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81. 发明专利

JP2020150138A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2020150138A
公开(公告)日：2020-09-17
申请号：JP2019046542
申请日：2019-03-13
申请人：富士電機株式会社
发明人：星保幸
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L21/336 , H01L29/78
摘要：【課題】メイン半導体素子と同一の半導体基板に電流センス部を備えた半導体装置を製造するにあたって、寄生ダイオードの逆回復耐量を向上させることができる半導体装置を提供すること。【解決手段】電流センス部12は、半導体基板10のおもて面に平行な方向に互いに隣接して配置された、メイン半導体素子11と同じセル構造の複数の単位セルを有する。電流センス部12のすべての単位セルは、メイン無効領域1bのOCパッド22の直下に配置されている。電流センス部12の単位セルのうち、センス有効領域12aに配置された単位セルは、所定電圧が印加されることにより電流センス部12として動作する。電流センス部12の単位セルのうち、第1センス無効領域12bに配置された単位セルは、所定電圧が印加されない構造、または、所定電圧が印加されても動作しない構造を有するダミーの単位セルである。【選択図】図1

82. 发明专利

JP2020136380A 半導体装置の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020136380A
公开(公告)日：2020-08-31
申请号：JP2019025287
申请日：2019-02-15
申请人：富士電機株式会社
发明人：星保幸
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L21/82 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/28 , H01L21/336
摘要：【課題】メイン半導体素子と同一の半導体基板に電流センス部を備えた半導体装置を製造するにあたって、電流センス部で絶縁破壊しにくい半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】メイン半導体素子11および電流センス部12の各バリアメタル46a,46bを構成する金属膜、および、メイン半導体素子11のソースパッド21aおよび電流センス部12のOCパッド22のうち、いずれか1つ以上の金属膜の形成と同時に形成した短絡電極111によって、ソースパッド21aとOCパッド22とを短絡する。そして、性能試験の直前まで、ソースパッド21aとOCパッド22とを短絡した状態で各製造工程を行う。その後、レーザーで短絡電極111を切断して、ソースパッド21aとOCパッド22とを電気的に切り離した後に、電流センス部12のゲート絶縁膜38bの耐圧試験等の性能試験を行う。【選択図】図11

83. 发明专利

JP6729003B2 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6729003B2
公开(公告)日：2020-07-22
申请号：JP2016111758
申请日：2016-06-03
申请人：富士電機株式会社
发明人：椎木崇 , 山田昭治 , 原田祐一 , 星保幸
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/76 , H01L21/336 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/329 , H01L29/866 , H01L29/78

84. 发明专利

JP6651801B2 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6651801B2
公开(公告)日：2020-02-19
申请号：JP2015223755
申请日：2015-11-16
申请人：富士電機株式会社
发明人：星保幸
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/265 , H01L29/06

85. 发明专利

JP6588447B2 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6588447B2
公开(公告)日：2019-10-09
申请号：JP2016547791
申请日：2015-08-13
申请人：富士電機株式会社
发明人：原田祐一 , 星保幸 , 木下明将 , 大西泰彦
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L29/78

86. 发明专利

JP2019165245A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019165245A
公开(公告)日：2019-09-26
申请号：JP2019103152
申请日：2019-05-31
申请人：富士電機株式会社
发明人：木下明将 , 星保幸 , 原田祐一 , 大西泰彦
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/06 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78
摘要：【課題】リーク電流を抑制し、かつ高耐圧化を図ることができる半導体装置を提供すること。【解決手段】n + 型炭化珪素基板1上にn型炭化珪素エピタキシャル層2を堆積してなる炭化珪素半導体基体のおもて面側に、MOSゲート構造が設けられている。このMOSゲート構造を構成するp型ベース領域3は、それぞれ不純物濃度が異なり、かつ互いに接する第1p型ベース領域33a、第2p型ベース領域33bおよび第3p + 型ベース領域33cからなる。第1p型ベース領域33aは、基体おもて面に露出されるように配置されている。第2p型ベース領域33bは、深さ方向に第1p型ベース領域33aに対向するように配置されている。第3p + 型ベース領域33cは、第1,2p型ベース領域33a,33b間に挟まれるように、第2p型ベース領域33bの内部に選択的に設けられている。第3p + 型ベース領域33cの基体裏面側の周囲は、第2p型ベース領域33bに囲まれている。【選択図】図9

87. 发明专利

JP6561759B2 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6561759B2
公开(公告)日：2019-08-21
申请号：JP2015205336
申请日：2015-10-19
申请人：富士電機株式会社
发明人：星保幸 , 原田祐一 , 椎木崇
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/336 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/78

88. 发明专利

JP2019071312A 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JP2019071312A
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：JP2017195430
申请日：2017-10-05
申请人：富士電機株式会社
发明人：橋爪悠一 , 熊田恵志郎 , 鈴木啓久 , 星保幸
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/417 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/739 , H01L29/78
摘要：【課題】経時的な信頼性を向上させることができる半導体装置を提供すること。【解決手段】層間絶縁膜10は、トレンチ7に埋め込まれたゲート絶縁膜8およびゲート電極9を覆う。ソース電極16は、第1TiN膜11、NiSi膜12、Ti膜13、第2TiN膜14およびAl合金膜15を有する。第1TiN膜11は、コンタクトホール10aの底面10dにおいて半導体基板40に接触しないように、層間絶縁膜10の一部を覆う。NiSi膜12は、コンタクトホール10aにおいて半導体基板40とオーミック接触する。Ti膜13、第2TiN膜14およびAl合金膜15は、層間絶縁膜10上から半導体基板40のおもて面上にわたって、第1TiN膜11およびNiSi膜12の表面上に順に積層されている。ソース電極16には、半導体基板40のおもて面に対して垂直に立てた状態で、めっき膜17を介して端子ピン18がはんだ接合されている。【選択図】図1

89. 发明专利

JP6399161B2 半導体装置および半導体装置の製造方法有权
公开(公告)号：JP6399161B2
公开(公告)日：2018-10-03
申请号：JP2017130709
申请日：2017-07-03
申请人：富士電機株式会社
发明人：木下明将 , 星保幸 , 原田祐一
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28 , H01L29/47 , H01L29/872 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L29/12 , H01L21/329 , H01L29/06

90. 发明专利

JPWO2017208734A1 半導体装置审中-公开
公开(公告)号：JPWO2017208734A1
公开(公告)日：2018-09-27
申请号：JP2017017427
申请日：2017-05-08
申请人：富士電機株式会社
发明人：山田昭治 , 椎木崇 , 星保幸
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/06 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L29/78
CPC分类号： H01L21/8234 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L29/06 , H01L29/12 , H01L29/1608 , H01L29/78 , H01L29/7813 , H01L29/7827
摘要：メイン半導体素子(10)および温度センス部(20)は同一の炭化珪素基体(100)に配置されている。メイン半導体素子(10)は縦型MOSFETであり、温度センス部(20)は横型ダイオードである。温度センス部(20)のアノード領域とメイン半導体素子(10)のn + 型ソース領域(4)およびp + 型コンタクト領域(5)とは、炭化珪素基体(100)のおもて面上でアノード電極(23)により配線接続されている。温度センス部(20)は、メイン半導体素子(10)のオン時に、メイン半導体素子(10)に流れるドリフト電流で順バイアスされ通電する。温度センス部(20)は、例えば、炭化珪素基体(100)のおもて面上に配置したp型ポリシリコン層(21)およびn型ポリシリコン層(22)からなるポリシリコンダイオードである。このようにすることで、信頼性の高い半導体装置を提供することができる。

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