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1. 发明专利

JP5643013B2 光学系、特に照明系内に備えられる光学配置有权
标题翻译：光学系统中，光学装置特别是在照明系统中提供
公开(公告)号：JP5643013B2
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：JP2010162053
申请日：2010-07-16
申请人：カールツァイスレーザーオプティクスゲーエムベーハー , カールツァイスレーザーオプティクスゲーエムベーハー
发明人：ホルダエァヒューバート , ホルダエァヒューバート , リパ−トヨハネス , リパ−トヨハネス , シェパアーミン , シェパアーミン
IPC分类号： F21V29/00 , F21V17/00 , G02B7/00 , G02B27/09
CPC分类号： G02B7/008 , G02B7/028 , G02B27/0927 , G03F7/70825 , G03F7/70891

2. 发明专利

JP2015029092A ＥＵＶ波長帯斜入射用反射光学素子有权
标题翻译：反射光学元件在EUV波长范围内的雷击发生
公开(公告)号：JP2015029092A
公开(公告)日：2015-02-12
申请号：JP2014140047
申请日：2014-07-07
申请人：カールツァイスレーザーオプティクスゲーエムベーハー , Carl Zeiss Laser Optics Gmbh , カールツァイスレーザーオプティクスゲーエムベーハー
发明人： VITALIY SHKLOVER
IPC分类号： H01L21/027 , G02B5/08 , G02B19/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70316 , G02B5/0808 , G02B5/0891 , G03F7/70958
摘要：【課題】可能な限り高い反射率を有する極端紫外波長斜入射用反射光学素子を提供する。【解決手段】EUVリソグラフィー用光学システムのコレクタミラーに使用される反射光学素子において、反射光学素子100の基板110上に、ホウ素を含有し、厚さ50nm以上である反射コーティング120を備える。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于在极紫外波长下进行掠射入射的反射光学元件，其具有尽可能高的反射率。解决方案：用于EUV光刻的光学系统中的聚光镜的反射光学元件100 在反射型光学元件100的基板110上包括含有硼且厚度为50nm以上的反射涂层120。

3. 发明专利

JP2014531061A 光学素子有权
标题翻译：光学元件
公开(公告)号：JP2014531061A
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：JP2014537631
申请日：2012-10-26
申请人：カールツァイスレーザーオプティクスゲーエムベーハー , カールツァイスレーザーオプティクスゲーエムベーハー
发明人：ヴィッタリーシュクローヴァー , シュクローヴァーヴィッタリー , シャールミヒャエル , シャールミヒャエル , クラウスヨハネス , クラウスヨハネス , グレックルオリバー , グレックルオリバー , エルクメイヤージェフリー , エルクメイヤージェフリー , フェルデルマンホースト , フェルデルマンホースト , フォルヒトコンスタンティン , フォルヒトコンスタンティン , ハイネマイヤーウーテ , ハイネマイヤーウーテ
IPC分类号： G02B1/11 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： G02B1/115 , G03F7/20 , G03F7/7015 , G03F7/70191 , G03F7/70316 , G03F7/70958
摘要：良好な耐レーザー性及び良好な反射防止性のどちらも可能にするために、基板(20)及びその基板上の少なくとも4つの層を有するコーティングを含む、特にUVリソグラフィ用の光学素子(2)を提案する。この光学素子において、低い屈折率の無機フッ素化合物を含む第1層(21)が基板(20)上に配置され、無機酸化物含有化合物を含む層(23)が基板(20)から基も離れた層として配置され、各々が無機フッ素化合物又は無機酸化物含有化合物を含む少なくとも2つの更なる層(222,223)が、第一層と最も離れた層(21,23)との間に交互に配置される。【選択図】図2
摘要翻译：为了既激光并能良好的防反射性能，基板（20）和良好的抗其包含具有在基板上的至少四个层的涂层，特别是光学元件，用于UV光刻（2）建议。在该光学元件中，含有无机氟化合物（21）低折射率的第一层设置在所述基板（20）上，含有无机氧化物含有化合物（23）的层是远离基片组（20）布置为层，每个包括无机氟化合物或无机含氧化物的化合物（222，223）的至少两个附加层的，最远层和所述第一层之间交替布置（21,23）是的。 .The

4. 发明专利

JP5829389B2 EUVシステムに用いる反射光学素子有权
标题翻译：在EUV系统中使用的反射光学元件
公开(公告)号：JP5829389B2
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：JP2010192235
申请日：2010-08-30
申请人：カールツァイスレーザーオプティクスゲーエムベーハー
发明人：ホルガーキーリー , ミヒェルレマイレ , ヴィリアンデル , ヒューバートホルデラー , アントンレンゲル
IPC分类号： H01L21/027 , G02B5/08
CPC分类号： G02B5/0891 , G02B7/181 , G02B7/1815

5. 发明专利

JP2013529318A Mirrors that are dielectric coating 审中-公开
公开(公告)号：JP2013529318A
公开(公告)日：2013-07-18
申请号：JP2013511684
申请日：2011-05-26
申请人：カールツァイスレーザーオプティクスゲーエムベーハー
发明人：エルクメイヤージェフリー , パジディスアレクサンドラ , フェルデルマンホースト
IPC分类号： G02B5/08 , G02B5/26
CPC分类号： G02B5/08 , G02B5/0833 , G02B5/0891 , G02B5/284
摘要：［誘電体コーティングを有するミラー］
基板（３）上に誘電体コーティング（２）を有し、エタロンへの利用が提案されるミラーであって、誘電体コーティング（２）は、基板上に高屈折率酸化物層（４１）および低屈折率酸化物層（４２）が交互に配置される第１積層（４）と、該第１積層（４）の上にフッ化物層（５２）および酸化物層（５１）が交互に配置された第２の積層（５）との、ちょうど２つの積層を有し、フッ化物層（５２）の層数が誘電体コーティング（２）の全層数に対する割合として、０．４５未満である。
【選択図】図１

6. 发明专利

JP2010085408A Method of measuring spectrum of narrow band light source and spectrometer arrangement 有权
标题翻译：测量窄带光源和光谱仪布置的方法
公开(公告)号：JP2010085408A
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：JP2009224922
申请日：2009-09-29
申请人： Carl Zeiss Laser Optics Gmbh , カールツァイスレーザーオプティクスゲーエムベーハー
发明人： CLAUS JOHANNES , HERKOMMER ALOIS , WEIGL BERNHARD , MAIRE MICHEL LE , MUENZ HOLGER
IPC分类号： G01J3/26
CPC分类号： G01J3/26 , G01J3/36
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To measure a spectrum of a narrowband light source, particularly a narrow bandwidth laser device in a high resolution. SOLUTION: This spectrometer arrangement (10) for measuring a spectrum of a light beam (64) emitted from a narrow bandwidth laser device includes: a single etalon (16); a beam splitter (18) for splitting the light beam (64) into a first partial beam (66) and a second partial beam (68); and an optical directing element (20) for directing the first partial beam (66) n times and the second partial beam (68) (n+k) times through the etalon (16), wherein n and k are integers of one or more. This spectrometer arrangement (10) further includes: a light sensitive detector (22); and a spectrum evaluation device (28) that evaluates the spectra, recorded by the detector (22), of the first partial beam that has passed through the etalon (16) n times and of the second partial beam that has passed through the etalon (16) (n+k) times so as to determine the light spectrum corrected with respect to a device function of the etalon (16). COPYRIGHT: (C)2010,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：以高分辨率测量窄带光源，特别是窄带宽激光器件的光谱。解决方案：用于测量从窄带激光器件发射的光束（64）的光谱的该光谱仪装置（10）包括：单个标准具（16）; 用于将光束（64）分裂成第一部分光束（66）和第二部分光束（68）的分束器（18）; 以及用于将所述第一部分光束（66）n次和所述第二部分光束（68）（n + k）引导通过所述标准具（16）的光导向元件（20），其中n和k是一个或多个。该光谱仪装置（10）还包括：光敏检测器（22）; 以及光谱评估装置（28），其评估由检测器（22）记录的已经通过标准具（16）的第一部分光束的光谱和经过标准具的第二部分光束的光谱（28） 16）（n + k）倍，以便确定相对于标准具（16）的器件功能校正的光谱。版权所有（C）2010，JPO＆INPIT

7. 发明专利

JP2015072905A 極端紫外線波長域用放射源のプラズマ生成室で使用する冷却器有权
标题翻译：用于超声波紫外线辐射源的等离子体生成室中的冷却器
公开(公告)号：JP2015072905A
公开(公告)日：2015-04-16
申请号：JP2014193924
申请日：2014-09-24
申请人：カールツァイスレーザーオプティクスゲーエムベーハー
发明人：ヴィリアンデル , ベルンハルトバイグル , アン−カトリンヴァンドナー , ホルガーキーリー , アルノシュミットナー , マルクスバウアー , マルクスシュメルツァイゼン , アンドレアスコルロッホ
IPC分类号： H01L21/027 , H05G2/00
CPC分类号： H05G2/008 , F16J15/00 , F28F9/0256 , G02B7/1815 , H05G2/005 , F28D15/00 , F28F21/04 , F28F21/081 , F28F2230/00 , F28F2265/16
摘要：【課題】シール性に優れた、極端紫外線波長域用放射源のプラズマ生成室内で使用される冷却器を提供する。【解決手段】50W/mKよりも大きい熱伝導率を有する基板材料36によって製造されるヒートシンク37であって、基板材料36には冷却剤が流れる冷却剤管35が形成され、冷却剤ライン38、39を冷却剤管35に接続する、金属または金属合金からなる接続片40と、接続片40がヒートシンク37に接続される際に連続するラインが冷却剤管35および冷却剤ライン38、39によって形成されるように接続片40をヒートシンク37に接続させる接続素子とを有し、金属素材または金属合金からなるシール素子が、ヒートシンク37と接続片40との間に配置され、連続するライン35、38、39を囲み、腐食からシール素子を保護する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于在远紫外线波长范围的辐射源的等离子体产生室中的冷却器，其密封性能优异。解决方案：冷却器包括由具有热的基材36制成的散热器37 电导率大于50 W / mK。冷却剂管道35被构造成具有流过其中的冷却剂。冷却器还包括：连接件40，其将冷却剂管线38,39连接到冷却剂管道35并且包括金属或金属合金; 以及将连接件40连接到散热器37的连接元件，使得当连接件40连接到散热器37时，由冷却剂管道35和冷却剂管线38,39形成连续的线。密封件包括金属材料或金属合金的元件设置在散热器37和连接件40之间，并且包围连续线35,38,39以保护密封元件免受腐蚀。

8. 发明专利

JP2013542582A Euv euv collector mirror shell of euv collector for lithography 有权
公开(公告)号：JP2013542582A
公开(公告)日：2013-11-21
申请号：JP2013523595
申请日：2011-08-09
申请人：カールツァイスレーザーオプティクスゲーエムベーハー
发明人：アンデルヴィリ , キーリーホルガー , バウアーマーカス , クグラーイェンス
IPC分类号： H01L21/027 , G02B5/08 , G03F7/20
CPC分类号： G02B5/0891 , G02B5/0808 , G02B5/1861 , G02B7/1815 , G03F7/70891 , G21K1/067 , G21K2201/065 , G21K2201/067
摘要： An EUV collector mirror shell of an EUV collector for EUV lithography includes a body which has a light incidence-side front part having a reflective optically active area, a rear part, and a cavity between the front and rear parts. The cavity extends essentially along the entire optically active area, and the cavity serves to receive a cooling medium. The body also has at least one inlet and at least one outlet for the cooling medium. A plurality of flow-influencing elements are in the cavity, extending from the front part to the rear part, and connecting the front part to the rear part and monolithically formed with the front and rear parts.

9. 发明专利

JP2013501352A An optical system for generating a light beam for processing a substrate 审中-公开
公开(公告)号：JP2013501352A
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：JP2012522105
申请日：2010-07-20
申请人：カールツァイスレーザーオプティクスゲーエムベーハー
发明人：ワングラーヨハネス , レイミヒャエル , ツェンツィンガーマルクス , ミュンツホルガー
IPC分类号： H01L21/268 , H01L21/20
CPC分类号： G02B27/0927 , B23K26/0608 , B23K26/0676 , B23K26/0732 , B23K26/0738
摘要：基板平面（１４）内に配置した基板を処理するための光ビームを生成する光学システムであって、光ビームは、光ビームの伝播方向（Ｚ）に対して垂直な第１次元（Ｘ）内のビーム長（Ｌ）と第１次元（Ｘ）及び光伝播方向（Ｚ）に対して垂直な第２次元（Ｙ）内の光ビーム幅（Ｂ）とを有し、ビーム長（Ｌ）はビーム幅（Ｂ）よりも大きい、光学システムは、複数の光チャネル（２６；２８）を画定する第１光学構成体を備え、複数の光チャネルは第１次元（Ｘ）内で相互に並んで配置されて第１次元（Ｘ）内の光ビームを複数の部分視野（３０，３２，３４）に分割し、部分視野（３０，３２，３４）記第１次元（Ｘ）内で相互に重畳して基板平面（１４）に入射する。第２光学構成体（２０）が、光伝播方向で第１光学構成体（１８）の上流に配置され、第２光学構成体の第１次元（Ｘ）内の範囲と、第１次元（Ｘ）内記第２光学構成体（１８）に入射する光ビームの角度スペクトルの広がりとは、第１次元（Ｘ）内の第２光学構成体（２０）のエテンデューが第１次元（Ｘ）内の光学システムの全エテンデューの５０％〜１００％となることで、記第１光学構成体（１８）の光チャネル（２６；２８）のほぼ全部が光で均一に照明されるようなものであることを特徴とする、光学システム。
【選択図】図１

10. 发明专利

JP2011053687A Reflective optical element for use in euv system 有权
标题翻译：在EUV系统中使用的反射光学元件
公开(公告)号：JP2011053687A
公开(公告)日：2011-03-17
申请号：JP2010192235
申请日：2010-08-30
申请人： Carl Zeiss Laser Optics Gmbh , カールツァイスレーザーオプティクスゲーエムベーハー
发明人： KIEREY HOLGER , MAIRE MICHEL LE , ANDERL WILLI , HOLDERER HUBERT , LENGEL ANTON
IPC分类号： G02B5/08 , H01L21/027
CPC分类号： G02B5/0891 , G02B7/181 , G02B7/1815
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a reflective optical element suitable for use in an EUV wavelength region in a high heat load state. SOLUTION: A reflective optical element (10) for use in an EUV system includes a base body (1) which is produced at least partly from a substrate material, and at least one cooling channel (6) disposed in the base body (1), through which a cooling medium (7) flows. A material having a thermal conductivity of 50 W/mK or greater is provided as the substrate material. The reflective optical element also includes a polishing layer which is applied to the substrate material and includes an amorphous material which can be processed via polishing. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
摘要翻译：要解决的问题：提供适用于高热负荷状态的EUV波长区域的反射型光学元件。解决方案：用于EUV系统的反射光学元件（10）包括至少部分地由基底材料制成的基体（1）和设置在基体中的至少一个冷却通道（6）（1），冷却介质（7）通过其流动。提供具有50W / mK以上的导热率的材料作为基板材料。反射光学元件还包括施加到基板材料上的抛光层，并且包括可通过抛光加工的非晶材料。版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

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