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1. 发明专利

JP2015511067A 超伝導集積回路の製作のためのシステムおよび方法有权
标题翻译：系统和方法，用于超导集成电路的制造
公开(公告)号：JP2015511067A
公开(公告)日：2015-04-13
申请号：JP2014561117
申请日：2013-03-07
申请人：ディー−ウェイブシステムズ,インコーポレイテッド , ディー−ウェイブシステムズ,インコーポレイテッド
发明人：ラディジンスキー，エリック , ヒルトン，ジェレミー，ピー． , オ，ビョン，ヒョプ , ブニク，ポール，アイ．
IPC分类号： H01L39/24
CPC分类号： H01L39/2493 , B82Y10/00 , G06N99/002 , H01L27/18 , H01L39/025 , H01L39/125 , H01L39/22 , H01L39/223 , H01L39/24 , H01L39/2406
摘要：様々な技法および装置は、超伝導性回路の製作を可能にする。ニオブ/酸化アルミニウム/ニオブ三層を形成することができ、個々のジョセフソン接合(JJ)を形成することができる。保護キャップは、製作の間にJJを保護することができる。ハイブリッド誘電体を形成することができる。超伝導性集積回路は、減法的パターニングおよび/または加法的パターニングを使用して形成することができる。超伝導金属層は、電気めっきによって堆積させることおよび/または化学機械平坦化によって研磨することができる。内層誘電体の厚さは、堆積プロセスによって制御することができる。基板は、シリコンのベースと、酸化アルミニウムを含む最上層とを含み得る。超伝導金属層の堆積は、停止または中断して、完了前の冷却を可能にすることができる。複数の層は、超伝導金属層にアライメントマーカーをパターニングすることによって位置合わせすることができる。
摘要翻译：各种技术和设备允许超导电路的制造。可形成铌/氧化铝/铌三层，能够以形成单独的约瑟夫逊结（JJ）。保护盖，可以在生产过程中保护JJ。所以能够形成混合电介质。超导集成电路可以使用减色图案化和/或添加剂图案化来形成。超导金属层可以通过利用电镀和/或化学机械平坦化沉积进行抛光。内层电介质的厚度可以通过沉积工艺来控制。衬底可以包括硅的基底和含顶层氧化铝。超导金属层的沉积可以使得在完成冷却之前停止或暂停。多个层可以通过图案化的对准标记的超导金属层对准。

2. 发明专利

JP2016531343A データの量子処理のためのシステムおよび方法审中-公开
标题翻译：系统和方法，用于数据的量子处理
公开(公告)号：JP2016531343A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：JP2016524211
申请日：2014-06-26
申请人：ディー−ウェイブシステムズ,インコーポレイテッド , ディー−ウェイブシステムズ,インコーポレイテッド
发明人：ローズ，ジョーディー , ギルダート，スザンヌ , マクレディ，ウィリアム，ジー． , ウォリマン，ドミニク，クリストフ
IPC分类号： G06N99/00
CPC分类号： G06N99/005 , G06K9/00986 , G06K9/6247 , G06K9/6249 , G06K9/6255 , G06N99/002
摘要：システム、方法および態様、ならびにそれらの実施形態は、量子プロセッサを使用した教師なしまたは半教師あり特徴学習に関連する。教師なしまたは半教師あり特徴学習を達成するために、量子プロセッサは、1つ以上のデータセット上での階層化深層学習(HDLと称される)を達成するためにプログラミングされる。システムおよび方法は、1つ以上のデータセットにおいて、またはデータもしくはデータセットにわたって最大限の繰り返しパターンを検索、構文解析、および検出する。実施形態および態様は、データにおいて、またはデータにわたって最大限の繰り返しパターンを検出するためにスパースコーディングを使用することに関する。スパースコーディングの例は、L0およびL1スパースコーディングを含む。いくつかの実装形態は、辞書要素または1つ以上の辞書の構成要素にラベルを付加し、組み込み、または取り付けることを含んでもよい。ラベルとラベル付けされた要素との間の論理的関連付けが存在し得、それによって教師なしまたは半教師あり特徴学習の処理が、要素と、組み込まれ、付加され、または取り付けられたラベルとの両方に及ぶ。
摘要翻译：系统，方法和实施例，以及作为其实施例，它与特征学习已无人看管或相关联的半监督使用量子处理器。为了实现无监督或半监督学习特征，量子处理器被编程以实现在一个或多个数据集的分层深度学习（以下称为HDL）。系统和方法，在一个或多个数据集，或搜索在数据或数据集的最大重复图案，解析和检测。涉及使用稀疏编码的实施例和方面，检测的最大重复图案中的数据，或用于存储数据。稀疏编码的实例包括L0和L1稀疏编码。一些实现方式可以将标签添加到词典元件或一个或多个字典，嵌入式的元素，或者可包括附接。两个逻辑关联存在和获得，处理，由此NO或半监督教师特征学习，和元件，集成化，并加入，或在标签和标记部件之间连接的标记达。

3. 发明专利

JP2016515233A 量子プロセッサの要素を較正するためのシステムおよび方法有权
标题翻译：系统和方法，用于校准量子处理器的多个元件
公开(公告)号：JP2016515233A
公开(公告)日：2016-05-26
申请号：JP2015557134
申请日：2014-02-07
申请人：ディー−ウェイブシステムズ,インコーポレイテッド , ディー−ウェイブシステムズ,インコーポレイテッド
发明人：ハリス，リチャード，ジー．
IPC分类号： G06N99/00 , G06F7/49 , H01L39/22 , H03K19/195
CPC分类号： B82Y10/00 , G06N99/002
摘要：量子プロセッサアーキテクチャにおける較正手順を改善するためのシステムおよび方法が説明される。例えば、専用較正信号源は、較正の間に使用するために量子プロセッサのアーキテクチャに組み込まれる。単一の較正信号源は、直列または並列で、多くの素子の様々なパラメータ、応答および/または挙動を較正することができる絶対較正信号を提供するため、量子プロセッサアーキテクチャの多くの素子と通信可能に結合される。較正信号源の使用により、量子プロセッサの要素の較正に要する時間を削減することおよび/またはそのような較正の精度/正確性を向上することができる。
摘要翻译：系统和方法，用于改进量子处理器架构的校准过程进行说明。例如，一个专门的校准信号源在使用的量子处理器架构校准期间并入。单一校准信号源，在串联或并联，许多设备的各种参数，以提供绝对的校准信号可以被校准以响应和/或行为，可与多个量子处理器架构的元件的通信它被耦合到。使用校准信号源的，它能够提高它的精确度/精度减小用于量子处理器元件和/或这样的校准的校准所需的时间。

4. 发明专利

JP2017529695A 低磁気雑音の超伝導配線層を形成する方法审中-公开
公开(公告)号：JP2017529695A
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：JP2017507750
申请日：2015-08-12
申请人：ディー−ウェイブシステムズ,インコーポレイテッド , ディー−ウェイブシステムズ,インコーポレイテッド
发明人：ランティング，トレバー，マイケル , ラディジンスキー，エリック , ヤオ，ジェイソン , オ，ビョン，ヒョプ
IPC分类号： H01L39/24 , H01B12/06 , H01B13/00 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L39/22
CPC分类号： H01L39/2493 , H01L21/76891 , H01L23/53285 , H01L27/18 , H01L39/223
摘要：ジョセフソン接合多層の上方に配線層を製造するステップは、当該多層の一部を除去するステップと、当該多層の一部を覆うべく絶縁層を堆積させるステップと、絶縁層に孔を画定すべく絶縁層をパターニングするステップとを含んでいてよい。本方法は、絶縁層の一部の上および孔の一部の内部に第1の超伝導配線層を堆積させるステップを含んでいる。更に、絶縁および配線層を堆積させて最上位配線層は画定させてもよい。本方法は、最上位配線層を覆うべく不動態化層を堆積させるステップを含んでいる。ハイブリッド誘電システムを含む超伝導集積回路を製造するステップは、超伝導特徴を覆う高品質誘電体層を堆積させるステップを含んでいてよい。本方法は、高品質誘電体層の少なくとも一部を覆う第2の誘電体層を堆積させるステップを含んでいる。第2の誘電体層は従来の誘電材料を含んでいてよい。

7. 发明专利

JP2020127032A 超伝導集積回路の製作のためのシステムおよび方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020127032A
公开(公告)日：2020-08-20
申请号：JP2020073654
申请日：2020-04-16
申请人：ディー−ウェイブシステムズインコーポレイテッド
发明人：ラディジンスキー,エリック , ヒルトン,ジェレミー,ピー. , オ,ビョン,ヒョプ , ブニク,ポール,アイ.
IPC分类号： H01L21/768 , H01L39/24
摘要：【課題】超伝導性回路の製作を可能にする技法および装置を提供する。【解決手段】技法は、ニオブ/酸化アルミニウム/ニオブ三層を形成し、個々のジョセフソン接合(JJ)510を形成する。保護キャップ520は、製作の間にJJを保護する。超伝導性集積回路500は、減法的パターニングおよび/または加法的パターニングを使用して形成する。超伝導金属層は、電気めっきによって堆積させることおよび/または化学機械平坦化によって研磨できる。内層誘電体の厚さは、堆積プロセスによって制御する。基板は、シリコンのベース電極511と、酸化アルミニウムを含む最上層512とを含む。超伝導金属層の堆積は、停止または中断して、完了前の冷却を可能にすることができる。複数の層は、超伝導金属層にアライメントマーカーをパターニングすることによって位置合わせすることができる。【選択図】図5

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