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1. 发明专利

JP2014529560A Ｎ−ヘテロ環状カルベン類、Ｎ−ヘテロ環状カルベン配位子を有する金属錯体類、及びランタノイド化合物を用いてシラン及びシクロシランをポリマー化する方法、及び、これにより形成されるインク組成物、並びに半導体フィルムを形成する方法有权
标题翻译： N-杂环卡宾，具有杂环卡宾配体N-金属配合物，以及使用镧系元素化合物聚合的硅烷和环硅烷的方法，以及，由此形成油墨组合物，和半导体膜形成的方法
公开(公告)号：JP2014529560A
公开(公告)日：2014-11-13
申请号：JP2014522805
申请日：2011-08-01
申请人：コヴィオインコーポレイテッド , コヴィオインコーポレイテッド
发明人：クンゼ、クラウス , ナイス、グレゴリー , グオ、ウェンジュオ
IPC分类号： C01B33/04 , C08G77/00 , C08G79/00 , C09D11/00
CPC分类号： C01B6/06 , C01B33/04 , H01B3/18 , H01L51/0094 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要：一般式SinH2n及びSinH2n+2のものを含むシラン(及び任意でシクロシラン)化合物、並びにハロシラン及びアリールシランの制御されたポリマー化及び/又はオリゴマー化に関する組成物及び方法であって、低レベルの炭素及び金属汚染、高分子量、低揮発性、高純度、高溶解性、及び/又は高粘度を有する溶解性のポリシラン、ポリゲルマン、及び/又はポリシラゲルマンを生成する。ポリシラン、ポリゲルマン、及び/又はポリシラゲルマンは、シリコン及び/又はゲルマニウムを含有する導電性フィルム、半導体フィルム、及び誘電性フィルムに対する有用な前駆体である。【選択図】図3
摘要翻译：式SinH2n和SinH2n + 2份的硅烷，其中包括（和环硅烷任选）化合物和组合物和用于受控聚合和/或卤代硅烷和芳基硅烷低聚的方法，碳的低电平和金属污染，高分子量，低挥发性，以产生高纯度，高溶解性，和/或溶解度具有高粘度，锗烷，和/或锗polysilastyrene聚硅烷的。聚硅烷，锗烷，和/或锗polysilastyrene，导电膜含有硅和/或锗，有用的前体到半导体膜和介电膜。点域

2. 发明专利

JP5473017B2 rf tag / device and / or rfid tag / device with an integrated interposer, and methods of making and using the same 有权
公开(公告)号：JP5473017B2
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：JP2011271429
申请日：2011-12-12
申请人：コヴィオインコーポレイテッド
发明人：デヴィンマッケンジージェイ． , パヴェイトヴィクラム
IPC分类号： G06K19/077 , G06K19/07

3. 发明专利

JP2011521457A Monitoring device having a plurality capacitor 有权
公开(公告)号：JP2011521457A
公开(公告)日：2011-07-21
申请号：JP2011509782
申请日：2009-05-15
申请人：コヴィオインコーポレイテッド
发明人：アルヴィンドカマス， , ジェームズ，モンタギュークリーヴス， , ヴィヴェックサブラマニアン， , パトリックスミス， , クリスウェルチェ， , スティーブンモレサ，
IPC分类号： H01G4/33 , H01G4/40
CPC分类号： G08B13/242 , G08B13/2414 , G08B13/2431 , G08B13/2437 , G08B13/2442 , H01G4/18 , Y10T29/413 , Y10T29/435 , Y10T29/49016 , Y10T29/49128 , Y10T29/49155
摘要：本発明は、並列又は直列に接続されたコンデンサを有する監視及び／又は識別デバイスと、このようなデバイスを作製及び使用する方法とに関する。一方のコンデンサが相対的に厚いコンデンサ誘電体を用いて製造され、他方が相対的に薄いコンデンサ誘電体を用いて製造される、並列に接続されたコンデンサを有するデバイスでは、高精度の静電容量と、監視タグ機能停止を容易にするための低い絶縁破壊電圧との両方を実現することができる。直列に接続されたコンデンサを有するデバイスにより、小さいコンデンサの横方向の大きさが増すことになる。これにより、解像能力が相対的に限定されることがある技法を用いてそのコンデンサを製造することが容易になる。
【選択図】図２

4. 发明专利

JP2011516932T Wireless devices and methods of making and using thereof comprising a printed integrated circuit 有权
公开(公告)号：JP2011516932T
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：JP2010529125T
申请日：2008-10-10
申请人：コヴィオインコーポレイテッド
发明人：ジェイムス，モンタギュークリーヴス， , ヴィヴェックサブラマニアン， , パトリックスミス， , クリスウェルチェ， , ヴィクラムパヴェイト， , ヴィンスビヴィアーノ， , リチャードヤング，
摘要：【課題】センサ、電子式商品監視、ＲＦＩＤのタグ及びデバイスのための、プリント集積回路及び付属のアンテナ及び／又はインダクタ、並びにその製造方法を提供すること。
【解決手段】タグは、一方のキャリア上にプリント集積回路を、他方のキャリア上にアンテナ及び／又はインダクタを含み、集積回路は、アンテナ及び／又はインダクタと電気的に結合される。製造方法は、複数の第１のパッドをキャリア上に有する集積回路を印刷するステップと、複数の第２のパッドを基板上に有するアンテナ及び／又はインダクタを形成するステップと、プリント集積回路の少なくとも２つの第１のパッドを、アンテナ及び／又はインダクタの対応する第２のパッドに取り付けるステップとを含む。本発明によれば、従来よりも、ＭＨｚ周波数で動作可能な低コストＲＦＩＤタグを短期間に製造できる。
【選択図】図２Ｂ

5. 发明专利

JP2008072105A Printed non-volatile memory 审中-公开
标题翻译：打印的非易失性存储器
公开(公告)号：JP2008072105A
公开(公告)日：2008-03-27
申请号：JP2007218722
申请日：2007-08-24
申请人： Kovio Inc , コヴィオインコーポレイテッド
发明人： ARVIND KAMATH , SMITH PATRICK , CLEEVES JAMES MONTAGUE
IPC分类号： H01L21/8247 , H01L21/336 , H01L27/115 , H01L29/786 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： H01L21/28518 , H01L21/288 , H01L21/76801 , H01L21/76895 , H01L27/115 , H01L27/11558 , H01L27/1292 , H01L29/66757 , H01L29/66825 , H01L29/7881
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for preparing a non-volatile memory, a thin film transistor and a circuit including these components on various substrates. SOLUTION: The non-volatile memory cell is provided with: first and second semiconductor islands separated from each other by a prescribed distance on the same horizontal level so that the first semiconductor island configures a control gate 2 and the second semiconductor island configures a source terminal and a drain terminal; a gate dielectric layer formed at least on a part of the first semiconductor island; a tunnel ring dielectric layer 5 formed at least on a part of the second semiconductor island; a floating gate 7 formed at least on a part of the gate dielectric layer 4 and the tunnel ring dielectric layer 5, and a metal layer electrically contacting with the control gate 2 and the source and drain terminals. In one effective embodiment, the non-volatile memory cell can be manufactured by using "all-printed" processing technology. COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于制备非易失性存储器，薄膜晶体管和在各种衬底上包括这些部件的电路的方法。解决方案：非易失性存储单元具有：第一和第二半导体岛在相同的水平水平上彼此分开规定的距离，使得第一半导体岛配置控制栅极2，并且第二半导体岛配置源极端子和漏极端子; 至少形成在所述第一半导体岛的一部分上的栅介质层; 形成在所述第二半导体岛的至少一部分上的隧道环状电介质层5; 至少形成在栅极电介质层4和隧道环电介质层5的一部分上的浮动栅极7以及与控制栅极2以及源极和漏极端子电接触的金属层。在一个有效的实施例中，可以通过使用“全印刷”处理技术来制造非易失性存储单元。版权所有（C）2008，JPO＆INPIT

6. 发明专利

JP2007059880A Method for manufacturing rfid tag, and mechanism formed by using rfid tag 有权
标题翻译：制造RFID标签的方法和使用RFID标签形成的机制
公开(公告)号：JP2007059880A
公开(公告)日：2007-03-08
申请号：JP2006186310
申请日：2006-07-06
申请人： Kovio Inc , コヴィオインコーポレイテッド
发明人： CLEEVES JAMES M , J DEVIN MACKENZIE , KAMATH ARVIND
IPC分类号： H01L29/786 , G06K19/07 , G06K19/077 , H01L21/20 , H01L21/336 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/08
CPC分类号： H01L27/1255 , G06K19/073 , G06K19/07749 , H01F17/0006 , H01L23/13 , H01L23/142 , H01L23/66 , H01L27/127 , H01L27/1292 , H01L28/60 , H01L29/66143 , H01L29/66742 , H01L29/78696 , H01L29/872 , H01L2223/6611 , H01L2223/6677 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an RFID tag and an RFID tag manufacturing method. SOLUTION: An RFID device is provided with (1) a metal antenna and/or inductor; (2) a dielectric layer for supporting an integrated circuit to insulate the integrated circuit from the metal antenna and/or inductor and formed on the metal antenna and/or inductor; (3) a plurality of diodes and transistors formed on the dielectric layer and having at least one same layer; and (4) a plurality of capacitors, that are electrically connected with the metal antenna and/or inductor and at least a part of the plurality of diodes and having at least one identical layer as the plurality of diodes and/or the contact the plurality of diodes and transistors. COPYRIGHT: (C)2007,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供RFID标签和RFID标签制造方法。解决方案：RFID设备设置有（1）金属天线和/或电感器; （2）用于支撑集成电路以使集成电路与金属天线和/或电感器绝缘并形成在金属天线和/或电感器上的电介质层; （3）形成在电介质层上并具有至少一个相同层的多个二极管和晶体管; 和（4）多个电容器，其与所述金属天线和/或电感器以及所述多个二极管的至少一部分电连接并且具有至少一个与所述多个二极管相同的层和/或接触所述多个二极管的二极管和晶体管。版权所有（C）2007，JPO＆INPIT

9. 发明专利

JP2011516932A Wireless devices and methods of making and using thereof comprising a printed integrated circuit 审中-公开
公开(公告)号：JP2011516932A
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：JP2010529125
申请日：2008-10-10
申请人：コヴィオインコーポレイテッド
发明人：ジェイムス，モンタギュークリーヴス， , ヴィヴェックサブラマニアン， , パトリックスミス， , クリスウェルチェ， , ヴィクラムパヴェイト， , ヴィンスビヴィアーノ， , リチャードヤング，
IPC分类号： G06K19/077 , G06K19/07
CPC分类号： G06K19/07749 , G06K19/0775 , G06K19/07752 , Y10T29/49124
摘要：【課題】センサ、電子式商品監視、ＲＦＩＤのタグ及びデバイスのための、プリント集積回路及び付属のアンテナ及び／又はインダクタ、並びにその製造方法を提供すること。
【解決手段】タグは、一方のキャリア上にプリント集積回路を、他方のキャリア上にアンテナ及び／又はインダクタを含み、集積回路は、アンテナ及び／又はインダクタと電気的に結合される。製造方法は、複数の第１のパッドをキャリア上に有する集積回路を印刷するステップと、複数の第２のパッドを基板上に有するアンテナ及び／又はインダクタを形成するステップと、プリント集積回路の少なくとも２つの第１のパッドを、アンテナ及び／又はインダクタの対応する第２のパッドに取り付けるステップとを含む。本発明によれば、従来よりも、ＭＨｚ周波数で動作可能な低コストＲＦＩＤタグを短期間に製造できる。
【選択図】図２Ｂ

10. 发明专利

JP2010533983A Print of contact metal and interconnect metal by seed printing and plating 审中-公开
公开(公告)号：JP2010533983A
公开(公告)日：2010-10-28
申请号：JP2010517173
申请日：2008-07-17
申请人：コヴィオインコーポレイテッド
发明人：アーヴィンドカマス， , ジェイムス，モンターグクリーヴス， , アディティチャンドラ， , ジョーグロッケンバーガー， , 真穂高島
IPC分类号： H01L21/768 , H01L21/28 , H01L21/288 , H01L21/336 , H01L29/417 , H01L29/786 , H01L29/94
CPC分类号： H01L21/288 , H01L21/28518 , H01L21/32051 , H01L21/32053 , H01L21/76838 , H01L21/76873 , H01L21/76895 , H01L27/1285 , H01L27/1292 , H01L29/458 , H01L29/78618 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：シリサイド形成金属を含むインクを用いて、コンタクト形成方法、そのコンタクト及び局所相互接続を含むダイオード及び／又はトランジスタ等の電気デバイスとその形成方法に関する。コンタクト形成方法は、露出したシリコン表面上にシリサイド形成金属インクを堆積させるステップと、インクを乾燥させ、シリサイド形成金属前駆体を形成するステップと、シリサイド形成金属前駆体及びシリコン表面を加熱して、金属スイサイドコンタクトを形成するステップとを含む。任意選択的に、露出したシリコン表面に隣接する誘電体層上に、金属前駆体インクを選択的に堆積させて、金属含有相互接続を形成できる。更に、１つ又は複数のバルク導電性金属を、残りの金属前駆体インク及び／又は誘電体層上に堆積させてもよい。かかる印刷したコンタクト及び／又は局所相互接続を用いて、ダイオード及びトランジスタ等を作製できる。
【選択図】図３Ｅ

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