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81. 发明专利

JP2015174794A 酸化物半導体膜及びその製造方法有权
标题翻译：氧化物半导体膜及其制造方法
公开(公告)号：JP2015174794A
公开(公告)日：2015-10-05
申请号：JP2014052318
申请日：2014-03-14
申请人：デクセリアルズ株式会社
发明人：大友明 , 大島孝仁 , 入野将昂
IPC分类号： C30B25/18 , C23C16/40 , C23C16/44 , H01L21/205 , H01L21/363 , C23C14/58 , C23C14/28 , C30B29/16
摘要：【課題】デバイス応用に足る高品質で、高度に面内配向した酸化物半導体膜およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の酸化物半導体膜の製造方法は、グラフォエピタキシー法を用いる酸化物半導体膜の製造方法であって、平行に延出した複数の凸部を有するパターンガラス基板表面に、酸化物半導体の結晶粒からなるバッファ層をPVD法により形成する工程と、前記バッファ層の表面に、前記酸化物半導体からなる酸化物膜をCVD法により形成する工程とを含むことを特徴とする。【選択図】図4
摘要翻译：要解决的问题：提供具有足够的高质量的氧化物半导体膜，用于器件应用和高度面内取向，并提供其制造方法。解决方案：氧化物半导体膜制造方法使用石墨刻蚀技术。氧化物半导体膜制造方法的特征在于包括：在具有平行延伸的多个晶体的图案玻璃基板的表面上形成由氧化物半导体的晶粒构成的缓冲层的工序; 以及通过CVD法在缓冲层的表面上形成由氧化物半导体构成的氧化膜的步骤。

82. 发明专利

JP2015129057A 凹凸構造を有する結晶基板审中-公开
标题翻译：具有无结构结构的水晶基板
公开(公告)号：JP2015129057A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：JP2014000738
申请日：2014-01-07
申请人：東レ株式会社
发明人：倉世古絵美 , 田中正太郎
IPC分类号： H01L21/205 , H01L33/22 , C30B25/18
摘要：【課題】発光効率が高い発光素子を安価に得るために、簡便なプロセスで発光層の転移欠点密度を低減できる凹凸構造を有する結晶基板を提供する。【解決手段】表面に凹凸構造を有する結晶基板1であって、凹凸構造の凸部分は非晶質金属酸化物6を含み、凹構造は無機結晶で構成されている。凸構造のサイズは100nm〜10μm、ピッチはサイズの1/5〜10倍、高さは50nm〜5μmである。この結晶基板1上に半導体層をエピタキシャル成長させて発光素子を得る。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：为了提供具有能够通过简单的工艺减少发光层的位错缺陷密度的不均匀结构的晶体基板，以便廉价地获得具有高发光效率的发光元件。解决方案：在具有表面上不均匀的结构，不均匀结构的显着部分含有非晶态金属氧化物6，凹陷结构由无机结晶构成。突出结构的尺寸为100nm-10μm，间距为尺寸的1 / 5-10倍，高度为50nm-5μm。在晶体基板1上外延生长半导体层，以获得发光元件。

83. 发明专利

JP2015516939A エピタキシ基板、エピタキシ基板の製造方法、およびエピタキシ基板を備えたオプトエレクトロニクス半導体チップ有权
标题翻译：光电子半导体芯片具有外延衬底，制造外延衬底的方法以及外延衬底
公开(公告)号：JP2015516939A
公开(公告)日：2015-06-18
申请号：JP2015507514
申请日：2013-04-24
申请人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH , オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH
发明人：ヨアヒムエルトコルン , ヨアヒムエルトコルン , アレクサンダーフレイ , アレクサンダーフレイ , クリスティアンシュミット , クリスティアンシュミット
IPC分类号： C30B29/38 , C30B25/18 , H01L21/205 , H01L31/10
CPC分类号： H01L33/0066 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/02502 , H01L21/0251 , H01L21/02513 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L31/03044 , H01L31/1852 , H01L31/1856 , H01L33/0075 , H01L33/32 , Y10T428/24355
摘要：窒化物化合物半導体材料のためのエピタキシ基板(11,12,13)であって、基板(1)の上に直接的に核形成層(2)を有し、核形成層(2)が、カラム構造を有しAlONからなる少なくとも1層の第1の層(21)を有する、エピタキシ基板(11,12,13)、を開示する。さらには、エピタキシ基板の製造方法と、エピタキシ基板を備えたオプトエレクトロニクス半導体チップを開示する。【選択図】図1
摘要翻译：为氮化物半导体材料（11，12，13）一种外延基板，具有直接成核层的基板（1）和（2）中，成核层（2）上是一列具有至少一层由AlON中的第一层具有结构（21），外延基板（11，12，13），公开了。还公开了制造所述外延基板中，光电子半导体芯片与外延衬底的方法。点域1

84. 发明专利

JP2015078093A 3C−SiCエピタキシャル層の製造方法、3C−SiCエピタキシャル基板および半導体装置有权
标题翻译： 3C-SiC外延层制造方法，3C-SiC外延衬底和半导体器件
公开(公告)号：JP2015078093A
公开(公告)日：2015-04-23
申请号：JP2013216306
申请日：2013-10-17
申请人：セイコーエプソン株式会社
发明人：渡邉幸宗 , 川名功泰
IPC分类号： C30B25/18 , C23C16/42 , H01L21/205 , C30B29/36
CPC分类号： C30B25/183 , C30B25/186 , C30B29/36 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/02598 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L29/1608
摘要：【課題】基板の反りを低減し、かつ結晶品質を向上させた3C−SiCエピタキシャル層を製造すること。【解決手段】3C−SiCエピタキシャル層は、Si基板上に第1の3C−SiC層をエピタキシャル成長させる工程と、前記第1の3C−SiC層の酸化をする工程と、前記3C−SiC層表面の酸化膜を除去する工程と、前記酸化膜の除去後、前記3C−SiC層上に第2の3C−SiC層をエピタキシャル成長させる工程と含む製造方法により製造される。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：提供一种降低基板翘曲并提高晶体质量的3C-SiC外延层。解决方案：通过制造方法制造3C-SiC外延层，该方法包括以下步骤：外延生长第一3C- SiC层，氧化第一3C-SiC层，去除3C-SiC层的表面上的氧化膜，并且在去除氧化膜之后外延生长第二3C-SiC层， 3C-SiC层。

85. 发明专利

JP2015063458A 有機金属化学気相成長法による、高品質のN面GaN、InNおよびAlNならびにそれらの合金のヘテロエピタキシャル成長の方法审中-公开
标题翻译：通过有机金属化学气相沉积方法对高质量N面GaN，InT和AlN及其合金进行异质生长的方法
公开(公告)号：JP2015063458A
公开(公告)日：2015-04-09
申请号：JP2014215011
申请日：2014-10-22
申请人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
发明人：ステーシアケラー , ウメシュケー. ミシュラ , ニコラスエー. フィシュテンバーム
IPC分类号： C30B25/18 , C23C16/18 , C23C16/34 , C23C16/30 , H01L21/205 , C30B29/38
CPC分类号： C30B25/02 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0257 , H01L21/0262
摘要：【課題】好適な有機金属化学気相成長法(MOCVD)による、高品質のN面III族窒化物膜のヘテロエピタキシャル成長方法の提供。【解決手段】MOCVDリアクタに誤配向サファイア基板を入れるステップ100、H 2 環境下にて約1090℃の表面温度でアニーリングするステップ102、約980℃の表面温度で数秒間、NH 3 およびH 2 中で基板を窒素化させ、成長のN面極性を設定するサファイア上の薄いAlN層を形成するステップ104,NH 3 及び、AlN上でGaNの成長を開始するにあたり、まず厚さ約20nmのGaN層を中成長温度で堆積させ、ステップフローまたは層ごとの成長モードでGaN核形成層を堆積させるステップ106、及び、NH 3 およびトリメチルガリウムをリアクタに流し込み、前記GaN核形成層で主要GaNの成長を開始するステップ108からなるN面GaN膜成長方法。基板としては、SiC、Siの使用も可能である。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：通过合适的有机金属化学气相沉积法（MOCVD）在高质量N面III族氮化物膜上提供异质外延生长的方法。解决方案：提供了一种N面GaN 包括：在MOCVD反应器中放置错误取向蓝宝石衬底的步骤100; 在环境中在大约1090℃的表面温度下进行退火的步骤102; 在蓝宝石上形成薄的AlN层的步骤104，其通过在NH和H中氮化基底而设置N面极性，并在约980℃的表面温度下形成数秒钟; 首先在AlN上开始生长NH和GaN时首先在中间生长温度下沉积厚度为约20nm的GaN层的步骤106，并且对于每个步骤流程或层，以生长模式沉积GaN核形成层; 以及在反应器中制造NH和三甲基镓流并在GaN核形成层中开始生长主要GaN的步骤108。这里，SiC或Si也可以用于基板。

86. 发明专利

JP2015042598A 窒化アルミニウム（ＡｌＮ）膜を有する基板および窒化アルミニウム（ＡｌＮ）膜の製造方法有权
标题翻译：具有氮化铝（AIN）膜的衬底和用于制造氮化铝（AlN）膜的方法
公开(公告)号：JP2015042598A
公开(公告)日：2015-03-05
申请号：JP2013174057
申请日：2013-08-26
申请人：国立大学法人東北大学 , Tohoku Univ , 国立大学法人三重大学 , Mie Univ
发明人： FUKUYAMA HIROYUKI , MIYAKE HIDETO
IPC分类号： C30B29/38 , C30B25/18 , C30B33/02 , H01L21/205
摘要：【課題】サファイア基板の溝加工など煩雑な処理を施さなくても、現在用いられているMOCVD法の成長条件を用いて、AlN膜の結晶性を飛躍的に向上させることが可能となり、高効率のLEDやLDデバイスを作製することができる、窒化アルミニウム(AlN)膜を有する基板および窒化アルミニウム(AlN)膜の製造方法を提供する。【解決手段】サファイア基板、炭化ケイ素(SiC)基板、または窒化アルミニウム(AlN)基板上に、膜厚100〜1000nmの窒化アルミニウム(AlN)膜を形成した後、1500℃以上の高温で熱処理する。熱処理は、窒素/一酸化炭素(N2/CO)混合ガス中で行うことが好ましい。【選択図】図3
摘要翻译：要解决的问题：为了提供具有氮化铝（AlN）膜的基板和制造氮化铝（AlN）膜的方法，其能够使用当前使用的MOCVD方法的生长条件而显着提高AlN膜的结晶度而无需执行诸如蓝宝石衬底的开槽等复杂的处理，并且能够生产高效率的LED或LD器件。解决方案：在蓝宝石衬底上形成膜厚为100-1,000nm的氮化铝（AlN）膜之后，碳化硅（SiC）衬底或氮化铝（AlN）衬底，在1500℃或更高的高温下进行热处理。优选在氮/一氧化碳（N / CO）混合气体中进行热处理。

87. 发明专利

JP2015026827A 半導体発光素子用基板、半導体発光素子、半導体発光素子用基板の製造方法、および、半導体発光素子の製造方法有权
标题翻译：半导体发光元件基板，半导体发光元件，半导体发光元件基板的制造方法和半导体发光元件制造方法
公开(公告)号：JP2015026827A
公开(公告)日：2015-02-05
申请号：JP2014124552
申请日：2014-06-17
申请人：王子ホールディングス株式会社 , Oji Holdings Corp
发明人： HATTA YOSHIHISA , SHINOZUKA HIROSHI , TANAKA YASUAKI
IPC分类号： H01L33/22 , C30B25/18 , H01L21/205 , H01L21/3065
摘要：【課題】発光構造体が生成する光の取り出される効率を高めることの可能な半導体発光素子用基板、半導体発光素子、半導体発光素子用基板の製造方法、および、半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体層を含む発光構造体が形成される発光構造体形成面11Sを有し、前記発光構造体形成面11Sは、1つの結晶面に沿って広がる平坦部14と、前記平坦部14から突き出た突出面12Sを有する複数の大突部12と、前記突出面12Sから突き出る複数の小突部13とを備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种用于半导体发光元件的基板，半导体发光元件，用于半导体发光元件的基板的制造方法，其可以提高由发光结构产生的光的提取效率。解决方案：用于半导体发光元件的衬底包括其上形成有包括半导体层的发光结构的发光结构形成表面11S。发光结构形成表面11S包括沿着一个晶面扩展的平坦部分14，具有从平坦部分14突出的突出表面12S的多个大突起12和从突出表面12S突出的多个小突起13 。

88. 发明专利

JP2014234324A ＩＩＩ族窒化物半導体の製造方法及びＩＩＩ族窒化物半導体有权
标题翻译：制备III族氮化物半导体的方法和III族氮化物半导体
公开(公告)号：JP2014234324A
公开(公告)日：2014-12-15
申请号：JP2013116162
申请日：2013-05-31
申请人：豊田合成株式会社 , Toyoda Gosei Co Ltd
发明人： OKUNO KOJI , KOSHIO TAKAHIDE , SHIBATA NAOKI , AMANO HIROSHI
IPC分类号： C30B29/38 , C23C16/34 , C30B25/18 , H01L21/205 , H01L33/22 , H01L33/32
CPC分类号： H01L21/02609 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L29/045 , H01L29/2003
摘要：【課題】貫通転位の少ない平坦なIII族窒化物半導体の製造方法を提供する。【解決手段】基板の主面上において、第1方向に第1ストライプ構造100と、第2方向に第2ストライプ構造101とを形成する。第1ストライプ構造100の凹部の側面である第1加工側面100aaは、成長するIII族窒化物半導体の低指数面のうち、第1加工側面100aaに最も平行な面が、m面(10−10)となり、第1加工側面100aaの法線ベクトルを主面へ正射影した第1側面ベクトルと、成長する半導体のm面の法線ベクトルを主面へ正射影したm軸射影ベクトルとの成す第1角&thetas;1が0.5?以上、6?以下となるように形成されている。第2ストライプ構造101についても同様に、第2加工側面101aaに最も平行な面が、a面(11−20)となり、第2側面ベクトルとa軸射影ベクトルとの成す第2角が0?以上、10?以下となるように形成される。【選択図】図12.A
摘要翻译：要解决的问题：提供一种具有小的穿透位错的扁平III族氮化物半导体的制造方法。解决方案：在第一方向上的第一条纹结构100和第二方向上的第二条纹结构101形成在主表面上的基底。作为第一条形结构体100的凹部的侧面的第一处理侧面100aa形成为与要生长的III族氮化物半导体的低折射率面中的与第一处理侧面100aa最平行的面是一个“m”面（10-10），以及第一角度和角度; 1包含在通过在主表面上正交地投影第一处理侧面100aa的法线矢量而获得的第一侧面矢量和“m”轴通过正交投影要在主表面上生长的半导体的“m”面的法向量获得的投影矢量为0.5-6°。第二条纹结构101也类似地形成为与第二处理侧面101aa最平行的平面是“a”平面（11-20），并且包含在第二侧面矢量和“a” - 轴向投影矢量为0-10°。

89. 发明专利

JP2014220524A 半極性ＩＩＩ族窒化物膜からなるデバイスおよびその作製方法审中-公开
标题翻译：第二组氮化硅薄膜的制备方法及其制造方法
公开(公告)号：JP2014220524A
公开(公告)日：2014-11-20
申请号：JP2014152524
申请日：2014-07-28
申请人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア , Regents Of The Univ Of California , ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア , 独立行政法人科学技術振興機構 , Japan Science & Technology Agency
发明人： KAEDING JOHN F , MICHAEL IZA , TROY J BAKER , SATO HITOSHI , HASKELL BENJAMIN A , SPECK JAMES S , DENBAARS STEVEN P , NAKAMURA SHUJI , LEE DONG-SEON
IPC分类号： H01L33/16 , C23C16/34 , C30B25/18 , C30B29/38 , H01L21/205 , H01L33/32
CPC分类号： H01L21/02433 , C30B23/025 , C30B25/02 , C30B25/18 , C30B25/183 , C30B29/403 , C30B29/406 , H01L21/02378 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/007
摘要：【課題】故意にミスカットした基板を用いることにより、半極性(Al,In,Ga、B)NまたはIII族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなる結晶である。【解決手段】具体的には、結晶は、(Al,In,Ga,B)NまたはIII族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなる結晶であって、該表面は少なくとも幅10μmであり、半極性方位を有し、該結晶はx線回折により測定される半値全幅(FWHM)が0.55?未満であるロッキング・カーブにより特徴づけられる結晶品質を有することを特徴とする結晶を提供する。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：通过使用有意识的基板，提供由垂直于半极（Al，In，Ga和B）N或III族氮化物及其晶体的生长方向的表面构成的晶体。解决方案：具体地，晶体由垂直于（Al，In，Ga，B）N或III族氮化物及其晶体的生长方向的表面构成。表面宽度至少为10μm，具有半极性取向。该晶体的晶体质量的特征在于通过x射线衍射测量的半峰全宽（FWHM）小于0.55°的摇摆曲线。

90. 发明专利

JP5621994B2 モザイク状ダイヤモンドの製造方法有权
标题翻译：制造一个类似马赛克的钻石的方法
公开(公告)号：JP5621994B2
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：JP2011546143
申请日：2010-12-15
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所
发明人：山田　英明 , 英明山田 , 茶谷原　昭義 , 昭義茶谷原 , 杢野　由明 , 由明杢野 , 真一鹿田 , 真一鹿田
IPC分类号： C30B29/04 , C23C16/01 , C23C16/27 , C30B25/02 , C30B25/18
CPC分类号： C30B29/04 , C23C14/0605 , C23C14/48 , C23C14/5873 , C23C16/274 , C30B25/105 , C30B25/186

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