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1. 发明专利

JP2021525882A 無線受信器审中-公开
公开(公告)号：JP2021525882A
公开(公告)日：2021-09-27
申请号：JP2020567789
申请日：2019-06-04
申请人：キネテイツク・リミテツド
发明人：マクラウド,マルコム・デイビッド
IPC分类号： H04B1/7093 , G01S19/30
摘要：開示される無線受信器は、多数の源からのバイナリオフセットキャリア(BOC)信号などのデュアル側波帯信号をダウンコンバートして、上側波帯および下側波帯信号を作り出すためのダウンコンバータと、側波帯信号の各々をフィルタリングするためのチップマッチドフィルタとを含む。各フィルタの出力は、源に対して1つ、少なくともアーリー、プロンプト、およびレイトゲートが存する、一連の別々のチャネルに提供される。各ゲートは、最近傍サンプラと、拡散コードの適切な部分と乗算するための乗算器と、ドップラーまたは他の周波数オフセットを除去するための混合器と、積分器とを有する。本発明は、多数の源からの受信した関心のある信号に対して単一のダウンコンバータを使用することにより、効率的な様式で、BOC変調された衛星航法信号などの信号を復調するための手段を提供する。

2. 发明专利

JP6541668B2 無線受信機用プロセッサ有权
公开(公告)号：JP6541668B2
公开(公告)日：2019-07-10
申请号：JP2016546963
申请日：2015-01-15
申请人：キネテイツク・リミテツド
发明人：マクラウド,マルコム
IPC分类号： G01S19/37 , H04B1/707 , G01S19/30

3. 发明专利

JP2019510205A 電磁干渉インジケータおよび関係する方法审中-公开
公开(公告)号：JP2019510205A
公开(公告)日：2019-04-11
申请号：JP2018538224
申请日：2017-01-19
申请人：キネテイツク・リミテツド
发明人：ホード,リチャード , ハーキー,デイビッド・ルイス
IPC分类号： H01Q1/38 , H01Q9/27 , G01R29/08
摘要：各アンテナが受信機保護を有する、電磁干渉(EMI)を受信するための少なくとも1つのアンテナと、EMI信号の大きさに比例する直流電圧にEMI信号を変換するための対数受信機と、ピーク/平均検出器と、検出器中で生じた直流電圧が、たとえば慎重に定義されたアルゴリズムを使用するあらかじめ設定されたしきい値電圧を超える場合、信号を生成するための、受信機の出力部に接続されたコントローラとを備える、好ましくは少なくとも30MHzから6GHzの帯域幅を有する超広帯域検出器を備える、電磁干渉(EMI)インジケータであって、ピーク/平均検出器およびコントローラが、不揮発性メモリ記憶装置中にEMIイベントデータを記憶するコントローラによってアクティブ化可能である指示手段に接続可能である、電磁干渉(EMI)インジケータ。電磁干渉から電気/電子機器を検出および保護するためのシステムおよび方法も提供される。

4. 发明专利

JP2019009130A 薄型電気化学セル审中-公开
公开(公告)号：JP2019009130A
公开(公告)日：2019-01-17
申请号：JP2018145670
申请日：2018-08-02
申请人：キネテイツク・リミテツド
发明人：ポール・バリー・アダムス , フアズリ・アモド・クワール , ゲイリー・オーウエン・メプステツド , クリストフアー・ダグラス・ジエームズ・スプーナー , ギルツ・ビチンズ
IPC分类号： H01M2/08 , H01M10/052 , H01M10/04 , H01M4/64 , H01M10/0585 , H01M2/26 , H01M2/30 , H01M2/06 , H01G11/82 , H01G11/84 , H01G11/06 , H01M2/02
摘要：【課題】薄型の軽量電気化学セルを組み込んだ装置、およびその製造方法。【解決手段】薄型の可撓性ポーチ型セル(1)は、中間電解質層(13)によって互いに分離された少なくとも1対の重複電極層を含み、セル外部はともに封止された第一および第二積層シート(3、9)によって画定され、導電層はそれ自体が活性電極層として機能してもよいものの、各積層シート(3、9)は、セル(1)のそれぞれの外面を形成する最外層(3a、9a)と、電流コレクタ層(3b、9b)として機能し、電極層(5、11)を支持する同延最内導電層(3b、9b)とを有する。【選択図】図1a

5. 发明专利

JP2015532968A 駆動部材の選択有权
标题翻译：驱动部件的选择
公开(公告)号：JP2015532968A
公开(公告)日：2015-11-16
申请号：JP2015532497
申请日：2013-09-25
申请人：キネテイツク・リミテツド
发明人：トンプソン，ロバート・ウィリアム
IPC分类号： F16H63/30
CPC分类号： F16H63/18 , F16D41/185 , F16D2011/008 , F16H63/30 , F16H63/32 , F16H63/36 , F16H2063/3093 , F16H2063/325 , Y10T74/19423
摘要：少なくとも1つの駆動部材と少なくとも2つの選択器部材とを備える駆動部材選択機構であって、駆動部材は第1面および第2面を備え、各面上に少なくとも1つの突起部をさらに備え、選択器部材はその少なくとも1つの面上に、駆動部材の突起部と選択的に係合するように構成された少なくとも1つの相補的突起部を備え、その構成は、選択器部材の突起部(複数可)と駆動部材の第1面の突起部(複数可)とが第1トルク接続で駆動可能に係合されることができ、選択器部材の突起部(複数可)と駆動部材の第2面の突起部(複数可)とが第2トルク接続で駆動可能に係合されることができ、第2トルク接続は第1トルク接続と反対側になるようなものである、駆動部材選択機構について述べられている。
摘要翻译：包括至少一个驱动构件和至少两个选择构件的驱动构件选择机构，该驱动构件包括第一表面和第二表面，还包括在每个侧上的至少一个突起，选择上的至少一个面容器构件，设置有被构造成选择性地接合所述驱动构件的所述突出部，其配置时，选择器部件的凸部（一个或多个的至少一个互补的突出部可变量的第一表面）与驱动构件和（一个或多个）被接合到由第一扭矩连接被驱动时，构件的选择器突出部（第二S）和所述驱动构件的突出部可以突出面和（多个）接合驱动地与所述第二扭矩连接接合时，第二扭矩连接是这样的，是相对于该第一扭矩连接，驱动构件选择机构它被形容。

6. 发明专利

JP5606915B2 The hydrogen generating apparatus 有权
公开(公告)号：JP5606915B2
公开(公告)日：2014-10-15
申请号：JP2010529441
申请日：2008-10-14
申请人：キネテイツク・リミテツド
发明人：スケーターグツド，ダレン・ポール , マントン，グラハム , フレツグ，ガレス・トーマス , チヤートン，ロバート・ジヨン・ベレ , バーンズ，フイリツプ・ニコラス , スリー，ウイリアム・ラヌルフ
IPC分类号： C01B3/04 , H01M8/00 , H01M8/06
CPC分类号： C01B3/04 , B01J7/00 , B01J8/0496 , B01J8/067 , B01J19/2445 , B01J2208/00407 , B01J2208/00415 , B01J2219/24 , C01B2203/085 , Y02E60/364
摘要： A modular pellet tray assembly (1) for use in the generator comprises a plurality of trays (2) having pellet holders (4) and associated igniters and held in a stack by support rods (5) that also provide electrical connectivity to the trays.

7. 发明专利

JP5325198B2 Field-effect transistor 有权
公开(公告)号：JP5325198B2
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：JP2010269978
申请日：2010-12-03
申请人：キネテイツク・リミテツド
发明人：テイモシー・アシユレイ , アンソニー・ブライアン・デイーン , チヤールズ・トーマス・エリオツト , テイモシー・ジヨナサン・フイリツプス
IPC分类号： H01L21/336 , H01L29/10 , H01L29/205 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66522 , H01L29/1033 , H01L29/105 , H01L29/1079 , H01L29/205
摘要： A field effect transistor (FET) is of the type which employs base biasing to depress the intrinsic contribution to conduction and reduce leakage current. It incorporates four successive layers (102 to 108): a p InSb base layer (102), a p InAlSb barrier layer (104), a pi intrinsic layer (106) and an insulating SiO2 layer (108); p source and drain regions (110, 112) are implanted in the intrinsic layer (106). The FET is an enhancement mode MISFET (100) in which biasing establishes the FET channel in the intrinsic layer (106). The insulating layer (108) has a substantially flat surface supporting a gate contact (116). This avoids or reduces departures from channel straightness caused by intrusion of a gate groove, and enables a high value of current gain cut-off frequency to be obtained. In FETs with layers that are not flat, departures from channel straightness should not be more than 50 nm in extent, preferably less than 5 nm.

8. 发明专利

JP2013537709A A method of manufacturing a semiconductor device 审中-公开
公开(公告)号：JP2013537709A
公开(公告)日：2013-10-03
申请号：JP2013520196
申请日：2011-07-11
申请人：キネテイツク・リミテツド
发明人：エメニー，マーテイン・トレバー , ジヤクソン，ペレグリン・オーア , ウオーリス，デイビツド・ジヨン
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/336 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/78 , B82Y10/00 , H01L21/02178 , H01L21/02233 , H01L21/02255 , H01L21/02518 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L29/205 , H01L29/517 , H01L29/66462 , H01L29/66477 , H01L29/66977 , H01L29/7783 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： The invention relates to a method of fabricating a semiconductor device, the method comprising the steps of: providing a stacked semiconductor structure comprising a substrate (1), a buffer layer (2) and one or more device layers (3); depositing a layer of AlSb (4) on one or more regions of the upper surface of the stacked structure; and oxidising the AlSb layer in the presence of water to form a layer of aluminium oxide (5) on the one or more regions of the upper surface. The semiconductor device is preferably a field effect transistor, and the method preferably comprises the additional step of depositing source, drain and/or gate electrodes (6, 7, 8). In preferred embodiments, the method is controlled so as to avoid exposing the intermediate AlSb structure to the atmosphere and/or the oxidation step is conducted at a temperature between 100° and 300°C.

9. 发明专利

JP2012506354A Synthesis of metal compounds 有权
公开(公告)号：JP2012506354A
公开(公告)日：2012-03-15
申请号：JP2011531556
申请日：2009-10-19
申请人：キネテイツク・リミテツド
发明人：エウエカ，エマニユエル・イマスン , メプステツド，ゲイリー・オーウエン
IPC分类号： C01G51/00 , C01B25/45 , C01G53/00 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/58
CPC分类号： C01B25/45 , C01B25/453 , C01B33/20 , C01B35/128 , C01B37/00 , C01G45/1228 , C01G51/42 , C01G51/50 , C01G53/50 , C01P2002/52 , C01P2002/72 , C01P2002/76 , C01P2004/04 , C01P2006/12 , C01P2006/16 , C01P2006/40 , H01M4/525 , H01M4/5825 , Y02E60/122
摘要： (ｉ）反応混合物中に液晶相を形成するのに十分な量の界面活性剤の存在下でリチウム塩を１つ以上の遷移金属塩と反応させるステップ、（ｉｉ）反応混合物を加熱してゾル−ゲルを形成するステップ、及び（ｉｉｉ）界面活性剤を除去して、メソポーラスな生成物を残すステップを含むメソポーラスなリチウム遷移金属化合物の合成方法を提供する。前記メソポーラスな生成物は酸化物、リン酸塩、ホウ酸塩またはケイ酸塩であり得、場合によりステップ（ｉ）で追加のリン酸塩、ホウ酸塩またはケイ酸塩試薬を添加してもよい。反応混合物は任意のキレート化剤を含み得、ステップ（ｉ）及び（ｉｉ）の反応条件を液晶相の不安定化を防止するようにコントロールすることが好ましい。本発明は、メソポーラスなコバルト酸リチウム及びリン酸鉄リチウムを製造するために特に適している。前記方法は、１０ｍ
２／ｇを超える、好ましくは１５ｍ
２／ｇ以上の比表面積を有するメソポーラスなコバルト酸リチウムを合成するために使用され得る。

10. 发明专利

JP4794558B2 Method of fabricating a lateral semiconductor device 有权
公开(公告)号：JP4794558B2
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：JP2007525336
申请日：2005-08-02
申请人：キネテイツク・リミテツド
发明人：ジエフアーソン，ジヨン・ヘンリー , ナツシユ，キース・ジエームズ , ナツシユ，ジエフリー・リチヤード
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/20 , H01S5/042
CPC分类号： H01L33/02 , H01L33/20 , H01S5/0424

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