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71. 发明专利

JP2018065730A III族窒化物基板の製造方法およびIII族窒化物基板审中-公开
公开(公告)号：JP2018065730A
公开(公告)日：2018-04-26
申请号：JP2016207228
申请日：2016-10-21
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：北村寿朗 , 柴田真佐知 , 吉田丈洋
IPC分类号： C30B25/20 , C23C16/34 , C23C16/02 , H01L21/205 , B23K26/382 , C30B29/38
CPC分类号： H01L21/02032 , B23K26/0006 , B23K26/352 , B23K26/382 , B23K26/402 , B23K2101/40 , C30B25/20 , C30B29/406 , C30B33/04 , H01L22/12 , H01L22/20
摘要：【課題】III族窒化物基板の品質を向上させる。【解決手段】III族窒化物の結晶からなり、結晶の母相に比べて酸素濃度が大きくなっている高酸素濃度領域を有する基板を用意する工程と、高酸素濃度領域を狙って基板に対してレーザ光を照射し、基板を厚さ方向に貫く貫通孔を形成し、高酸素濃度領域のうち少なくとも一部を基板から除去する穿孔工程と、貫通孔の内部にIII族窒化物の結晶を成長させ、その内部の少なくとも一部を埋め込む埋込工程と、を有する。【選択図】図2

72. 发明专利

JP2017218378A 窒化物結晶基板审中-公开
公开(公告)号：JP2017218378A
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：JP2017164405
申请日：2017-08-29
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：吉田丈洋 , 柴田真佐知
IPC分类号： C30B29/38
CPC分类号： C23C16/34 , C30B25/20 , C30B29/38 , H01L21/205
摘要：【課題】大径化のニーズに対応しつつ、良質な窒化物結晶基板を得ることを可能にする。【解決手段】直径が100mm以上の窒化物結晶からなる窒化物結晶基板であって、主面に、連続する高転位密度領域と、高転位密度領域によって区分けされる複数の低転位密度領域と、を有するとともに、主面は極性反転区を含まないものとする。【選択図】図9

73. 发明专利

JP2017024984A III族窒化物基板の製造方法审中-公开
标题翻译：用于制造第III族氮化物基板的制造方法
公开(公告)号：JP2017024984A
公开(公告)日：2017-02-02
申请号：JP2016182169
申请日：2016-09-16
申请人：住友化学株式会社
发明人：吉田丈洋
IPC分类号： C30B29/38
摘要：【課題】複数の種結晶基板を並べて形成した種結晶基板上に結晶成長を行うIII族窒化物基板の作製に関し、新規な技術を提供する。【解決手段】III族窒化物基板の製造方法は、側面同士を対向させて並べられるような形状に成形された複数の種結晶基板10を用意する工程と、隣り合う種結晶基板の前記側面同士が対向して並んだ配置となるように、複数の種結晶基板を、基材50上に接着剤60で接着する工程と、複数の種結晶基板の主面上方に、各々の主面上方に成長した結晶同士が結合して一体化するように、III族窒化物結晶70を成長させる工程と、を有し、基材の材料は、III族窒化物結晶の成長の後、基材に接着された種結晶基板が基材から分離する際に、基材の最表面層が犠牲層となるものである。【選択図】図2
摘要翻译：阿涉及III族氮化物衬底的制备通过侧形成晶种基板进行晶体生长成多个籽晶衬底的一面，是提供一种新颖的技术。一种用于制造III族氮化物衬底的方法包括提供多个被形成为一定的形状，例如那些布置成面对所述侧表面，在一起的相邻籽晶衬底的侧表面晶种基板10的步骤但一个并排侧布置成面对，多个籽晶基板，由粘接剂60在基板50上接合的工序，在所述多个籽晶衬底的主表面上，上述各主表面作为生长的晶体彼此被集成在组合中包括生长所述III族氮化物晶体70中，在基板的材料，所述III族氮化物晶体的生长后的工序，键合到基当物种晶体衬底从衬底，其中所述衬底的所述最外表面层是牺牲层分离。 .The

74. 发明专利

JP6983570B2 半導体積層物の製造方法、窒化物半導体自立基板の製造方法、半導体積層物および半導体装置有权
公开(公告)号：JP6983570B2
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：JP2017149347
申请日：2017-08-01
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：吉田丈洋 , 柴田真佐知 , 北村寿朗
IPC分类号： C30B25/02 , C23C16/02 , C23C16/34 , H01L21/205 , C30B29/38

75. 发明专利

JP6951190B2 GaN基板有权
公开(公告)号：JP6951190B2
公开(公告)日：2021-10-20
申请号：JP2017202543
申请日：2017-10-19
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：吉田丈洋
IPC分类号： C30B29/38

76. 发明专利

JP2021130585A 窒化ガリウム結晶の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2021130585A
公开(公告)日：2021-09-09
申请号：JP2020026844
申请日：2020-02-20
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社 , 国立大学法人東京農工大学
发明人：柴田真佐知 , 吉田丈洋 , 村上尚 , 纐纈明伯
IPC分类号： C30B25/20 , C23C16/34 , C23C16/02 , H01L21/205 , C30B29/38
摘要：【課題】高品質なGaN結晶を得ることができる製造方法の提供。【解決手段】(a)窒化ガリウムの単結晶からなる種基板200の−c面により構成された主面201の一部を除去することにより、種基板200上に、主面201から掘り下げられた底部220と、底部220から突出し、主面201が残された複数の凸部210とを形成する工程と、(b)種基板200に対して三ハロゲン化ガリウムガスと窒化水素ガスとを含む原料ガスを供給する工程と、を有する窒化ガリウム結晶の製造方法。(b)では、複数の凸部210上に、窒化ガリウムの単結晶からなる複数の成長結晶230を、主面201の沿面方向に拡径させつつ−c軸方向にエピタキシャル成長させ、複数の成長結晶230を互いに結合させる窒化ガリウム結晶の製造方法。(b)では、底部220から成長する結晶を、複数の成長結晶230に接触しない程度に成長させる窒化ガリウム結晶の製造方法。【選択図】図3

77. 发明专利

JP2021042121A GaN単結晶基板および半導体積層物审中-公开
公开(公告)号：JP2021042121A
公开(公告)日：2021-03-18
申请号：JP2020176487
申请日：2020-10-21
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：堀切文正 , 吉田丈洋
IPC分类号： C30B25/20 , H01L21/205 , H01L29/861 , H01L29/868 , C30B29/38
摘要：【課題】精度良くかつ再現性良く加熱することができる窒化物結晶基板を提供する。【解決手段】n型不純物がドーピングされたGaN単結晶基板であって、n型不純物のドーピングによってGaN単結晶基板中に生じる自由電子の濃度は、27℃の温度条件下において、1×10 18 cm − 3 以上であり、GaN単結晶基板の主面内における、任意の2点で測定した自由電子濃度の差が、8.3×10 17 cm −3 以内であり、GaN単結晶基板における波長2μmの光の吸収係数が1.2cm −1 以上であり、GaN単結晶基板の主面内における、任意の2点で測定した波長2μmの光の吸収係数の差が1.0cm −1 以内である。GaN結晶基板上に設けられ、III族窒化物半導体の単結晶からなる半導体層と、を有する半導体積層物も提供する。【選択図】図3

78. 发明专利

JP6781054B2 窒化物結晶基板および窒化物結晶基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6781054B2
公开(公告)日：2020-11-04
申请号：JP2017008187
申请日：2017-01-20
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：吉田丈洋 , 柴田真佐知
IPC分类号： C30B25/20 , C23C16/34 , H01L21/205 , C30B29/38

79. 发明专利

JP2020164356A GaN結晶、GaN自立基板、GaN結晶成長用種基板、GaN結晶の製造方法およびGaN自立基板の製造方法审中-公开
公开(公告)号：JP2020164356A
公开(公告)日：2020-10-08
申请号：JP2019065264
申请日：2019-03-29
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社 , 国立大学法人東京農工大学
发明人：柴田真佐知 , 吉田丈洋 , 村上尚 , 纐纈明伯
IPC分类号： C30B25/02 , C23C16/34 , H01L21/205 , C30B29/38
摘要：【課題】高品質なGaN結晶およびその製造方法を提供し、この結晶を用いて作製される基板や半導体デバイスの性能を向上させる。【解決手段】GaNの単結晶からなり、転位密度が1×10 4 cm −2 以下である低転位領域を有し、低転位領域の面積が10mm 2 以上であるGaN結晶である。【選択図】なし

80. 发明专利

JP6761743B2 結晶成長用基板、窒化物結晶基板および窒化物結晶基板の製造方法有权
公开(公告)号：JP6761743B2
公开(公告)日：2020-09-30
申请号：JP2016229163
申请日：2016-11-25
申请人：株式会社サイオクス , 住友化学株式会社
发明人：吉田丈洋
IPC分类号： H01L21/205 , C30B29/38

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