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1. 发明专利

JP2013134057A Method for determining three-dimensional distribution of bubble distribution of silica glass crucible, and method for manufacturing silicon monocrystal 有权
标题翻译：用于确定二氧化硅玻璃可溶性泡沫分布的三维分布的方法，以及制造硅单晶的方法
公开(公告)号：JP2013134057A
公开(公告)日：2013-07-08
申请号：JP2011282409
申请日：2011-12-22
申请人： Japan Siper Quarts Corp , ジャパンスーパークォーツ株式会社
发明人： SUDO TOSHIAKI , SATO TADAHIRO , KITAHARA MASARU , SUZUKI ERIKO
IPC分类号： G01B11/00 , C03B20/00 , C30B15/10 , C30B29/06 , G01B11/24 , G01B21/00
CPC分类号： Y02P40/57
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for determining a three-dimensional distribution of a bubble distribution of a silica glass crucible with high precision.SOLUTION: According to the present invention, there is provided a method for determining three-dimensional distribution of a bubble distribution of a silica glass crucible including the steps of: moving an inner distance-measuring part along an inner surface of a silica glass crucible having a transparent silica glass layer on an inner surface side and a bubble-containing silica glass layer on an outer surface side, in a noncontact manner; at a plurality of measuring points in a moving path, irradiating the inner surface of the silica glass crucible with laser light obliquely thereto from the inner distance-measuring part and detecting inner surface reflected light from the inner surface to measure an inner surface distance between the inner distance-measuring part and the inner surface; calculating a three-dimensional shape of the inner surface of the silica glass crucible by associating a three-dimensional coordinate of each measuring point with the inner surface distance; and determining a three-dimensional distribution of the bubble distribution by measuring, at a plurality of measuring points on the three-dimensional shape, bubble distribution at a position of a wall of the crucible corresponding to each measuring point.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种以高精度确定石英玻璃坩埚的气泡分布的三维分布的方法。解决方案：根据本发明，提供一种用于确定二氧化硅玻璃坩埚的三维分布的方法石英玻璃坩埚的气泡分布包括以下步骤：沿内表面侧具有透明石英玻璃层的石英玻璃坩埚的内表面和外表面上的含气泡石英玻璃层移动内测距部分表面侧，以非接触方式; 在移动路径中的多个测量点处，从内部距离测量部分向其中倾斜地照射石英玻璃坩埚的内表面并检测来自内表面的内表面反射光以测量内表面距离内测距部和内表面; 通过将每个测量点的三维坐标与内表面距离相关联来计算石英玻璃坩埚的内表面的三维形状; 以及通过在所述三维形状的多个测量点上测量与每个测量点对应的所述坩埚的壁的位置处的气泡分布来确定所述气泡分布的三维分布。

2. 发明专利

JP2013133229A Method for producing silicon single crystal 有权
标题翻译：生产硅单晶的方法
公开(公告)号：JP2013133229A
公开(公告)日：2013-07-08
申请号：JP2011282411
申请日：2011-12-22
申请人： Japan Siper Quarts Corp , ジャパンスーパークォーツ株式会社
发明人： SUDO TOSHIAKI , SATO TADAHIRO , KITAHARA MASARU , SUZUKI ERIKO
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for producing a silicon single crystal, whereby the silicon single crystal can be pulled with high precision by identifying the initial liquid surface with high precision.SOLUTION: The method for producing the silicon single crystal by the Czochralski method comprises determining the liquid surface of a silicon melt before bringing a seed crystal into contact with the silicon melt, based on the mass of a polycrystalline silicon and the three-dimensional shape of an inner surface of a silica glass crucible 11. The determination process for the three-dimensional shape of the inner surface comprises steps of: moving an inner distance measurement unit 17 in a non-contact manner along the inner surface of the silica glass crucible 11; at a plurality of measurement points on a moving path, emitting a laser beam from the inner distance measurement unit 17 in a direction oblique to the inner surface of the silica glass crucible 11; detecting the inner surface reflection reflected from the inner surface, thereby measuring the inner surface distance between the inner distance measurement unit 17 and the inner surface; and correlating three-dimensional coordinates at individual measurement points with the inner surface distance.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种制造硅单晶的方法，由此通过以高精度识别初始液面，可以高精度地拉伸硅单晶。解决方案：由Czochralski生产硅单晶的方法方法包括基于多晶硅的质量和二氧化硅玻璃坩埚11的内表面的三维形状，在使晶种与硅熔体接触之前确定硅熔体的液面。确定方法内表面的三维形状包括以下步骤：沿着石英玻璃坩埚11的内表面以非接触方式移动内测距单元17; 在移动路径上的多个测量点上，沿着与石英玻璃坩埚11的内表面倾斜的方向从内距离测量单元17发射激光束; 检测从内表面反射的内表面反射，从而测量内距离测量单元17和内表面之间的内表面距离; 并将各个测量点处的三维坐标与内表面距离相关联。

3. 发明专利

JPWO2011071178A1 シリカガラスルツボ有权
公开(公告)号：JPWO2011071178A1
公开(公告)日：2013-04-22
申请号：JP2011545276
申请日：2010-12-13
申请人：ジャパンスーパークォーツ株式会社
发明人：俊明須藤 , 俊明須藤 , 岸　弘史 , 弘史岸
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/10
CPC分类号： C30B15/10 , C03B19/095 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
摘要：シリコン単結晶の引上げ用のシリカガラスルツボで、シリカガラスルツボの欠陥位置を正確に把握して、シリコン単結晶の欠陥発生部位の特定およびその発生原因の究明に利用できる基準点付のシリカガラスルツボを提供する。シリカガラスルツボに、そのルツボの端部、内壁面および外壁面の少なくとも1箇所に、所定部位との位置関係の特定に用いる基準点を設ける。

4. 发明专利

JP5121760B2 How to do the pulling of the silicon single crystal 有权
公开(公告)号：JP5121760B2
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：JP2009063628
申请日：2009-03-16
申请人：ジャパンスーパークォーツ株式会社
发明人：弘史岸 , 正徳福井
IPC分类号： C30B29/06 , C03B20/00 , C30B15/10

5. 发明专利

JP5058378B2 Composite crucible 有权
公开(公告)号：JP5058378B2
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：JP2011530795
申请日：2010-08-20
申请人：ジャパンスーパークォーツ株式会社
发明人：賢北原 , 拓麿吉岡 , 弘史岸 , 稔神田 , 剛司藤田 , 光一鈴木 , 俊明須藤
IPC分类号： C30B29/06 , C03B20/00 , C30B15/10
CPC分类号： C04B41/5022 , C03B5/025 , C03B19/02 , C03B19/09 , C03B19/095 , C03C17/004 , C03C17/02 , C03C2217/213 , C03C2218/13 , C03C2218/17 , C04B35/185 , C04B41/009 , C04B41/86 , C04B2235/6027 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032 , C04B41/4527

6. 发明专利

JP5052493B2 Method for producing a silicon single crystal 有权
公开(公告)号：JP5052493B2
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：JP2008335813
申请日：2008-12-29
申请人：ジャパンスーパークォーツ株式会社
发明人：幸長我妻 , 正樹森川
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/20

7. 发明专利

JP2012176895A Method for producing silica glass crucible for pulling silicon single crystal 有权
标题翻译：用于生产用于拉伸硅单晶的二氧化硅玻璃的方法
公开(公告)号：JP2012176895A
公开(公告)日：2012-09-13
申请号：JP2012135814
申请日：2012-06-15
申请人： Japan Siper Quarts Corp , ジャパンスーパークォーツ株式会社
发明人： SUDO TOSHIAKI , KODAMA MAKIKO , KANDA MINORU , KISHI HIROSHI
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/10
CPC分类号： C03B19/095 , C30B15/10 , C30B29/06 , C30B29/18 , C30B35/002 , Y02P40/57 , Y10T117/1032
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for a silica glass crucible suppressing subduction of the crucible under high temperatures during pulling a silicon single crystal.SOLUTION: In the production of the silica glass crucible, a silica powder is supplied into a mold while turning the hollow mold to form a silica powder layer, and a silica glass layer is formed by heating and melting the silica powder layer. A process for forming the silica powder layer includes: a process of supplying a first silica powder to a predetermined position inside the mold corresponding to the crucible upper part ranging from the upper end of the crucible to a first intermediate position below the upper end; a process of supplying a second silica powder to the position inside the mold corresponding to the crucible lower part ranging from the first intermediate position to the lower end of the crucible; and a process of supplying a third silica powder to the inside face of the mold covered with the first and second silica powders. The first silica powder has a particle size distribution wider than that of the second silica powder and includes a larger amount of fine powders.
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在拉制硅单晶的同时在高温下抑制坩埚俯冲的石英玻璃坩埚的方法。解决方案：在石英玻璃坩埚的制造中，将二氧化硅粉末供给到模具中，同时转动中空模具以形成二氧化硅粉末层，并且通过加热熔融二氧化硅粉末层形成石英玻璃层。形成二氧化硅粉末层的方法包括：将第一二氧化硅粉末供给到与坩埚上部范围相对应的坩埚上部的预定位置，从坩埚上端到上端下方的第一中间位置; 将第二二氧化硅粉末供给到与坩埚的第一中间位置到下端的坩埚下部对应的模具内的位置的工序; 以及向覆盖有第一和第二二氧化硅粉末的模具的内表面供给第三二氧化硅粉末的方法。第一硅石粉末的粒度分布比第二硅石粉末的粒度分布宽，并且包含更多的细粉末。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

8. 发明专利

JP5008695B2 Pulling method of a silicon single crystal using the quartz glass crucible and a quartz glass crucible 有权
公开(公告)号：JP5008695B2
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：JP2009150729
申请日：2009-06-25
申请人：ジャパンスーパークォーツ株式会社 , 株式会社Sumco
发明人：弘史岸
IPC分类号： C30B29/06 , C03B20/00 , C30B15/10
CPC分类号： C30B15/10 , C30B11/002 , C30B13/14 , C30B35/002 , Y10T117/1032

9. 发明专利

JP4995068B2 Quartz glass crucible for pulling a silicon single crystal 有权
公开(公告)号：JP4995068B2
公开(公告)日：2012-08-08
申请号：JP2007339345
申请日：2007-12-28
申请人：ジャパンスーパークォーツ株式会社
发明人：弘史岸 , 稔神田
IPC分类号： C30B29/06 , C03B20/00 , C30B15/10
CPC分类号： C30B15/10 , C30B29/06 , Y10S117/90 , Y10T117/1024 , Y10T117/1032 , Y10T117/1052

10. 发明专利

JP2012140301A Method for manufacturing silica-glass crucible 有权
标题翻译：制造硅玻璃可溶性的方法
公开(公告)号：JP2012140301A
公开(公告)日：2012-07-26
申请号：JP2010294631
申请日：2010-12-31
申请人： Japan Siper Quarts Corp , ジャパンスーパークォーツ株式会社
发明人： SUDO TOSHIAKI , SUZUKI ERIKO
IPC分类号： C03B20/00 , C30B15/10 , C30B29/06
CPC分类号： C03B19/095 , Y02P40/57
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for manufacturing a silica-glass crucible which can prevent generation of brown rings on the crucible inner surface when producing a silicon single crystal, to prevent melt surface vibration, by controlling the fused state when manufacturing the silica-glass crucible.SOLUTION: The method for manufacturing a silica-glass crucible comprises supplying a material silica powder into a mold for molding a crucible to form a silica powder layer and heating and melting the silica powder layer by arc discharge. The method includes: a silica powder supplying process of supplying the material silica powder into the mold to form the silica powder layer; and an arc fusing process of fusing the silica powder layer by arc discharge generated by a plurality of carbon electrodes, wherein the arc fusing process includes measuring a temperature of the silica powder layer, and controlling a silica-glass fused state based on a reference temperature when using, as the reference temperature, a maximum point Tp of first temperature that appears initially in the arc fusing process.
摘要翻译：解决的问题：提供一种制造二氧化硅玻璃坩埚的方法，其可以在制造硅单晶时防止在坩埚内表面产生棕色环，以防止熔融表面振动，通过控制熔融表面振动制造石英玻璃坩埚。解决方案：制造二氧化硅玻璃坩埚的方法包括将二氧化硅粉末材料供给到用于模制坩埚的模具中以形成二氧化硅粉末层，并通过电弧放电加热和熔化二氧化硅粉末层。该方法包括：将二氧化硅粉末供给到模具中以形成二氧化硅粉末层的二氧化硅粉末供给工序; 以及通过由多个碳电极产生的电弧放电使二氧化硅粉末层熔融的电弧熔合工艺，其中电弧熔合工艺包括测量二氧化硅粉末层的温度，并且基于参考温度控制二氧化硅玻璃熔融状态当使用最初在电弧定影过程中出现的第一温度的最大点T p作为参考温度时。版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

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