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    • 9. 发明专利
    • 半導体装置
    • 半导体器件
    • JP2015005639A
    • 2015-01-08
    • JP2013130336
    • 2013-06-21
    • ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l.Ps4 Luxco S A R Lピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l.
    • KITAMURA EIJI
    • H01L21/822H01L21/8234H01L27/04H01L27/06
    • 【課題】抵抗素子の抵抗値のばらつきを抑制して、装置特性の優れた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板100内に配置された素子分離領域と、素子分離領域に囲まれると共に第1の方向に延在する活性領域110であって抵抗素子部190と第1の方向の両端に配置された配線接続部192とを有する活性領域と、第1の方向とは異なる第2の方向に抵抗素子部を挟んで互いに対向する2つのゲートパターン126と、2つのゲートパターンのそれぞれの側面を囲み互いに対向する2つのゲートパターン同士の間を埋設して抵抗素子部を覆うスペーサ130と、スペーサに覆われた活性領域の表面に配置された第1拡散層115と、活性領域の配線接続部のそれぞれに配置された第2拡散層120と、を備え、第2の方向において2つのゲートパターン同士の間隔はスペーサ幅の2倍よりも狭いことを特徴とする半導体装置。【選択図】図1
    • 要解决的问题:提供减小电阻元件的电阻值变化的半导体器件,并且具有优异的器件特性。解决方案:半导体器件包括:设置在半导体衬底100中的元件隔离区域; 有源区域110,其被元件隔离区域包围并沿第一方向延伸,并且具有设置在第一方向两端的电阻元件部分190和布线连接部分192; 在与第一方向不同的第二方向上跨越电阻元件部分彼此面对的两个栅极图案126; 间隔件130,其围绕两个栅极图案的每个侧表面并且掩埋彼此面对并且覆盖电阻元件部分的两个栅极图案之间的空间; 设置在由间隔物覆盖的有源区域的表面上的第一扩散层115; 以及设置在有源区域的每个布线连接部分中的第二扩散层120。 两个栅极图案之间的距离比第二方向上间隔物宽度的两倍窄。