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71. 发明专利

JP6093267B2 循環冷却加熱装置有权
标题翻译：循环冷却加热装置
公开(公告)号：JP6093267B2
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：JP2013166864
申请日：2013-08-09
申请人：株式会社KELK
发明人：志賀一哉
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67109 , H01J37/32009 , H01J37/32522 , H01L21/67017 , H01L21/67069 , H01J2237/334 , H01J37/32724

72. 发明专利

JPWO2015011829A1 基板処理装置、半導体装置の製造方法及びプログラム审中-公开
标题翻译：一种基板处理装置，半导体装置的制造方法和程序
公开(公告)号：JPWO2015011829A1
公开(公告)日：2017-03-02
申请号：JP2015528082
申请日：2013-07-26
申请人：株式会社日立国際電気
发明人：康寿坪田 , 優一和田 , 賢治亀田 , 真檜山
IPC分类号： H01L21/302
CPC分类号： H01L21/32135 , H01J37/32449 , H01J37/32724 , H01J37/32834 , H01J2237/334 , H01J2237/3345 , H01J2237/3346 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/67253 , H01L27/10852
摘要：【課題】基板面内において、高い選択性を有するエッチングを実現する。【解決手段】上記課題を解決するために、少なくともシリコンを含有する第一の膜と、前記第一の膜よりもシリコン含有率が少ない第二の膜とが形成された基板が載置される載置部と、前記載置部が設けられた処理容器と、前記基板へエッチングガスを供給するガス供給系と、前記エッチングガスを前記基板と接触する間、前記第二の膜のエッチング速度よりも前記第一の膜のエッチング速度が高くなるよう前記基板の温度を制御する温度制御部と、前記処理容器内の雰囲気を排気する排気系と、を有する基板処理装置を提供する。【選択図】図3
摘要翻译：公开了一种基板平面，实现具有高选择性的蚀刻。解决上述问题，是所述第一膜和所述第二位置和与所述膜形成在所述衬底是小的硅含量比含有所述第一膜的至少硅和安装单元，一个处理容器配置部被提供，并且用于供给的蚀刻气体进入所述衬底中的气体供给系统，而在与基板接触蚀刻气体，比所述第二膜的蚀刻速率提供温度控制单元还控制所述基板的温度为所述第一膜的更高的蚀刻速率，和用于在所述处理室排出的大气的排气系统中，具有一个基板处理装置。点域

73. 发明专利

JPWO2014184910A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：的等离子体处理装置
公开(公告)号：JPWO2014184910A1
公开(公告)日：2017-02-23
申请号：JP2015516823
申请日：2013-05-15
申请人：富士機械製造株式会社
发明人：陽大丹羽 , 智弘渡邊 , 一明森
IPC分类号： H05H1/26 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01J37/32522 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/6776
摘要：プラズマ処理に先立って被処理物の被処理面の加熱を行うプラズマ処理装置の実用性を向上させる。独立開口型処理ガス生成・噴出装置12の処理ガス生成装置70においてプラズマ内に生成された反応種を含む処理ガスを生成し、独立開口型噴出装置72から下方へ噴出する。被処理物搬送方向において処理ガス生成・噴出装置12の上流側に加熱空気生成・噴出装置16のヒータ150を、処理ガス噴出口と加熱空気噴出口との中心間距離より、被処理物の被処理面の処理ガスと加熱空気との各到達領域の中心間距離間が小さくなる向きに傾斜させて設ける。被処理面を処理ガスの噴付けに先立って加熱空気の噴出により加熱する。ヒータ150の傾斜により被処理面の処理ガスと加熱空気との各到達領域の中心間距離が短く、加熱から処理ガス噴付けまでの被処理面の温度低下が抑制され、簡易な装置構成で加熱による処理向上効果が有効に得られる。
摘要翻译：在此之前的等离子体处理，提高等离子体处理装置的效用为工件的加工面的热量。在该处理气体发生器70独立选通过程的气体发生和注入单元12生成包含在等离子体中产生的反应性物种的处理气体，从独立的门控喷射机构72向下喷出。加热器的上游侧的150中的处理对象物搬送方向进行加热的过程中气体的产生和喷射装置12的空气发生和喷射装置16中，除处理气体喷射口和所述加热空气喷射口之间的中心到中心的距离，物体的要设置在处理用面和加热的空气的处理气体的到达区域的中心间距离为倾斜的以减小方向。通过与处理气体，以在注射之前喷射加热的空气中加热到被处理表面上。被加热的空气和工艺气体处理的表面的各自的到达区域的中心之间的距离是短由于加热器150的倾斜，经处理的表面，以处理气体注入与加热的温度下降被抑制，加热以简单的装置结构在有效地获得提高的治疗效果。

74. 发明专利

JPWO2014157124A1 基板処理装置有权
标题翻译：的基板处理装置
公开(公告)号：JPWO2014157124A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015508504
申请日：2014-03-18
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：勤廣木 , 勤廣木
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32733 , H01J37/32816 , H01J2237/334 , H01L21/67017 , H01L21/67775
摘要：基板搬送部の内部を窒素雰囲気に保持しながら、基板搬送部の外周近傍における酸素濃度を速やかに空気の酸素濃度へ高めることができる基板処理装置を提供する。半導体ウエハにプラズマ処理を施す基板処理装置(10)において、フープ載置台(21)に載置されたフープとの間でウエハ(W)を搬送する第2の搬送装置(20)が配置されるローダーモジュール(13)の内部を、外部に対して陽圧の窒素雰囲気に保持する。ローダーモジュール(13)の外側上部側面に送風装置(40)を配置し、送風装置(40)によりローダーモジュール(13)の外側側面に沿って空気の流れを生じさせることにより、ローダーモジュール(13)から漏れ出す窒素ガスを拡散、対流させることで、ローダーモジュール(13)の外周近傍における酸素濃度を速やかに空気の酸素濃度へ高める。
摘要翻译：同时保持基片传输装置的内部在氮气氛下，提供一种能够在基板输送单元的外周部附近增加氧气的浓度迅速空气氧浓度的基板处理装置。在用于半导体晶片（10），用于传送晶片（W）（20）被设置在放置箍FOUP载置台之间的第二传送装置进行等离子体处理的基板处理装置（21）装载模块（13）的内部在相对于外界正压的氮气氛中保持。装载机将模块鼓风机（13）（40）外侧上侧，通过由鼓风机（40），所述装载模块的发电用空气的沿装载组件（13）的外侧的流（13）扩散氮气通过对流从，泄漏，迅速在装载模块（13）的外周附近的氧浓度，以增加在所述空气中的氧浓度。

75. 发明专利

JP6082391B2 基板処理装置及び基板処理方法有权
标题翻译：一种基板处理装置和基板处理方法
公开(公告)号：JP6082391B2
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：JP2014516723
申请日：2013-04-16
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：西村栄一 , 清水昭貴 , 山下扶美子 , 浦山大介
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32513 , H01J37/32 , H01J37/32357 , H01J37/32422 , H01J37/32449 , H01J37/32724 , H01J37/32834 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L43/12 , H01J2237/334

76. 发明专利

JP2017028198A エッチング方法及びエッチング装置审中-公开
标题翻译：蚀刻方法和蚀刻设备
公开(公告)号：JP2017028198A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2015147846
申请日：2015-07-27
申请人：東京エレクトロン株式会社 , セントラル硝子株式会社
发明人：林軍 , 竹谷考司 , 立花光博 , 八尾章史 , 山内邦裕 , 宮崎達夫
IPC分类号： C23F1/12 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L21/3205 , H01L23/532 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , H01L21/32138 , H01L23/53209
摘要：【課題】コバルト膜を酸化する酸化ガスとβ−ジケトンからなるエッチングガスとを用いて被処理体表面のコバルト膜をエッチングするにあたり、被処理体にカーボン膜が形成されることを防ぐことができる技術を提供すること。【解決手段】被処理体を250℃以下の温度に加熱しながらβ−ジケトンからなるエッチングガスと、前記コバルト膜を酸化するための酸化ガスとを、前記エッチングガスの流量に対する前記酸化ガスの流量の割合が0.5%〜50%となるように前記被処理体に供給する。それによって、カーボン膜の形成を抑えつつ、前記コバルト膜をエッチングすることができる。【選択図】図3
摘要翻译：阿当使用包含氧化气体和β-二酮氧化该钴膜的蚀刻气体蚀刻所述物体表面的钴膜，能够防止碳膜目标物体上形成提供的技术。和由A的同时加热对象蚀刻气体被处理，以250℃的温度或更低β-二酮，和用于氧化钴膜，氧化剂气体的流速与蚀刻气体的流量的氧化气体供给到工件为的比例为0.5％至50％。由此，同时抑制碳薄膜的形成可以被蚀刻的钴膜。点域

77. 发明专利

JP6063181B2 プラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置有权
标题翻译：等离子体处理方法，和等离子体处理装置
公开(公告)号：JP6063181B2
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：JP2012189063
申请日：2012-08-29
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：原田彰俊 , 林 ▲彦▼廷 , 陳智軒 , 謝如嘉 , 米田滋
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/76805 , H01J37/32009 , H01J37/32091 , H01J37/32165 , H01J37/3244 , H01J37/32449 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/2236 , H01L21/28518 , H01L21/31116 , H01L21/32053 , H01L21/321 , H01L21/67069 , H01L21/76814 , H01L21/76829 , H01L21/76895 , H01L29/66575 , H01L29/78 , H01J2237/3321 , H01J2237/334 , H01L21/76802 , H01L21/76897

78. 发明专利

JP6059165B2 エッチング方法、及びプラズマ処理装置有权
标题翻译：蚀刻方法和等离子体处理装置
公开(公告)号：JP6059165B2
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：JP2014029611
申请日：2014-02-19
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：戸村幕樹 , 渡邉光 , 加藤隆彦 , 本田昌伸
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/768 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/311 , H01J37/32091 , H01J37/32137 , H01J37/32449 , H01J37/32724 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01L21/6831 , H01L21/76897 , H01J2237/334 , H01L21/67109

79. 发明专利

JP2016537298A 希土類酸化物系モノリシックチャンバ材料有权
标题翻译：基于氧化的稀土单片腔室材料
公开(公告)号：JP2016537298A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：JP2016553275
申请日：2014-11-11
申请人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated , アプライドマテリアルズインコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated
发明人：ジェニファーワイサン , ジェニファーワイサン , ビラジャピーカヌンゴ , ビラジャピーカヌンゴ
IPC分类号： C04B35/50 , C04B37/02 , H01L21/3065
CPC分类号： C04B35/50 , C04B35/505 , C04B35/62222 , C04B35/62655 , C04B37/001 , C04B37/02 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/3418 , C04B2235/656 , C04B2235/96 , C04B2235/9669 , C04B2237/34 , C04B2237/341 , C04B2237/348 , C04B2237/40 , C23C4/11 , C23C4/134 , C23C14/221 , C23C16/405 , C23C16/4401 , C23C16/45525 , C23C16/50 , H01J37/32082 , H01L21/67069 , H01L21/67109 , H01L21/67248 , H01L21/6833 , H01L21/68757
摘要：固体焼結セラミックス物品は、約30モル%〜約60モル%の濃度のY2O3と、約20モル%〜約60モル%の濃度のEr2O3と、約0モル%〜約30モル%の濃度のZrO2、Gd2O3、又はSiO2のうちの少なくとも1つとを含む固溶体を含むことができる。あるいはまた、固体焼結セラミックス物品は、40〜100モル%のY2O3と、0〜50モル%のZrO2と、0〜40モル%のAl2O3とを含む固溶体を含む。
摘要翻译：固体烧结陶瓷制品中，大约30％（摩尔）Y 2 O 3浓度为约60mol％，和Er2O3在约20摩尔％的浓度至约60％（摩尔），约0摩尔％的浓度至约30摩尔％的ZrO 2 它可以包括含的Gd2 O3，或SiO 2中的至少一个的固溶体。或者，固体烧结陶瓷制品包含的0〜40摩尔％含有Y 2 O 3 40-100摩尔％的固溶体，和ZrO 2为0〜50摩尔％，和Al2O3。

80. 发明专利

JP6030994B2 プラズマエッチング装置及びプラズマエッチング方法有权
标题翻译：等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法
公开(公告)号：JP6030994B2
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：JP2013103015
申请日：2013-05-15
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：辻本宏 , 水谷智之
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32449 , H01J37/32082 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/67069 , H01J2237/334

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