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1. 发明专利

JP2020176104A 形成材料、形成方法、及び新規化合物审中-公开
公开(公告)号：JP2020176104A
公开(公告)日：2020-10-29
申请号：JP2019081378
申请日：2019-04-22
申请人：気相成長株式会社
发明人：町田英明 , 石川真人 , 須藤弘
IPC分类号： C07F15/02 , C23C16/18 , C07F15/06
摘要：【課題】蒸留が可能な液体(25℃(1気圧)下で液体)の新規な金属錯体(前記金属M=Co,Fe)を提供する。【解決手段】25℃(1気圧)下で液体のM[i−C 3 H 7 NC(R)N−i−C 3 H 7 ] 2 (但し、M=Co又はFe。Rはn−C 3 H 7 又はi−C 3 H 7 )で表される新規化合物。【選択図】図3

2. 发明专利

JP6210544B2 Te化剤、及びM−Te系膜形成方法有权
公开(公告)号：JP6210544B2
公开(公告)日：2017-10-11
申请号：JP2013219343
申请日：2013-10-22
申请人：気相成長株式会社 , 小椋厚志
发明人：町田英明 , 石川真人 , 須藤弘 , 小椋厚志
IPC分类号： H01L35/34 , H01L35/16

3. 发明专利

JP2017066043A Mg系材形成材料、Mg系材形成方法、及び新規化合物审中-公开
公开(公告)号：JP2017066043A
公开(公告)日：2017-04-06
申请号：JP2015189559
申请日：2015-09-28
申请人：気相成長株式会社
发明人：町田英明 , 石川真人 , 須藤弘
IPC分类号： C01B21/06 , C07C257/14
摘要：【課題】高品質なMg系材(例えば膜)の形成のために、蒸留可能な液体のMg錯体の提供。【解決手段】ビス(N,N’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート)マグネシウム。前記化合物は、新規化合物であり、25℃で液体であり、簡単な蒸留操作により高純度品を得ることが出来、これを用いた化学気相成長方法(CVD法)又は原子層制御成長方法(ALD法)によって、高純度なMg系膜(例えば、Mg膜、MgO膜、Mg3N2膜、MgB2膜等)を形成する事が出来る。【選択図】なし

4. 发明专利

JP2014207301A 成膜装置审中-公开
标题翻译：沉积装置
公开(公告)号：JP2014207301A
公开(公告)日：2014-10-30
申请号：JP2013083468
申请日：2013-04-12
申请人：気相成長株式会社 , Gas-Phase Growth Ltd
发明人： MACHIDA HIDEAKI , ISHIKAWA MASATO , SUDO HIROSHI
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44
摘要：【課題】探索作業を、低価格、かつ、簡単に行える技術を提供することである。【解決手段】熱伝導性良好材からなる第1チャンバと、前記第1チャンバを加熱するヒータと、前記第1チャンバの内側に設けられた第2チャンバと、前記第2チャンバに接続された成膜原料供給部と、前記第2チャンバに接続され、該第2チャンバ内の気体を排気する排気部と、前記成膜原料供給部からの成膜原料が内部に供給されると共に前記排気部によって内部の気体が排気される開口部を有し、前記第2チャンバ内に設けられた反応チャンバと、前記第2チャンバと前記反応チャンバとの間の空間に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部とを具備する成膜装置。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供容易且成本低廉地进行筛选的技术。解决方案：一种沉积设备，包括：由具有优异导热性的材料构成的第一室; 用于加热第一室的加热器; 设置在第一室内的第二室; 连接到第二室的沉积材料供给单元; 连接到第二室的排气单元和排出第二室中的气体; 反应室，其中来自沉积材料供应单元的沉积材料供应在其内部，具有开口，内部气体由该排气单元排出，并设置在第二室中; 以及用于将惰性气体供应到第二室和反应室之间的空间的惰性气体供应单元。

5. 发明专利

JP6587282B2 アミジネート金属錯体の製造方法有权
公开(公告)号：JP6587282B2
公开(公告)日：2019-10-09
申请号：JP2015189560
申请日：2015-09-28
申请人：気相成長株式会社
发明人：町田英明 , 石川真人 , 須藤弘
IPC分类号： B01J19/00 , C07C257/14

6. 发明专利

JPWO2015079914A1 銅系膜形成方法、銅系膜形成材料有权
公开(公告)号：JPWO2015079914A1
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：JP2015509228
申请日：2014-11-12
申请人：気相成長株式会社
发明人：町田　英明 , 英明町田 , 真人石川 , 真人石川 , 須藤　弘 , 弘須藤 , 英一近藤 , 英一近藤
IPC分类号： C23C26/00
CPC分类号： C23C2/04 , C23C16/18 , C23C18/08
摘要：超臨界流体中で基体上に銅系膜を形成する方法であって、超臨界流体中に(N,N’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート)銅2量体を溶解し、基体上に銅を堆積させ、銅系膜を形成する。

7. 发明专利

JP5734540B1 銅系膜形成方法、銅系膜形成材料有权
标题翻译：铜基膜形成方法中，铜基成膜材料
公开(公告)号：JP5734540B1
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：JP2015509228
申请日：2014-11-12
申请人：気相成長株式会社
发明人：町田英明 , 石川真人 , 須藤弘 , 近藤英一
IPC分类号： C23C26/00
CPC分类号： C23C2/04 , C23C16/18 , C23C18/08
摘要：超臨界流体中で基体上に銅系膜を形成する方法であって、超臨界流体中に(N,N’−ジイソプロピルプロピオンアミジネート)銅2量体を溶解し、基体上に銅を堆積させ、銅系膜を形成する。
摘要翻译：在超临界流体在衬底上形成一铜基的膜，在超临界流体（N，N'-二异丙基丙酰胺脒）的方法溶解铜二聚体，在衬底上沉积铜它是形成铜基膜。

8. 发明专利

JP5522670B2 (R1R2R3R4R5Cp) a method of manufacturing a 2M, and manufacturing equipment 有权
公开(公告)号：JP5522670B2
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：JP2010045044
申请日：2010-03-02
申请人：気相成長株式会社
发明人：英明町田 , 弘須藤 , 真人石川
IPC分类号： C07F17/00 , C07F3/00 , C07F3/02

9. 发明专利

JP6716129B2 金属酸化物膜形成方法有权
公开(公告)号：JP6716129B2
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：JP2015232700
申请日：2015-11-30
申请人：気相成長株式会社 , 株式会社フィルテック
发明人：町田英明 , 石川真人 , 須藤弘 , 古村雄二 , 清水紀嘉 , 西原晋治 , 拝形英里
IPC分类号： C23C16/455 , C23C16/40 , C01F7/02 , C23C16/452

10. 发明专利

JP6655838B2 Mg系材形成材料、Mg系材形成方法、及び新規化合物有权
公开(公告)号：JP6655838B2
公开(公告)日：2020-02-26
申请号：JP2015189559
申请日：2015-09-28
申请人：気相成長株式会社
发明人：町田英明 , 石川真人 , 須藤弘
IPC分类号： C07C257/14 , C23C16/18

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