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61. 发明专利

JP6337615B2 RC−IGBT駆動回路有权
公开(公告)号：JP6337615B2
公开(公告)日：2018-06-06
申请号：JP2014109055
申请日：2014-05-27
申请人：株式会社デンソー
发明人：山本昌弘 , 岩村剛宏
IPC分类号： H03K17/56 , H02M1/08 , H03K17/04
CPC分类号： H02M1/08 , H03K17/04 , H03K17/56

62. 发明专利

JPWO2016125530A1 スイッチ回路および高周波モジュール审中-公开
公开(公告)号：JPWO2016125530A1
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：JP2016573244
申请日：2016-01-08
申请人：株式会社村田製作所
发明人：早川　昌志 , 昌志早川
IPC分类号： H04B1/401 , H03K17/693 , H04B1/00 , H04B1/52
CPC分类号： H03K17/56 , H01L23/49822 , H01L23/49844 , H01L23/66 , H01L29/72 , H01L29/772 , H01L29/7722 , H01L29/868 , H01L2223/6677 , H01L2223/6688 , H01L2224/16225 , H01L2924/15192 , H01L2924/19105 , H03K17/002 , H03K17/007 , H03K17/04106 , H03K17/693 , H04B1/00 , H04B1/40 , H04B1/52
摘要：高調波などの不要な信号を効果的に減衰させることで他の回路とのアイソレーション特性を向上させることができるスイッチ回路を提供する。シャント回路103aのインダクタL1のインダクタンスを適切に設計することにより、第1のスイッチング素子102aがオン状態のときにオフ状態の第2のスイッチング素子104aのオフ容量Cfを利用して所望の共振周波数を有するLC直列共振回路をシャント回路103aに形成することができる。そのため、減衰させたい不要な信号の周波数をLC直列共振回路の共振周波数に設定することによって、不要な信号を減衰させて他の回路(信号端子32b〜32d)とのアイソレーション特性を向上させることが可能なスイッチ回路101を提供することができる。

63. 发明专利

JP2017521982A 動的タイミングでの多ステージゲートオフ切り替え审中-公开
公开(公告)号：JP2017521982A
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：JP2016558712
申请日：2015-07-09
申请人：パワーインテグレーションズスイッツランドゲーエムベーハーPower Integrations Switzerland GmbH , パワーインテグレーションズスイッツランドゲーエムベーハーPower Integrations Switzerland GmbH
发明人：ヤンタールハイム , ヤンタールハイム
IPC分类号： H02M1/08 , H03K17/082
CPC分类号： H03K17/56 , H02H3/08 , H03K17/0828 , H03K17/163 , H03K17/168
摘要：電力半導体スイッチをオフに切り替える回路が、電力半導体スイッチの制御端子における、電力半導体スイッチをオフに切り替える信号をスイッチングするように接続されたオフ切り替えトランジスタと、オフ切り替え中に電力半導体スイッチの制御端子における電圧を制御するフィードバック制御ループと、を含む。フィードバックループが、電力半導体スイッチの制御端子の電圧の測定結果をフィードバックするフィードバック経路と、時間依存基準電圧を生成する制御端子基準電圧生成器と、制御端子の電圧と時間依存基準電圧との間の差分を表すエラー信号を生成するエラー増幅器と、オフ切り替えトランジスタにより電力半導体スイッチの制御端子における電力半導体スイッチをオフに切り替える信号のスイッチングを制御するエラー信号を前方に伝達するフォワード経路と、を含む。

64. 发明专利

JPWO2014167734A1 電子装置有权
标题翻译：该电子设备
公开(公告)号：JPWO2014167734A1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：JP2015511063
申请日：2013-04-12
申请人：トヨタ自動車株式会社
发明人：洋介長内 , 洋介長内 , 悠季生大西 , 悠季生大西
IPC分类号： H03K17/56 , H02M1/00 , H02M7/48 , H03K17/00
CPC分类号： H02M1/088 , H02H7/1225 , H02M1/092 , H02M7/5387 , H03K17/18 , H03K17/56 , H03K17/795
摘要：電子装置は、電源に接続される複数のスイッチング素子と、前記複数のスイッチング素子に対応して設けられ、対応するスイッチング素子の固有情報を保持する複数の固有情報保持部と、前記複数のスイッチング素子を制御する処理装置と、前記複数の固有情報保持部と前記処理装置の間に設けられ、前記複数のスイッチング素子のそれぞれに係る固有情報が前記複数の固有情報保持部から前記処理装置に送信される通信線とを含む。
摘要翻译：该电子设备包括多个开关连接到所述电源的元件，只要相应于所述多个开关元件，多个固有信息保持单元，其保持所对应的开关元件的固有信息，所述多个开关元件的用于控制处理器，设置在所述处理单元和所述多个固有信息保持单元，从所述与每个所述多个开关元件中的特定信息被发送至处理单元多个唯一信息保持单元的该和一个通信线路。

65. 发明专利

JP2016063265A 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2016063265A
公开(公告)日：2016-04-25
申请号：JP2014187094
申请日：2014-09-12
申请人：株式会社ブイ・テクノロジー
发明人：梶山康一 , 水村通伸 , 小川吉司
IPC分类号： H03K17/06 , H03K17/56 , H02M1/08 , H03K17/78
CPC分类号： H01L29/739 , H01L29/78 , H02M1/08 , H03K17/04 , H03K17/56 , Y02E10/56
摘要：【課題】IGBTのターンオフ時のスイッチング損失を低減する。【解決手段】半導体装置1は、IGBT10と、IGBT10のドリフト領域とエミッタ電極10E又はアースGとの間に接続され、ドリフト領域の蓄積キャリアを放電する光起電力発生回路20と、IGBT10のターンオフ時に光起電力発生回路10に光を照射する発光回路30を備える。【選択図】図2
摘要翻译：要解决的问题：为了抑制IGBT关断时的开关损耗。解决方案：半导体器件1包括：IGBT 10; 连接在漂移区与IGBT10的发射电极10E或地线G之间的光电发电电路20，并对漂移区域内的蓄积载体进行放电; 以及当IGBT 10断开时用光照射光电发电电路20的发光电路30.选择图：图2

66. 发明专利

JP5900125B2 半導体基板中の寄生抵抗を利用するレベルシフト回路有权
标题翻译：使用在半导体衬底中的寄生电阻的电平移位电路
公开(公告)号：JP5900125B2
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：JP2012090994
申请日：2012-04-12
申请人：富士電機株式会社
发明人：赤羽正志
IPC分类号： H03K17/16 , H03K17/14 , H03K19/0185
CPC分类号： H03K17/56 , G01R27/02 , H03K17/04123 , H03K17/145 , H03K17/162 , H03K2217/0063 , H03K2217/0072 , H03K2217/0081

67. 发明专利

JP5880494B2 スイッチング制御回路有权
标题翻译：的开关控制电路
公开(公告)号：JP5880494B2
公开(公告)日：2016-03-09
申请号：JP2013140827
申请日：2013-07-04
申请人：株式会社デンソー
发明人：福田純一
IPC分类号： H02M1/00 , H03K17/08 , H02M1/08
CPC分类号： H03K17/168 , H03K17/0828 , H03K17/166 , H03K17/56 , H03K17/687 , H03K19/017509 , H03K3/012

68. 发明专利

JP2015188201A 半導体装置有权
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：JP2015188201A
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：JP2014264188
申请日：2014-12-26
申请人：株式会社半導体エネルギー研究所
发明人：青木健 , 上妻宗広 , 黒川義元
IPC分类号： H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L27/08 , H01L29/786 , H01L21/82 , H03K19/177
CPC分类号： H03K3/012 , H03K17/56 , H03K19/173
摘要：【課題】正常な動作を確保しつつ、低消費電力化を実現できる半導体装置の提供。【解決手段】第1のトランジスタ、及び上記第1のトランジスタが有するゲートへの、第1の信号の供給を制御する第2のトランジスタをそれぞれ有する一対の第1の回路と、上記第2のトランジスタが有するゲートに供給され、なおかつ上記第1の信号よりも振幅が大きい第2の信号を、生成する第2の回路と、を有し、一対の上記第1の回路がそれぞれ有する上記第1のトランジスタのソース及びドレインの一方は、互いに電気的に接続されており、一対の上記第1の回路において、上記第1のトランジスタが有するゲートにそれぞれ供給される上記第1の信号は、論理レベルの異なる電位を有する。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供能够在确保正常操作的同时实现更低功耗的半导体器件。解决方案：半导体器件包括：一对第一电路，每个第一电路包括第一晶体管和控制第一信号的供给的第二晶体管涉及包括在第一晶体管中的栅极;以及第二电路，其产生要提供给包括在第二晶体管中的栅极并且具有比第一信号更大的幅度的第二信号。包括在该对第一电路中的第一晶体管之一的源极和漏极之一电连接到另一个第一晶体管的源极和漏极之一。提供给该对第一电路中的第一晶体管的栅极的第一信号具有不同逻辑电平的电位。

69. 发明专利

JP5778680B2 レベルシフタ、インバータ回路及びシフトレジスタ有权
标题翻译：电平移位器，逆变器电路和移位寄存器
公开(公告)号：JP5778680B2
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：JP2012532804
申请日：2011-12-28
申请人：株式会社JOLED
发明人：松井雅史
IPC分类号： H03K19/0944 , G11C19/00 , G11C19/28 , H03K19/0185
CPC分类号： H03K17/56 , G11C19/00 , G11C19/184 , G11C19/28 , H03K19/017509 , H03K19/018507 , H03K19/20

70. 发明专利

JP2015164289A 共鳴結合器、伝送装置、スイッチングシステム、および、方向性結合器审中-公开
标题翻译：谐振耦合器，传输单元，开关系统和方向耦合器
公开(公告)号：JP2015164289A
公开(公告)日：2015-09-10
申请号：JP2015009645
申请日：2015-01-21
申请人：パナソニックIPマネジメント株式会社
发明人：永井秀一
IPC分类号： H01P1/203 , H01P7/08 , H01P5/18 , H02J17/00 , H01F17/00 , H01F19/06 , H01P1/213
CPC分类号： H02M5/293 , H01P5/187 , H02M1/08 , H03K17/56 , H02M2005/2932
摘要：【課題】伝送信号を複数に分割し、低い伝送損失で絶縁伝送できる共鳴結合器を提供する。【解決手段】本開示の一態様に係る共鳴結合器は、伝送信号が入力される第一の共鳴器と、前記第一の共鳴器の第一の側と離間して対向し、前記第一の共鳴器と電磁的に結合し、前記第一の共鳴器から前記伝送信号が絶縁伝送される第二の共鳴器と、前記第一の共鳴器の前記第一の側とは反対の第二の側と離間して対向し、前記第一の共鳴器と電磁的に結合し、前記第一の共鳴器から前記伝送信号が絶縁伝送される第三の共鳴器と、を備える。【選択図】図1
摘要翻译：要解决的问题：提供一种在将发送信号分成多个部分的同时能够以小的传输损耗进行绝缘传输的谐振耦合器。解决方案：根据本发明的一个方面的谐振耦合器包括：第一谐振器，信号输入; 第二谐振器，被布置为与第一谐振器分离的第一侧相对，并且与第一谐振器电磁耦合，并且传输信号从第一谐振器被绝缘和传输到该第二谐振器; 以及第三谐振器，其被设置为与第一谐振器的与第一谐振器的第一侧相对的第二侧相对，并且与第一谐振器电磁耦合，并且将传输信号从第一谐振器。

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