面に沿って切断する加工対象材料の切断方法であって、切断予定面の法線は、加工対象材料の所定の低指数面の法線と所定の角度をなし、レーザ光の照射ライン同士の距離を所定の低指数面に沿った割れが伸展しない距離として、複数のライン状の改質領域を並べて形成する割れ抑制加工工程と、割れ抑制加工工程にて形成されたライン状の各改質領域の間に、追加のライン状の改質領域を、隣接するレーザ光の照射ライン同士の距離を所定の低指数面に沿った割れが伸展する距離として形成する割れ促進加工工程と、を含むようにした。

2. 发明专利

JP2016123982A SiC材料の加工方法有权
标题翻译： SiC材料的加工方法
公开(公告)号：JP2016123982A
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：JP2014264140
申请日：2014-12-26
申请人：エルシード株式会社
发明人：山下憲二 , 難波江宏一
IPC分类号： B28D5/04 , B23K26/00 , B23K26/53
CPC分类号： B23K26/00 , B23K26/53 , B28D5/00 , B28D5/04 , H01L21/304
摘要：【課題】レーザ光の照射時間を短縮しつつ、各ライン間で確実に割れを進展させることのできるSiC材料の加工方法を提供する。【解決手段】SiC材料の切断予定面に対しレーザ光を吸収させて複数の線状の変質領域を形成した後、SiC材料を切断予定面に沿って切断するSiC材料の加工方法であって、所定方向へ延びる複数の線状の主変質領域12を第1ピッチP1で並べて形成し、当該所定方向へ延びる変質領域群13とし、変質領域群13を第1ピッチP1より長い第2ピッチP2で並べて複数形成するようにした。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：提供能够确保在各行之间发生裂纹的SiC材料的处理方法，同时缩短激光束的照射时间。解决方案：提供SiC材料的加工方法来切割SiC材料通过将激光束吸收到SiC材料的切割预期表面而形成多个线性退化区域之后沿着切割预期表面，并且以预定方向延伸的多个线性主变性区域12以第一间距并置形成形成为沿预定方向延伸的退化区域组13，并且通过并列形成比第一间距P1长的第二间距P2多个地形成退化区域组13.图3

3. 发明专利

JPWO2017199784A1 加工対象材料の切断方法有权
公开(公告)号：JPWO2017199784A1
公开(公告)日：2018-05-31
申请号：JP2017546747
申请日：2017-05-09
申请人：エルシード株式会社
发明人：山下憲二 , 難波江宏一
IPC分类号： H01L21/304 , B23K26/53 , B28D5/00
CPC分类号： B23K26/40 , B23K26/53 , B28D5/00 , H01L21/304
摘要：最終的に得られる切断面が切断予定面から大きくずれることのない加工対象材料の切断方法を提供する。加工対象材料の切断予定面に対しレーザ光を吸収させて改質領域を形成した後、加工対象材料を切断予定面に沿って切断する加工対象材料の切断方法であって、切断予定面の法線は、加工対象材料の所定の低指数面の法線と所定の角度をなし、レーザ光の照射ライン同士の距離を所定の低指数面に沿った割れが伸展しない距離として、複数のライン状の改質領域を並べて形成する割れ抑制加工工程と、割れ抑制加工工程にて形成されたライン状の各改質領域の間に、追加のライン状の改質領域を、隣接するレーザ光の照射ライン同士の距離を所定の低指数面に沿った割れが伸展する距離として形成する割れ促進加工工程と、を含むようにした。

4. 发明专利

JP5917677B1 SiC材料の加工方法有权
标题翻译：在SiC材料的处理方法
公开(公告)号：JP5917677B1
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：JP2014264140
申请日：2014-12-26
申请人：エルシード株式会社
发明人：山下憲二 , 難波江宏一
IPC分类号： B28D5/04 , B23K26/00 , B23K26/53
CPC分类号： B23K26/00 , B23K26/53 , B28D5/00 , B28D5/04 , H01L21/304
摘要：【課題】レーザ光の照射時間を短縮しつつ、各ライン間で確実に割れを進展させることのできるSiC材料の加工方法を提供する。【解決手段】SiC材料の切断予定面に対しレーザ光を吸収させて複数の線状の変質領域を形成した後、SiC材料を切断予定面に沿って切断するSiC材料の加工方法であって、所定方向へ延びる複数の線状の主変質領域12を第1ピッチP1で並べて形成し、当該所定方向へ延びる変質領域群13とし、変質領域群13を第1ピッチP1より長い第2ピッチP2で並べて複数形成するようにした。【選択図】図3
摘要翻译：甲同时缩短激光束的照射时间，提供了一种能够开发每个线之间可靠裂纹的碳化硅材料的处理方法。阿通过相对于在SiC材料的切断预定表面吸收激光束形成多个线性受影响的区域的之后，在SiC材料的处理方法，沿所述SiC材料切来切去表面，在预定方向上在所述第一间距P1的多个线性主影响区域延伸12以及形成并排，13延伸的在所述预定方向受影响的区域组中，在第一间距P1比第二间距P2不再受影响的区域组13 并排和，以便形成多个。点域

5. 发明专利

JP2018050066A 加工対象材料の切断方法审中-公开
公开(公告)号：JP2018050066A
公开(公告)日：2018-03-29
申请号：JP2017216228
申请日：2017-11-09
申请人：エルシード株式会社
发明人：山下憲二 , 難波江宏一
IPC分类号： B28D5/00 , B28D5/04 , B23K26/53 , H01L21/304
CPC分类号： B23K26/40 , B23K26/53 , B28D5/00 , H01L21/304
摘要：【課題】最終的に得られる切断面が切断予定面から大きくずれることのない加工対象材料の切断方法を提供する。【解決手段】切断予定面にレーザ光を吸収させて改質領域を形成した後に切断する加工対象材料の切断方法であって、切断予定面の法線は所定の低指数面の法線と所定の角度をなしており、レーザ光の照射ライン10同士の距離を割れが伸展しない距離として複数のライン状の改質領域12を並べて形成し、各改質領域の間に追加のライン状の改質領域13を形成する。このとき、各改質領域を、隣接する各改質領域から所定の低指数面に沿った割れが到達可能な深さ寸法とする。【選択図】図5

6. 发明专利

JP2016015463A SiC材料の加工方法及びSiC材料审中-公开
标题翻译： SiC材料和SiC材料的加工方法
公开(公告)号：JP2016015463A
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：JP2014238635
申请日：2014-11-26
申请人：エルシード株式会社
发明人：山下憲二 , 寺前文晴 , 難波江宏一 , 上山智
IPC分类号： B28D5/00 , B23K26/53 , B23K26/57 , C30B29/36 , C30B25/14 , C30B33/12 , H01L21/304
摘要：【課題】レーザ照射装置を複雑にすることなく的確に材料を切断することができ、かつ、結晶品質の低下を抑制することのできるSiC材料の加工方法及びSiC材料を提供する。【解決手段】SiC材料を加工するにあたり、吸収層と、吸収層よりも所定波長の級数係数が小さな非吸収層と、が積層されたSiC材料に対し、吸収層に集光点が設定された所定波長のレーザ光を照射することにより、吸収層に前記レーザ光を吸収させて変質領域を形成する変質領域形成工程と、吸収層の変質領域から非吸収層を剥離させる剥離工程と、を含むようにし、吸収層にて的確にレーザ光が吸収されるようにした。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种能够适当地切割材料而不使激光照射装置复杂化并且能够抑制晶体质量劣化并且提供SiC材料的SiC材料的处理方法。解决方案：一种加工方法 SiC材料包括：用预定的激光束照射SiC材料的改变区域形成步骤，其中层叠具有比吸收层预定波长低的吸收系数的吸收层和非吸收层波长具有设置在吸收层的会聚光束点，从而允许吸收层吸收激光束以形成改变的区域; 以及从吸收层中的改变区域剥离非吸收层的剥离步骤。在该方法中，允许激光束在吸收层处被充分吸收。

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