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    • 2. 发明专利
    • ガスセンサ素子およびガスセンサ
    • JP2019095261A
    • 2019-06-20
    • JP2017223677
    • 2017-11-21
    • NGK SPARK PLUG CO
    • FURUTA SAIKAMATA KENTARO
    • G01N27/419
    • 【課題】多孔質部を有する絶縁保護層を備えるガスセンサ素子において、低温環境下で使用する場合でも破損が生じがたいガスセンサ素子およびガスセンサを提供する。【解決手段】セルは、固体電解質層と第1電極と第2電極とを備え、絶縁保護層は、多孔質部99と緻密部とを備える。このガスセンサ素子は、多孔質部の断面積が第1電極85の断面積よりも小さい構成を採ることで、絶縁保護層の外面に露出する多孔質部の面積を小さくでき、熱衝撃による応力が小さくなることで破損を抑制できるとともに、多孔質部に含まれる水分の体積変化に起因する絶縁保護層の破損を抑制できる。電極当接部92が第1電極の全体を覆うとともに第1電極に当接する構成を採ることで、第1電極は、固体電解質層との当接面以外の領域で電極当接部との間でガスの受け渡しが可能となる。【選択図】図5
    • 5. 发明专利
    • 温度センサ
    • JP2019027994A
    • 2019-02-21
    • JP2017150041
    • 2017-08-02
    • NGK SPARK PLUG CO
    • OYA TOSHIYAOYA SEIJI
    • G01K7/02
    • 【課題】温度センサの熱電対素線の断線を抑制する。【解決手段】温度センサ1は、第1熱電対素線2と第2熱電対素線3とシース4と測温接点10とを備える。第2熱電対素線3は、第1熱電対素線2とは異なる材料で形成されている。シース4は、筒状に形成され、第1熱電対素線2と第2熱電対素線3とが互いに絶縁された状態で両熱電対素線2,3を内部に保持する。測温接点10は、第1熱電対素線2においてシース4から突出している部分の先端側FEの端部と、第2熱電対素線3においてシース4から突出している部分の先端側FEの端部とが接合されることにより形成されている。温度センサ1では、第1熱電対素線2及び第2熱電対素線3においてシース4から突出している部分の表面に、それぞれ第1酸化膜層及び第2酸化膜層が形成されている。【選択図】図1
    • 7. 发明专利
    • 配線基板及びプレーナトランス
    • JP2019021878A
    • 2019-02-07
    • JP2017142017
    • 2017-07-21
    • NGK SPARK PLUG CO
    • MORITA MASAHITO
    • H05K1/11H05K1/14H05K1/16
    • 【課題】接続導体を大径化しつつ、絶縁層における欠陥の発生や接続導体内のボイドの発生を抑制できる配線基板を提供する。【解決手段】本開示は、表面及び裏面を有する少なくとも1つの絶縁層と、絶縁層の表面側に配置された第1配線層と、第1配線層が配置された絶縁層の裏面側に配置された第2配線層と、第1配線層と第2配線層とを電気的に接続する接続導体と、を備える配線基板である。絶縁層は、この絶縁層を厚み方向に貫通する貫通孔を有する。接続導体は、貫通孔内に配置されると共に、少なくとも第1配線層及び第2配線層を厚み方向に貫通する金属製の棒体を有する。棒体は、棒体の貫通部分において第1配線層及び第2配線層に直接又は接合部を介して電気的に接続される。絶縁層の厚み方向から視て、棒体の貫通部分における第1配線層と棒体との平均距離及び第2配線層と棒体との平均距離は、それぞれ、貫通孔の壁面と棒体との平均距離よりも小さい。【選択図】図2