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1. 发明专利

JP2020092226A 積層セラミックコンデンサ审中-公开
公开(公告)号：JP2020092226A
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：JP2018229818
申请日：2018-12-07
申请人： MURATA MANUFACTURING CO
发明人： UCHIDA KAZUHISA , MURANISHI NAOTO
IPC分类号： H01G4/30
摘要：【課題】誘電体層の薄層化を図りつつ、ショート率の低減、静電容量の大容量化及び平均故障率を向上した積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】この発明に係る積層セラミックコンデンサ10は、ペロブスカイト構造を有する結晶粒子を含む誘電体層14及び内部電極層16が積層された積層体12と、外部電極24とを備え、有効部13の誘電体層はTiの含有量を100モル部としたとき、Siが0.7モル部以上1.2モル部以下、Dyが0.9モル部以上1.1モル部以下、Mgが0.24モル部以上0.34モル部以下、Alが0.17モル部以上0.23モル部以下、Mnが0.09モル部以上0.11モル部以下、Vが0.04モル部以上0.06モル部以下であり、誘電体層におけるBa/Tiモル比は1.0073以上1.0083以下、結晶粒子は誘電体層1層あたり1.9個以下、誘電体層の厚みばらつきが14.0%以下であることを特徴とする。【選択図】図2

2. 发明专利

JP2020089064A セルバランス制御装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020089064A
公开(公告)日：2020-06-04
申请号：JP2018220214
申请日：2018-11-26
申请人： MURATA MANUFACTURING CO
发明人： HIGASHIHATA KAZUSUKE , YOSHINORI MASAKI
IPC分类号： H02J7/02 , B60L50/40 , B60L50/50 , B60L53/00 , B60L55/00 , B60L58/00 , H01M10/44 , H01M10/48 , H02J7/00
摘要：【課題】3個以上の電池セルの充電状態を均等化するセルバランス制御装置であって、均等化時の電力ロスを低減でき、かつ、電池セルの劣化を防止することが可能なセルバランス制御装置を提供する。【解決手段】セルバランス制御装置1は、3個以上の電池セル111〜11nそれぞれに対応して設けられ、無線電力伝送部301〜30nの接続先を、電池セル111〜11nと、蓄電器601〜60nとの間で切替える切替制御部511a〜51naを備える。各切替制御部511a〜51naは、当該切替制御部511a〜51naに対応する電池セル111〜11nが、電力を供給する供給セル、又は、電力の供給を受ける被供給セルの場合には、無線電力伝送部301〜30nの接続先を電池セル111〜11n側に切替え、電力を中継する中継セルの場合には、無線電力伝送部301〜30nの接続先を蓄電器601〜60n側に切替える。【選択図】図1

3. 发明专利

JP2019095840A 電流源回路および増幅装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019095840A
公开(公告)日：2019-06-20
申请号：JP2017222061
申请日：2017-11-17
申请人： MURATA MANUFACTURING CO
发明人： BEPPU NOBUYASU
IPC分类号： G05F3/26 , H03F3/19
摘要：【課題】外部電源電圧の変動および温度変化に対して、高い耐性を有する電流源回路および増幅装置を提供する。【解決手段】電流源回路1は、p型トランジスタ21pおよび22pと、n型トランジスタ11nおよび12nと、出力用n型トランジスタ32nと、n型トランジスタ12nとグランドとの間に直列接続された抵抗素子50とを備え、ゲート端子G2はゲート端子G1およびドレイン端子D2と接続され、ゲート端子G3はゲート端子G4およびドレイン端子D3と接続され、ゲート端子G4はゲート端子G5と接続され、電流I1は、電源端子100、p型トランジスタ21p、n型トランジスタ11n、グランドをこの順で流れ、電流I2は、電源端子100、p型トランジスタ22p、n型トランジスタ12n、グランドをこの順で流れ、抵抗素子50は、温度上昇に伴い抵抗値Rが増加する正の温度係数を有する。【選択図】図1

4. 发明专利

JP2019093387A 濾過装置、濾過方法、及び濾過フィルタ审中-公开
公开(公告)号：JP2019093387A
公开(公告)日：2019-06-20
申请号：JP2019021257
申请日：2019-02-08
申请人： MURATA MANUFACTURING CO
发明人： YAMAMOTO WATARU , KONDO TAKASHI
IPC分类号： B01D29/00 , B01D33/29 , B01D33/333 , B01D39/20 , B01D46/10 , B01D63/08 , B01D71/02 , C12M3/06
摘要：【課題】濾過フィルタの目詰まりを抑えて濾過処理量を増大させることができる濾過装置を提供する。【解決手段】本発明に係る濾過装置は、流体に含まれる生物由来物質を濾過する膜部(11)と、膜部(11)を保持する枠部(12)とを備える濾過フィルタ(1)と、膜部(11)が曲がるように枠部(12)を保持するフィルタ保持部(3)とを備え、フィルタ保持部(3)は、枠部(12)に保持されない膜部(11)の露出部における曲げ量が生物由来物質の平均粒子径の2倍以上となるように枠部(12)を保持するように構成されている。【選択図】図4

5. 发明专利

JP2019091978A 弾性波装置、高周波フロントエンド回路及び通信装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019091978A
公开(公告)日：2019-06-13
申请号：JP2017217907
申请日：2017-11-13
申请人： MURATA MANUFACTURING CO
发明人： SAJI MARI
IPC分类号： H03H9/145
摘要：【課題】共振特性やフィルタ特性の劣化が生じ難い弾性波装置を提供する。【解決手段】高音速部材2、低音速膜3、圧電膜4及びIDT電極5がこの順序で積層されており、IDT電極5が、交叉領域Cと、第1,第2の外縁領域C4,C5とを有し、交叉領域Cが、第1及び第2の電極13,14の延びる方向において中央に位置している中央領域C1と、中央領域C1の両外側に設けられた第1及び第2の内縁領域C2,C3とを有し、第1及び第2の電極指13,14の厚みが、第1及び第2の内縁領域C2,C3において中央領域C1における厚みに比べて厚くされており、第1及び第2の電極指13,14の厚くされている厚み増加部分が密度d5.5g/cm3以上の金属からなり、かつT=−0.1458d+4.8654で表される波長規格化膜厚T(%)以下の膜厚とされている、弾性波装置1。【選択図】図3

6. 发明专利

JP2019021904A 電子モジュールおよび電子モジュールの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019021904A
公开(公告)日：2019-02-07
申请号：JP2018081929
申请日：2018-04-21
申请人： MURATA MANUFACTURING CO
发明人： YASUDA JUNPEI
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/00 , H01L23/28 , H01L23/31 , H01L25/00 , H01L25/10 , H01L25/18 , H03H3/08 , H03H9/25
摘要：【課題】電子モジュールに中空部を有する第1電子部品と、中空部を有さない第2電子部品とを良好な状態で内蔵させる。【解決手段】基板1と、中空部5を有する第1電子部品4を少なくとも1つと、中空部を有さない第2電子部品11を少なくとも1つと、第1封止樹脂13と、第2封止樹脂14と、を備え、第1電子部品4は、第1封止樹脂13によって封止され、第2電子部品11のうち、実装面に形成された電極の電極間ピッチが最も小さい第2電子部品11は、少なくとも電極12を含む実装面が第2封止樹脂14によって封止され、第1封止樹脂13に含有されるフィラーの体積%が、第2封止樹脂14に含有されるフィラーの体積%よりも高いものとする。【選択図】図1

7. 发明专利

JP2019019353A セラミック基板の製造方法、及びパワーモジュールの製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019019353A
公开(公告)日：2019-02-07
申请号：JP2017137134
申请日：2017-07-13
申请人： MURATA MANUFACTURING CO , UNIV MIE
发明人： TANIDA NOBORU , WAKAOKA TAKUO , KISHIMOTO ATSUSHI , AOKI YUSUKE
IPC分类号： C23C28/00 , C04B37/02 , C09D7/40 , C09D183/04 , C09J11/04 , C09J183/04 , C23C18/34 , C25D15/00 , H01L23/12 , H01L23/36 , H05K1/05 , H05K3/46
摘要：【課題】セラミック部材や金属層に負荷される熱抵抗を低減できて熱応力を効率良く緩和することができ、かつ異種材料間の接着性が良好なセラミック基板の製造方法を実現する。【解決手段】微小な細孔6aを有する金属多孔体6を金属基体5の主面に形成し、高熱伝導性を有するセラミック粒子8とポリジメチルシロキサン系結着剤とを含有した懸濁液を作製する。金属基体5と対向電極とを前記懸濁液に浸漬して電圧を印加し、電気泳動させてセラミック粒子8及びポリジメチルシロキサン系結着剤を主体とする複合材料を金属基体5上に堆積させて電着膜45を形成する。その後、電着膜45を介して金属基体5とセラミック部材とを接合し、熱処理を施して前記電着膜45を硬化させ、複合材料からなる第1層と細孔6aに複合材料が充填した第2層とを有する緩衝層をセラミック部材上に形成する。【選択図】図6

8. 发明专利

JP2019004097A 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019004097A
公开(公告)日：2019-01-10
申请号：JP2017119476
申请日：2017-06-19
申请人： MURATA MANUFACTURING CO
发明人： NAKASO ICHIRO , MATSUI ATSUSHI , ARAKI TAKASHI , YAMAMOTO TATSUMI , GOTO SEIJI
IPC分类号： H01G4/232 , H01G4/12 , H01G4/30
摘要：【課題】設計の自由度と放熱性の向上との両立を図ることのできる積層セラミックコンデンサ及びその製造方法を提供する。【解決手段】積層体14の第1の主面14aおよび第2の主面14bを結ぶ積層方向xの中央部における第1の内部電極18aと第2の内部電極18bとが対向する対向電極部22aにおいて、第1の内部電極18aおよび第2の内部電極18bの厚みが厚い部分が存在している。そして、積層体14の第1の主面14aおよび第2の主面14bを結ぶ積層方向xの中央部の中心に近付くにつれて、第1の内部電極18aおよび第2の内部電極18bの厚みが厚い部分が厚くなっている。さらに、第1の内部電極18aおよび第2の内部電極18bを平面視した際に、対向電極部22aの中心に近付くにつれて第1の内部電極18aおよび第2の内部電極18bの厚みが厚い部分が厚くなっている。【選択図】図2

9. 发明专利

JP2019004013A コイル基板、および、コイル基板とベース基板との接合構造审中-公开
公开(公告)号：JP2019004013A
公开(公告)日：2019-01-10
申请号：JP2017116672
申请日：2017-06-14
申请人： MURATA MANUFACTURING CO
发明人： ITO SHINGO
IPC分类号： H05K1/02 , H01F5/00 , H01F5/04 , H01F27/06 , H01F27/28 , H01F27/29 , H05K1/14
摘要：【課題】マザー基板から分離できる取り個数が多く、且つ、ベース基板等への実装後の変形を抑制することで、特性の変化を抑制したコイル基板を実現する。【解決手段】コイル基板101は、基材10、複数のコイルL1,L2,L3,L4、複数の実装電極P1,P2,P3,P4を備える。基材10は、コイルL1,L2,L3,L4のコイル軸AX1,AX2,AX3,AX4の方向(Z軸方向)から視て、外縁から内側に向かって切り欠かれた形状の切り欠き部CH1、第1端部CN1および第2端部CN2を有するU字形である。基板10は、Z軸方向から視て、切り欠き部CH1の重心GPを通り直交する2つの分割線DL1,DL2で4つの領域に分割したときに、2つの領域は、第1端部CN1を有する第1領域E1、および第2端部CN2を有する第2領域E2である。実装電極P1,P2,P3,P4は、少なくとも第1領域E1および第2領域E2に配置される。【選択図】図2

10. 发明专利

JP2016003166A セラミック組成物およびチップバリスタ审中-公开
公开(公告)号：JP2016003166A
公开(公告)日：2016-01-12
申请号：JP2014125035
申请日：2014-06-18
申请人： MURATA MANUFACTURING CO
发明人： TACHIKAWA TSUTOMU
IPC分类号： C04B35/16 , C04B35/48 , H01C7/10
摘要：【課題】チップバリスタのセラミック素体(より詳細には、セラミック素体の周囲部分の少なくとも一部)の材料として好適に利用可能な新規なセラミック組成物を提供する。【解決手段】ホウケイ酸ガラス 35〜50重量%;ZrSiO4およびZrO2の少なくとも一方 50〜65重量%;ZnO 0〜5重量%;およびBi2O30〜5重量%から成り、ホウケイ酸ガラスは、B、Si、KおよびOの元素から構成され、B、SiおよびKの合計100mol%に対して、Bが13〜33mol%、Siが65〜86mol%、Kが1〜5mol%である、セラミック組成物。【選択図】なし

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